Tranzystor; IGBT; 75A; 650V; 710W; TO247; THT; YGW75N65FP; LUXIN-SEMI; RoHS

Jesteś tutaj:
Strona główna
›
AA NOWOŚĆ
›
Tranzystor; IGBT; 75A; 650V; 710W; TO247; THT; YGW75N65FP; LUXIN-SEMI; RoHS

Kod: YGW75N65FP

Nazwa: Tranzystor

Symbol: YGW40N65F1

Typ tranzystora: IGBT

Prąd kolektora: 40A

Moc: 250W

Napięcie kolektor-emiter: 650V

Obudowa: TO247

Montaż: THT przewlekany

Właściwości półprzewodników: +dioda

Producent: LUXIN-SEMI

Producent / Dystrybutor: LUXIN-SEMI

Certyfikaty: RoHS

Bądź pierwszy i napisz opinię.

W magazynie: 10 szt.

10,54 PLN netto Cena brutto: 12,96 PLN

Tranzystor IGBT YGW40N65F1 40A/650V TO-247 | Moc 250W Luxin Semi

Zwiększ wydajność swoich systemów zasilania dzięki nowemu tranzystorowi IGBT YGW40N65F1 od Luxin Semi. Ten wysokowydajny tranzystor bipolarny z izolowaną bramką został zaprojektowany z myślą o wymagających aplikacjach energoelektronicznych.

To idealny tranzystor IGBT 650V, zapewniający szybkie przełączanie i niskie straty mocy, co czyni go doskonałym wyborem do falowników, zasilaczy rezonansowych, systemów UPS oraz przetwornic DC/DC. Kluczowe parametry to maksymalny prąd kolektora $I_{C}$ wynoszący 40A oraz napięcie kolektor-emiter $V_{CES}$ do 650V. Zdolność do rozproszenia mocy 250W podkreśla jego przeznaczenie do pracy w trudnych warunkach.

IGBT YGW40N65F1 zamknięty jest w wytrzymałej obudowie TO-247 THT (montaż przewlekany), co jest standardem w aplikacjach dużej mocy i ułatwia efektywne odprowadzanie ciepła. Wybierając ten tranzystor mocy TO-247, inwestujesz w komponent zgodny z dyrektywą RoHS i gwarantujący stabilną, długotrwałą pracę.

Sprawdź datasheet YGW40N65F1 i przekonaj się o jego niezawodności w Twoim projekcie.

Specyfikacja Techniczna:

Typ elementu: Tranzystor IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor)
Oznaczenie: YGW40N65F1
Prąd kolektora ( $I_{C}$ ): 40A
Napięcie kolektor-emiter ( $V_{CES}$ ): 650V
Moc strat ( $P_{D}$ ): 250W
Obudowa: TO-247 (THT)
Producent: Luxin Semi
Zgodność: RoHS