BSS84P H6327 firmy Infineon to mało sygnałowy tranzystor z wzbogaconym kanałem SIPMOS poziomu logicznego typu P-MOSFET, w obudowie SOT-23. Układ ten zawiera parametry dv/dt oraz lawinowe.
- Z kwalifikacją klasy motoryzacyjnej AEC-Q101
- Napięcie dren-źródło (Vds): -60V
- Napięcie bramka-źródło: ±20V
- Ciągły prąd drenu (Id): -170mA
- Strata mocy (pd): 360mW
- Zakres temperatury roboczej -55°C do 150°C
- Niska rezystancja stanu „on": 8ohm przy Vgs -4.5V
Zastosowania
Zarządzanie zasilaniem, Elektronika użytkowa, Urządzenia przenośne, Przemysłowe, Motoryzacja
