Filtruj produkty

Nazwa

Symbol

Typ

Typ stabilizatora

Typ czujnika

Typ układu scalonego

Typ diody

Typ radiatora

Typ podkładki

Typ modułu

Typ złącza

Typ układu pamięci

Typ tranzystora

Typ zestawu

Kierunek przewodnictwa

Rezystancja

Pojemność

Tolerancja

Raster wyprowadzeń

Kolor

Liczba torów / pinów

Pokrycie styków

Liczba kanałów

Impedancja

Napięcie przebicia

Struktura diody

Rodzaj układu cyfrowego

Napięcie zasilania

Liczba wejść

Rodzaj bramki

Napięcie referencyjne

Organizacja pamięci FLASH

Pojemność pamięci SRAM

Liczba wejść/wyjść

Liczba wyjść

Liczba timerów 16bit

Pamięć SRAM

Pamięć SRAM

Pojemność pamięci RAM

Pojemność pamięci FLASH

Pojemność pamięci EEPROM

Prąd wyzwalania

Rodzaj komparatora

Ilość komparatorów

Ilość portów

Czas propagacji

Rodzaj złącza

Rodzaj układu scalonego

Raster styków

Napięcie znamionowe

Numer katalogowy producenta

Średnica

Średnica zewnętrzna

Średnica wewnętrzna

Montaż / wyprowadzenia

Prąd wyjściowy

Konfiguracja wyjścia

Prąd znamionowy

Liczba timerów 8bit

Liczba przetworników A/D 10bit

Liczba przetworników A/D 12bit

Liczba przerwań zewnętrznych

Liczba komparatorów

Liczba kanałów PWM

Liczba kanałów pojemnościowych

Grubość

Rodzaj wyjścia

CTR

Napięcie sterujące

Rezystancja termiczna

Rezystancja w stanie przewodzenia

Rodzaj napięcia

Przewodność cieplna

Rodzaj opakowania

Obudowa

Montaż elektryczny

Montaż

Montaż mechaniczny

Montaż złącza

Temperatura pracy

Napięcie dren-źródło

Napięcie

Napięcie Zenera

Czas gotowości

Napięcie wsteczne

Pojemność / masa

Napięcie izolacji

Wysokość

Wysokość izolatora C

Szerokość

Rodzaj wykończenia

Rodzaj napięcia zasilającego

Maksymalny prąd pracy

Maksymalny prąd wyjściowy

Maksymalny prąd sterujący SSR

Maksymalny prąd przełączania SSR

Długość

Rodzaj stabilizatora

Rodzaj obudowy

Układ wyprowadzeń

Prąd bramki

Prąd

Prąd drenu

Prąd kolektora

Prąd przewodzenia

Prąd pracy

Spadek napięcia

Moc

Napięcie kolektor-emiter

Napięcie wyjściowe

Napięcie wejściowe

Napięcie pracy

Napięcie warystora

Obwód IN/OUT

Rodzaj mikrokontrolera/układu

Rodzaj napięcia wejściowego

Rodzaj napięcia wyjściowego

Rodzaj przetwornicy

Rodzaj sondy

Materiał

Organizacja pamięci

Częstotliwość taktowania

Częstotliwość

Interfejs

Pasmo przenoszenia

Kształt radiatora

Rodzaj napięcia przełączania SSR

Rodzaj wyjścia SSR

Rozdzielczość

Kompatybilna z

Właściwości

Właściwości półprzewodników

Właściwości osprzętu

Wersja złącza kołkowego

Wersja przekaźnika SSR

Wyprowadzenia

Wersja mostka prostowniczego

Zakres napięcia zasilającego

Zakres napięcia przełączania SSR

Typ diody 2

Nazwa 2

Dokładność

Opakowanie

Wymiary

Wymiary czujników

Zastosowanie

Wyposażenie

Liczba nadajników

Liczba odbiorników

Średnica podstawy tulejki

Producent

Rodzaj pamięci

Pamięć

Czas narastania

Czas opadania

Certyfikaty

DARMOWA PRZESYŁKA

DLA ZAMÓWIEŃ OD 400PLN netto

Oferta dotyczy
całego asortymentu

Dołącz do nas

Półprzewodniki

Półprzewodniki, czyli komponenty elektroniczne bazujące na materiałach o zmiennej konduktywności, są kluczowymi elementami wielu urządzeń elektronicznych. Dzięki domieszkowaniu kryształów takich substancji jak krzem czy german, można uzyskać półprzewodniki typu n (z nadmiarem elektronów) oraz typu p (z niedoborem elektronów). To połączenie umożliwia tworzenie różnorodnych układów, takich jak złącza typu p-n czy tranzystory bipolarne.

