Filtruj produkty

Nazwa

Symbol

Typ tranzystora

Kierunek przewodnictwa

Rezystancja w stanie przewodzenia

Obudowa

Montaż

Napięcie dren-źródło

Prąd drenu

Moc

Właściwości półprzewodników

Zastosowanie

Producent

Certyfikaty

DARMOWA PRZESYŁKA

DLA ZAMÓWIEŃ OD 400PLN netto

Oferta dotyczy
całego asortymentu

Tranzystory P-MOSFET

Sortuj według
Pokaż na stronie
Kod: IRF7389PBF
Nazwa: Tranzystor
Symbol: IRF7389PBF
Kierunek przewodnictwa: N/P-MOSFET
Typ tranzystora: unipolarny
Prąd drenu: 7,3/-5,3A
Moc: 2,5W
Napięcie dren-źródło: 30/-30V
Rezystancja w stanie przewodzenia: 29/58mOhm
Obudowa: SO8
Montaż: SMD powierzchniowy
Właściwości półprzewodników: HEXFET
Producent: INFINEON
Certyfikaty: RoHS
W magazynie: 72 szt.
3,22 PLN Cena netto
Ilość:
Kod: IRF7319PBF
Nazwa: Tranzystor
Symbol: IRF7319PBF
Kierunek przewodnictwa: N/P-MOSFET
Typ tranzystora: unipolarny
Prąd drenu: 6,5/-4,9A
Moc: 2W
Napięcie dren-źródło: 30/-30V
Rezystancja w stanie przewodzenia: 29/58mOhm
Obudowa: SO8
Montaż: SMD powierzchniowy
Właściwości półprzewodników: HEXFET
Producent: INFINEON
Certyfikaty: RoHS
W magazynie: 16 szt.
2,54 PLN Cena netto
Ilość:
Kod: FDS8958A
Nazwa: Tranzystor
Symbol: FDS8958A
Kierunek przewodnictwa: N/P-MOSFET
Typ tranzystora: unipolarny
Prąd drenu: 7/-5A
Napięcie dren-źródło: 30/-30V
Rezystancja w stanie przewodzenia: 40/80mOhm
Obudowa: SO8
Montaż: SMD powierzchniowy
Certyfikaty: RoHS
W magazynie: 50 szt.
3,24 PLN Cena netto
Ilość:
Kod: IRF9952TRPBF
Nazwa: Tranzystor
Symbol: IRF9952TRPBF
Kierunek przewodnictwa: N/P-MOSFET
Typ tranzystora: unipolarny
Prąd drenu: 3,5/-2,3A
Moc: 2W
Napięcie dren-źródło: 30/-30V
Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,1/0,25Ohm
Obudowa: SO8
Montaż: SMD powierzchniowy
Właściwości półprzewodników: HEXFET
Producent: INFINEON
Certyfikaty: RoHS
W magazynie: 20 szt.
5,20 PLN Cena netto
Ilość:
Kod: IRF7205
Nazwa: Tranzystor
Symbol: IRF7205PBF
Kierunek przewodnictwa: P-MOSFET
Typ tranzystora: unipolarny
Prąd drenu: 4,6A
Moc: 2,5W
Napięcie dren-źródło: 30V
Rezystancja w stanie przewodzenia: 70mOhm
Obudowa: SO8
Montaż: SMD powierzchniowy
Właściwości półprzewodników: HEXFET
Certyfikaty: RoHS
W magazynie: 50 szt.
2,36 PLN Cena netto
Ilość:
Kod: IRLML5203TR
Nazwa: Tranzystor
Symbol: IRLML5203TR
Kierunek przewodnictwa: P-MOSFET
Typ tranzystora: unipolarny
Prąd drenu: 3A
Moc: 1,25W
Napięcie dren-źródło: 30V
Rezystancja w stanie przewodzenia: 98mOhm
Obudowa: SOT23
Montaż: SMD powierzchniowy
Właściwości półprzewodników: logic level
Certyfikaty: RoHS
W magazynie: 9.34 opak.
52,85 PLN / opak. Cena netto
Ilość:
Kod: IRFR5305PBF
Nazwa: Tranzystor
Symbol: IRFR5305
Kierunek przewodnictwa: P-MOSFET
Typ tranzystora: unipolarny
Prąd drenu: 31A
Moc: 110W
Napięcie dren-źródło: 55V
Rezystancja w stanie przewodzenia: 65mOhm
Obudowa: DPAK (TO252)
Montaż: SMD powierzchniowy
Certyfikaty: RoHS
W magazynie: 15678 szt.
2,44 PLN Cena netto
Ilość:
Kod: IRFR9024
Nazwa: Tranzystor
Symbol: IRFR9024
Kierunek przewodnictwa: P-MOSFET
Typ tranzystora: unipolarny
Prąd drenu: 11A
Moc: 38W