Wśród tranzystorów unipolarnych, popularnością cieszą się FET-y, w których sterowanie prądem odbywa się poprzez zmianę napięcia źródło-bramka. 

Tranzystory MOSFET, izolowane od pozostałych wyprowadzeń, charakteryzują się szybkością działania i mikroskopijnymi rozmiarami. Technologia CMOS natomiast, oparta na łączeniu MOSFET-ów w pary, jest podstawą elektroniki cyfrowej i produkcji układów scalonych, pamięci oraz mikroprocesorów.
Zrozumienie podstawowych zasad działania półprzewodników jest kluczowe dla pracy z elektroniką. Głębsze poznanie ich funkcji i charakterystyki pozwala na efektywne projektowanie i wykorzystanie różnorodnych produktów dostępnych na rynku.

Półprzewodniki

Sortuj według
Pokaż na stronie
Kod: BSS123LT1G
Nazwa: Tranzystor
Symbol: BSS123LT1G
Kierunek przewodnictwa: N-MOSFET
Typ tranzystora: unipolarny
Prąd drenu: 170mA
Moc: 225mW
Napięcie dren-źródło: 100V
Rezystancja w stanie przewodzenia: 6Ohm
Obudowa: SOT23
Montaż: SMD powierzchniowy
Producent: ON SEMICONDUCTOR
Certyfikaty: RoHS
W magazynie: 35.91 opak.
16,26 PLN / opak. Cena netto
Ilość:
Kod: IRLR3705ZPBF
Nazwa: Tranzystor
Symbol: IRLR3705Z
Kierunek przewodnictwa: N-MOSFET
Typ tranzystora: unipolarny
Prąd drenu: 89A
Moc: 130W
Napięcie dren-źródło: 55V
Rezystancja w stanie przewodzenia: 8mOhm
Obudowa: DPAK (TO252)
Montaż: SMD powierzchniowy
Właściwości półprzewodników: logic level
Producent: IRF
Certyfikaty: RoHS
W magazynie: 10 szt.
6,97 PLN Cena netto
Ilość:
Kod: IRFZ46N
Nazwa: Tranzystor
Symbol: IRFZ46N
Kierunek przewodnictwa: N-MOSFET
Typ tranzystora: unipolarny
Prąd drenu: 53A
Moc: 107W
Napięcie dren-źródło: 55V
Rezystancja w stanie przewodzenia: 14,6mOhm
Obudowa: TO220
Montaż: THT przewlekany
Certyfikaty: RoHS
W magazynie: 138 szt.
2,61 PLN Cena netto
Ilość:
Kod: IRLR2705PBF
Nazwa: Tranzystor
Kierunek przewodnictwa: N-MOSFET
Typ tranzystora: unipolarny
Prąd drenu: 28A
Moc: 68W
Napięcie dren-źródło: 55V
Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,04Ohm
Obudowa: DPAK (TO252)
Montaż: SMD powierzchniowy
Certyfikaty: RoHS
W magazynie: 32 szt.
2,03 PLN Cena netto
Ilość:
Kod: IRL3713PBF
Nazwa: Tranzystor
Symbol: IRL3713
Kierunek przewodnictwa: N-MOSFET
Typ tranzystora: unipolarny
Prąd drenu: 260A
Moc: 330W
Napięcie dren-źródło: 30V
Rezystancja w stanie przewodzenia: 3mOhm
Obudowa: TO220
Montaż: THT przewlekany
Producent: INFINEON
Certyfikaty: RoHS
W magazynie: 7 szt.
14,99 PLN Cena netto
Ilość:
Kod: BUZ91A
Nazwa: Tranzystor
Symbol: BUZ91A
Kierunek przewodnictwa: N-MOSFET
Typ tranzystora: unipolarny
Prąd drenu: 8A
Moc: 150W
Napięcie dren-źródło: 600V
Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,9Ohm
Obudowa: TO220
Montaż: THT przewlekany
Certyfikaty: RoHS
Niedostępny
4,57 PLN Cena netto
Kod: AP60T10GS-HF-3
Nazwa: Tranzystor
Symbol: AP60T10GS-HF-3
Kierunek przewodnictwa: N-MOSFET
Typ tranzystora: unipolarny
Prąd drenu: 67A
Moc: 167W
Napięcie dren-źródło: 100V
Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,018Ohm
Obudowa: D2PAK (TO263)
Montaż: SMD powierzchniowy
Certyfikaty: RoHS
W magazynie: 10 szt.
3,67 PLN Cena netto
Ilość:
Kod: BS170
Nazwa: Tranzystor
Kierunek przewodnictwa: N-MOSFET
Obudowa: TO92
W magazynie: 2 opak.
65,04 PLN / opak. Cena netto
Ilość:
Kod: AOD4184
Nazwa: Tranzystor
Symbol: AOD4184
Kierunek przewodnictwa: N-MOSFET
Typ tranzystora: unipolarny
Prąd drenu: 40A
Moc: 25W
Napięcie dren-źródło: 40V
Rezystancja w stanie przewodzenia: 12mOhm
Obudowa: DPAK (TO252)
Montaż: SMD powierzchniowy
Producent: ALPHA&OMEGA
Certyfikaty: RoHS
W magazynie: 52 szt.
1,63 PLN Cena netto
Ilość:
Kod: BSS138
Nazwa: Tranzystor
Symbol: BSS138
Kierunek przewodnictwa: N-MOSFET
Typ tranzystora: unipolarny
Prąd drenu: 0,22A
Moc: 360mW
Napięcie dren-źródło: 50V
Rezystancja w stanie przewodzenia: 3,5Ohm
Obudowa: SOT23
Montaż: SMD powierzchniowy
Właściwości półprzewodników: logic level
Certyfikaty: RoHS
W magazynie: 8.49 opak.
26,83 PLN / opak. Cena netto
Ilość:
Kod: IRF8010SPBF
Nazwa: Tranzystor
Symbol: IRF8010SPBF
Kierunek przewodnictwa: N-MOSFET
Typ tranzystora: unipolarny
Prąd drenu: 80A
Moc: 260W
Napięcie dren-źródło: 100V
Rezystancja w stanie przewodzenia: 15mOhm
Obudowa: D2PAK (TO263)
Montaż: SMD powierzchniowy
Certyfikaty: RoHS
W magazynie: 1 szt.
4,86 PLN Cena netto
Ilość:
Kod: BSP295
Nazwa: Tranzystor
Symbol: BSP295
Kierunek przewodnictwa: N-MOSFET
Typ tranzystora: unipolarny
Prąd drenu: 1,8A
Moc: 1,8W
Napięcie dren-źródło: 60V
Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,3Ohm
Obudowa: SOT223
Producent: INFINEON
Certyfikaty: RoHS
W magazynie: 11 szt.
2,03 PLN Cena netto
Ilość:
Kod: IRF7811AVPBF
Nazwa: Tranzystor
Symbol: IRF7811AVPBF
Kierunek przewodnictwa: N-MOSFET
Typ tranzystora: unipolarny
Prąd drenu: 14A
Moc: 3,5W
Napięcie dren-źródło: 30V
Rezystancja w stanie przewodzenia: 14mOhm
Obudowa: SO8
Montaż: SMD powierzchniowy
Producent: INFINEON
Certyfikaty: RoHS
W magazynie: 40 szt.
2,68 PLN Cena netto
Ilość:
Kod: STP60NF06
Nazwa: Tranzystor
Symbol: STP60NF06
Kierunek przewodnictwa: N-MOSFET
Typ tranzystora: unipolarny
Prąd drenu: 60A
Moc: 110W
Napięcie dren-źródło: 60V
Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,014Ohm