Napięcie dren-źródło: 55V
Obudowa: DPAK (TO252)
Montaż: SMD powierzchniowy
Właściwości półprzewodników: HEXFET
Producent: INFINEON
Certyfikaty: RoHS
W magazynie: 83 szt.
2,41 PLN Cena netto
Ilość:
Kod: IRF9630
Nazwa: Tranzystor
Symbol: IRF9630PBF
Kierunek przewodnictwa: P-MOSFET
Typ tranzystora: unipolarny
Prąd drenu: 4A
Moc: 74W
Napięcie dren-źródło: 200V
Obudowa: TO220
Montaż: THT przewlekany
Certyfikaty: RoHS
W magazynie: 52 szt.
3,27 PLN Cena netto
Ilość:
Kod: IRF9640
Nazwa: Tranzystor
Symbol: IRF9640PBF
Kierunek przewodnictwa: P-MOSFET
Typ tranzystora: unipolarny
Prąd drenu: 6,8A
Moc: 125W
Napięcie dren-źródło: 200V
Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,5Ohm
Obudowa: TO220
Montaż: THT przewlekany
Certyfikaty: RoHS
W magazynie: 61 szt.
3,55 PLN Cena netto
Ilość:
Kod: IRF4905S
Nazwa: Tranzystor
Symbol: IRF4905S
Kierunek przewodnictwa: P-MOSFET
Typ tranzystora: unipolarny
Prąd drenu: 74A
Moc: 200W
Napięcie dren-źródło: 55V
Obudowa: D2PAK (TO263)
Montaż: SMD powierzchniowy
Właściwości półprzewodników: HEXFET
Producent: INFINEON
Certyfikaty: RoHS
W magazynie: 25 szt.
8,84 PLN Cena netto
Ilość:
Kod: IRFP9240
Nazwa: Tranzystor
Symbol: IRFP9240
Kierunek przewodnictwa: P-MOSFET
Typ tranzystora: unipolarny
Prąd drenu: 12A
Moc: 150W
Napięcie dren-źródło: 200V
Rezystancja w stanie przewodzenia: 500mOhm
Obudowa: TO247
Montaż: THT przewlekany
Producent: VISHAY
Certyfikaty: RoHS
Niedostępny
5,43 PLN Cena netto
Kod: IRF4905
Nazwa: Tranzystor
Symbol: IRF4905
Kierunek przewodnictwa: P-MOSFET
Typ tranzystora: unipolarny
Prąd drenu: 74A
Moc: 200W
Napięcie dren-źródło: 55V
Obudowa: TO220
Montaż: THT przewlekany
Właściwości półprzewodników: HEXFET
Producent: IRF
Certyfikaty: RoHS
W magazynie: 15 szt.
9,76 PLN Cena netto
Ilość:
Kod: IRF5305PBF
Nazwa: Tranzystor
Symbol: IRF5305
Kierunek przewodnictwa: P-MOSFET
Typ tranzystora: unipolarny
Prąd drenu: 31A
Moc: 110W
Napięcie dren-źródło: 55V
Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,06Ohm
Obudowa: TO220
Montaż: THT przewlekany
Producent: INFINEON
Certyfikaty: RoHS
W magazynie: 387 szt.
6,50 PLN Cena netto
Ilość:
Kod: IRF9317PBF
Nazwa: Tranzystor
Symbol: IRF9317PBF
Kierunek przewodnictwa: P-MOSFET
Typ tranzystora: unipolarny
Prąd drenu: 16A
Moc: 2,5W
Napięcie dren-źródło: 30V
Obudowa: SO8
Montaż: SMD powierzchniowy
Producent: INFINEON
Certyfikaty: RoHS
W magazynie: 20 szt.
5,24 PLN Cena netto
Ilość:
Kod: NDS9407
Nazwa: Tranzystor
Symbol: NDS9407
Kierunek przewodnictwa: P-MOSFET
Typ tranzystora: unipolarny
Prąd drenu: 3A
Moc: 2,5W
Napięcie dren-źródło: 60V
Rezystancja w stanie przewodzenia: 250mOhm
Obudowa: SO8
Montaż: SMD powierzchniowy
Certyfikaty: RoHS
W magazynie: 17 szt.
130,08 PLN / opak. Cena netto
Ilość:
szt.
Kod: IRF9530N
Nazwa: Tranzystor
Symbol: IRF9530N
Kierunek przewodnictwa: P-MOSFET
Typ tranzystora: unipolarny
Prąd drenu: 14A
Moc: 79W
Napięcie dren-źródło: 100V
Obudowa: TO220
Montaż: THT przewlekany
Właściwości półprzewodników: HEXFET
Producent: INFINEON
Certyfikaty: RoHS
W magazynie: 38 szt.
3,86 PLN Cena netto
Ilość:
Pokaż na stronie