Obudowa: TO220
Montaż: THT przewlekany
Producent: STMicroelectronics
Certyfikaty: RoHS
W magazynie: 51 szt.
4,26 PLN Cena netto
Ilość:
Kod: STP75NF75
Nazwa: Tranzystor
Symbol: STP75NF75
Kierunek przewodnictwa: N-MOSFET
Typ tranzystora: unipolarny
Prąd drenu: 70A
Moc: 300W
Napięcie dren-źródło: 75V
Rezystancja w stanie przewodzenia: 11mOhm
Obudowa: TO220
Montaż: THT przewlekany
Producent: STMicroelectronics
Certyfikaty: RoHS
W magazynie: 26 szt.
5,36 PLN Cena netto
Ilość:
Kod: IRF520N
Nazwa: Tranzystor
Symbol: IRF520N
Kierunek przewodnictwa: N-MOSFET
Typ tranzystora: unipolarny
Prąd drenu: 9,2A
Moc: 60W
Napięcie dren-źródło: 100V
Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,27Ohm
Obudowa: TO220
Montaż: THT przewlekany
Właściwości półprzewodników: HEXFET
Producent: INFINEON
Certyfikaty: RoHS
W magazynie: 34 szt.
3,50 PLN Cena netto
Ilość:
Kod: STW11NK100Z
Nazwa: Tranzystor
Symbol: STW11NK100Z
Kierunek przewodnictwa: N-MOSFET
Typ tranzystora: unipolarny
Prąd drenu: 8,3A
Moc: 280W
Napięcie dren-źródło: 1000V
Rezystancja w stanie przewodzenia: 1,4Ohm
Obudowa: TO247
Montaż: THT przewlekany
Producent: STMicroelectronics
Certyfikaty: RoHS
Niedostępny
12,51 PLN Cena netto
Kod: IRF2807ZPBF
Nazwa: Tranzystor
Symbol: IRF2807Z
Kierunek przewodnictwa: N-MOSFET
Typ tranzystora: unipolarny
Prąd drenu: 89A
Moc: 170W
Napięcie dren-źródło: 75V
Rezystancja w stanie przewodzenia: 9,4mOhm
Obudowa: TO220
Montaż: THT przewlekany
Właściwości półprzewodników: HEXFET
Producent: INFINEON
Certyfikaty: RoHS
W magazynie: 15 szt.
7,72 PLN Cena netto
Ilość:
Kod: CPC3703CTR
Nazwa: Tranzystor
Symbol: CPC3703CTR
Kierunek przewodnictwa: N-MOSFET
Typ tranzystora: unipolarny
Prąd drenu: 0,36A
Moc: 1,1W
Napięcie dren-źródło: 250V
Rezystancja w stanie przewodzenia: 4Ohm
Obudowa: SOT89
Montaż: SMD powierzchniowy
Producent: IXYS
Certyfikaty: RoHS
W magazynie: 10 opak.
81,30 PLN Cena netto
Ilość (opak.):
Kod: IRF2807SPBF
Nazwa: Tranzystor
Symbol: IRF2807S
Kierunek przewodnictwa: N-MOSFET
Typ tranzystora: unipolarny
Prąd drenu: 82A
Moc: 170W
Napięcie dren-źródło: 75V
Rezystancja w stanie przewodzenia: 13mOhm
Obudowa: D2PAK (TO263)
Montaż: SMD powierzchniowy
Właściwości półprzewodników: HEXFET
Producent: INFINEON
Certyfikaty: RoHS
W magazynie: 35 szt.
8,10 PLN Cena netto
Ilość:
Kod: CPC5603CTR
Nazwa: Tranzystor
Symbol: CPC5603CTR
Kierunek przewodnictwa: N-MOSFET
Typ tranzystora: unipolarny
Prąd drenu: 0,13A
Moc: 2,5W
Napięcie dren-źródło: 415V
Rezystancja w stanie przewodzenia: 14Ohm
Obudowa: SOT223
Montaż: SMD powierzchniowy
Producent: IXYS
Certyfikaty: RoHS
W magazynie: 19.8 opak.
81,30 PLN Cena netto
Ilość (opak.):
Kod: IRFP140NPBF
Nazwa: Tranzystor
Symbol: IRFP140N
Kierunek przewodnictwa: N-MOSFET
Typ tranzystora: unipolarny
Prąd drenu: 27A
Moc: 94W
Napięcie dren-źródło: 100V
Rezystancja w stanie przewodzenia: 52mOhm
Obudowa: TO247
Montaż: THT przewlekany
Właściwości półprzewodników: HEXFET
Producent: IRF
Certyfikaty: RoHS
W magazynie: 18 szt.
5,91 PLN Cena netto
Ilość:
Kod: STP80NF10FP
Nazwa: Tranzystor
Symbol: STP80NF10FP
Kierunek przewodnictwa: N-MOSFET
Typ tranzystora: unipolarny
Prąd drenu: 27A
Moc: 45W
Napięcie dren-źródło: 100V
Rezystancja w stanie przewodzenia: 15mOhm
Obudowa: TO220FP
Montaż: THT przewlekany
Producent: STMicroelectronics
Certyfikaty: RoHS
W magazynie: 10 szt.
8,70 PLN Cena netto
Ilość:
Kod: BTS442E2
Nazwa: Układ scalony
Symbol: BTS442E2
Typ układu scalonego: power switch
Prąd wyjściowy: 21A
Napięcie zasilania: 4,5-42V DC
Rodzaj układu scalonego: high-side
Rodzaj wyjścia: N-Channel
Rezystancja w stanie przewodzenia: 18mOhm
Obudowa: TO220-5
Montaż: THT przewlekany
Liczba kanałów: 1 kanał
Certyfikaty: RoHS
Niedostępny
52,85 PLN Cena netto
Kod: IRFB4610PBF
Nazwa: Tranzystor
Symbol: IRFB4610PBF
Kierunek przewodnictwa: N-MOSFET
Typ tranzystora: unipolarny
Prąd drenu: 73A
Moc: 190W
Napięcie dren-źródło: 100V
Rezystancja w stanie przewodzenia: 14mOhm
Obudowa: TO220
Montaż: THT przewlekany
Właściwości półprzewodników: HEXFET
Producent: INFINEON
Certyfikaty: RoHS
W magazynie: 30 szt.
9,64 PLN Cena netto
Ilość:
Kod: IRFZ24N
Nazwa: Tranzystor
Symbol: IRFZ24N
Kierunek przewodnictwa: N-MOSFET
Typ tranzystora: unipolarny
Prąd drenu: 17A
Moc: 45W
Napięcie dren-źródło: 55V
Rezystancja w stanie przewodzenia: 70mOhm
Obudowa: TO220
Montaż: THT przewlekany
Właściwości półprzewodników: HEXFET
Certyfikaty: RoHS
W magazynie: 29 szt.
2,59 PLN Cena netto
Ilość:
Kod: IRFP240
Nazwa: Tranzystor
Symbol: IRFP240
Kierunek przewodnictwa: N-MOSFET
Typ tranzystora: unipolarny
Prąd drenu: 20A
Moc: 150W
Napięcie dren-źródło: 200V
Rezystancja w stanie przewodzenia: 180mOhm
Obudowa: TO247
Montaż: THT przewlekany
Certyfikaty: RoHS
W magazynie: 23 szt.
10,65 PLN Cena netto
Ilość:
Kod: IRFI740G
Nazwa: Tranzystor
Symbol: IRF740FI
Kierunek przewodnictwa: N-MOSFET
Typ tranzystora: unipolarny
Prąd drenu: 10A
Moc: 125W
Napięcie dren-źródło: 400V
Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,45Ohm
Obudowa: TO220FP
Montaż: THT przewlekany
Certyfikaty: RoHS
W magazynie: 6 szt.
4,35 PLN Cena netto
Ilość:
Kod: IRFP048N
Nazwa: Tranzystor
Symbol: IRFP048N
Kierunek przewodnictwa: N-MOSFET
Typ tranzystora: unipolarny
Prąd drenu: 64A
Moc: 140W
Napięcie dren-źródło: 55V
Rezystancja w stanie przewodzenia: 16mOhm
Obudowa: TO247
Montaż: THT przewlekany
Producent: IRF
Certyfikaty: RoHS
W magazynie: 25 szt.
4,16 PLN Cena netto
Ilość:
Kod: IRFP4229PBF
Nazwa: Tranzystor
Symbol: IRFP4229PBF
Kierunek przewodnictwa: N-MOSFET
Typ tranzystora: unipolarny
Prąd drenu: 44A
Moc: 310W
Napięcie dren-źródło: 250V
Rezystancja w stanie przewodzenia: 46mOhm
Obudowa: TO247
Montaż: THT przewlekany
Właściwości półprzewodników: HEXFET
Certyfikaty: RoHS
W magazynie: 11 szt.
17,25 PLN Cena netto
Ilość:
Kod: IRFZ44NLPBF
Nazwa: Tranzystor
Symbol: IRFZ44NLPBF
Kierunek przewodnictwa: N-MOSFET
Typ tranzystora: unipolarny
Prąd drenu: 49A
Moc: 110W
Napięcie dren-źródło: 55V
Rezystancja w stanie przewodzenia: 17,5mOhm
Obudowa: TO262
Montaż: THT przewlekany
Certyfikaty: RoHS
W magazynie: 50 szt.
4,34 PLN Cena netto
Ilość:
Kod: IRL3705ZPBF
Nazwa: Tranzystor
Symbol: IRL3705ZPBF
Kierunek przewodnictwa: N-MOSFET
Typ tranzystora: unipolarny
Prąd drenu: 75A
Moc: 170W
Napięcie dren-źródło: 55V
Rezystancja w stanie przewodzenia: 8mOhm
Obudowa: TO220
Montaż: THT przewlekany
Właściwości półprzewodników: HEXFET
Producent: INFINEON
Certyfikaty: RoHS
W magazynie: 16 szt.
6,85 PLN Cena netto
Ilość:
Kod: IRFI3205PBF
Nazwa: Tranzystor
Symbol: IRFI3205PBF
Kierunek przewodnictwa: N-MOSFET
Typ tranzystora: unipolarny
Prąd drenu: 56A
Moc: 48W
Napięcie dren-źródło: 55V
Rezystancja w stanie przewodzenia: 8mOhm
Obudowa: TO220FP
Montaż: THT przewlekany
Certyfikaty: RoHS
W magazynie: 3 szt.
9,57 PLN Cena netto
Ilość:
Kod: FCB20N60FTM
Nazwa: Tranzystor
Symbol: FCB20N60FTM
Kierunek przewodnictwa: N-MOSFET
Typ tranzystora: unipolarny
Prąd drenu: 12,5A
Moc: 208W
Napięcie dren-źródło: 600V
Rezystancja w stanie przewodzenia: 190mOhm
Obudowa: D2PAK (TO263)
Montaż: SMD powierzchniowy
Certyfikaty: RoHS
W magazynie: 9 szt.
22,30 PLN Cena netto
Ilość:
Kod: IRFP3206PBF
Nazwa: Tranzystor
Symbol: IRFP3206PBF
Kierunek przewodnictwa: N-MOSFET
Typ tranzystora: unipolarny
Prąd drenu: 200A
Moc: 280W
Napięcie dren-źródło: 60V
Rezystancja w stanie przewodzenia: 2,4mOhm
Obudowa: TO247
Montaż: THT przewlekany
Właściwości półprzewodników: HEXFET
Producent: INFINEON
Certyfikaty: RoHS
W magazynie: 7 szt.
17,37 PLN Cena netto
Ilość:
Kod: AOTF4N60
Nazwa: Tranzystor
Kierunek przewodnictwa: N-MOSFET
Typ tranzystora: unipolarny
Prąd drenu: 2,5A
Napięcie dren-źródło: 600V
Rezystancja w stanie przewodzenia: 2,2Ohm
Obudowa: TO220FP
Montaż: THT przewlekany
Certyfikaty: RoHS
Niedostępny
2,00 PLN Cena netto
Kod: STP5NK100Z
Nazwa: Tranzystor
Symbol: STP5NK100Z
Kierunek przewodnictwa: N-MOSFET
Typ tranzystora: unipolarny
Prąd drenu: 2,2A
Moc: 125W
Napięcie dren-źródło: 1000V
Obudowa: TO220
Montaż: THT przewlekany
Producent: STMicroelectronics
Certyfikaty: RoHS
W magazynie: 43 szt.
7,29 PLN Cena netto
Ilość:
Kod: IRLML2502TR
Nazwa: Tranzystor
Symbol: IRLML2502TR
Kierunek przewodnictwa: N-MOSFET
Typ tranzystora: unipolarny
Prąd drenu: 4,2A
Moc: 1,3W
Napięcie dren-źródło: 20V
Obudowa: SOT23
Montaż: SMD powierzchniowy
Certyfikaty: RoHS
W magazynie: 7.67 opak.
62,00 PLN / opak. Cena netto
Ilość:
Kod: IRFP250N
Nazwa: Tranzystor
Symbol: IRFP250N
Kierunek przewodnictwa: N-MOSFET
Typ tranzystora: unipolarny
Prąd drenu: 30A
Moc: 214W
Napięcie dren-źródło: 200V
Rezystancja w stanie przewodzenia: 75mOhm
Obudowa: TO247
Montaż: THT przewlekany
Właściwości półprzewodników: HEXFET
Producent: INFINEON
Certyfikaty: RoHS
W magazynie: 3 szt.
6,72 PLN Cena netto
Ilość:
Kod: IRFB5620PBF
Nazwa: Tranzystor
Symbol: IRFB5620PBF
Kierunek przewodnictwa: N-MOSFET
Typ tranzystora: unipolarny
Prąd drenu: 25A
Moc: 144W
Napięcie dren-źródło: 200V
Rezystancja w stanie przewodzenia: 72,5mOhm
Obudowa: TO220
Montaż: THT przewlekany
Producent: INFINEON
W magazynie: 19 szt.
8,91 PLN Cena netto
Ilość:
Kod: IRF7389PBF
Nazwa: Tranzystor
Symbol: IRF7389PBF
Kierunek przewodnictwa: N/P-MOSFET
Typ tranzystora: unipolarny
Prąd drenu: 7,3/-5,3A
Moc: 2,5W
Napięcie dren-źródło: 30/-30V
Rezystancja w stanie przewodzenia: 29/58mOhm
Obudowa: SO8
Montaż: SMD powierzchniowy
Właściwości półprzewodników: HEXFET
Producent: INFINEON
Certyfikaty: RoHS
W magazynie: 77 szt.
3,22 PLN Cena netto
Ilość:
Kod: IRF7455PBF
Nazwa: Tranzystor
Symbol: IRF7455PBF
Kierunek przewodnictwa: N-MOSFET
Typ tranzystora: unipolarny
Prąd drenu: 15A
Moc: 2,5W
Napięcie dren-źródło: 30V
Rezystancja w stanie przewodzenia: 7,5mOhm
Obudowa: SO8
Montaż: SMD powierzchniowy
Producent: INFINEON
Certyfikaty: RoHS
W magazynie: 105 szt.
3,25 PLN Cena netto
Ilość:
Kod: TDA7388FLW25V
Nazwa: Układ audio
Symbol: TDA7388FLW25V
Typ układu scalonego: wzmacniacz audio
Moc: 90W
Napięcie zasilania: 24V
Obudowa: FLEXIWATT25
Montaż: THT przewlekany
Liczba kanałów: 4 kanały
Impedancja: 4Ohm
Właściwości półprzewodników: klasa AB
Certyfikaty: RoHS
W magazynie: 12 szt.
14,10 PLN Cena netto
Ilość:
Kod: IRFB7530PBF
Nazwa: Tranzystor
Symbol: IRFB7530PBF
Kierunek przewodnictwa: N-MOSFET
Typ tranzystora: unipolarny
Prąd drenu: 295A
Moc: 375W
Napięcie dren-źródło: 60V
Rezystancja w stanie przewodzenia: 2mOhm
Obudowa: TO220
Montaż: THT przewlekany
Producent: INFINEON
Certyfikaty: RoHS
W magazynie: 36 szt.
11,90 PLN Cena netto
Ilość:
Kod: IRL3713SPBF
Nazwa: Tranzystor
Symbol: IRL3713S
Kierunek przewodnictwa: N-MOSFET
Typ tranzystora: unipolarny
Prąd drenu: 260A
Moc: 330W
Napięcie dren-źródło: 30V
Rezystancja w stanie przewodzenia: 3mOhm
Obudowa: D2PAK (TO263)
Montaż: SMD powierzchniowy
Producent: INFINEON
Certyfikaty: RoHS
Niedostępny
12,20 PLN Cena netto
Kod: BSP135H6327
Nazwa: Tranzystor
Symbol: BSP135H6327
Kierunek przewodnictwa: N-MOSFET
Typ tranzystora: unipolarny
Prąd drenu: 0,12A
Moc: 1,8W
Napięcie dren-źródło: 600V
Rezystancja w stanie przewodzenia: 60Ohm
Obudowa: SOT223
Montaż: SMD powierzchniowy
Producent: INFINEON
Certyfikaty: RoHS
W magazynie: 5.4 opak.
154,47 PLN / opak. Cena netto
Ilość:
Kod: BTS307
Nazwa: Układ scalony
Symbol: BTS307
Typ układu scalonego: power switch
Prąd wyjściowy: 1,7A
Moc: 50W
Napięcie zasilania: 65V
Rodzaj układu scalonego: high-side
Rodzaj wyjścia: N-Channel
Rezystancja w stanie przewodzenia: 250mOhm
Obudowa: TO220-7
Montaż: THT przewlekany
Nazwa 2: Tranzystor
Producent: INFINEON
Certyfikaty: RoHS
Niedostępny
19,61 PLN Cena netto
Kod: STP6NK90ZFP
Nazwa: Tranzystor
Symbol: STP6NK90ZFP
Kierunek przewodnictwa: N-MOSFET
Typ tranzystora: unipolarny
Prąd drenu: 6A
Moc: 30W
Napięcie dren-źródło: 900V
Rezystancja w stanie przewodzenia: 1,75Ohm
Obudowa: TO220FP
Montaż: THT przewlekany
Właściwości półprzewodników: izolowany
Producent: STMicroelectronics
Certyfikaty: RoHS
W magazynie: 25 szt.
7,79 PLN Cena netto
Ilość:
Kod: STP6NK60Z
Nazwa: Tranzystor
Symbol: STP6NK60Z
Kierunek przewodnictwa: N-MOSFET
Typ tranzystora: unipolarny
Prąd drenu: 6A
Moc: 110W
Napięcie dren-źródło: 600V
Obudowa: TO220
Montaż: THT przewlekany
Certyfikaty: RoHS
W magazynie: 22 szt.
5,20 PLN Cena netto
Ilość:
Kod: STW22N95K5
Nazwa: Tranzystor
Symbol: STW22N95K5
Kierunek przewodnictwa: N-MOSFET
Typ tranzystora: unipolarny
Prąd drenu: 11A
Moc: 250W
Napięcie dren-źródło: 950V
Rezystancja w stanie przewodzenia: 280mOhm
Obudowa: TO247
Montaż: THT przewlekany
Producent: STMicroelectronics
Certyfikaty: RoHS
W magazynie: 1 szt.
30,00 PLN Cena netto
Ilość:
Kod: VNP10N07
Nazwa: Tranzystor
Symbol: VNP10N07
Typ układu scalonego: power switch
Kierunek przewodnictwa: N-MOSFET
Prąd wyjściowy: 10A
Moc: 50W
Napięcie wyjściowe: 70V
Rodzaj układu scalonego: low-side
Rezystancja w stanie przewodzenia: 100mOhm
Obudowa: TO220
Montaż: THT przewlekany
Liczba kanałów: 1 kanał
Producent: STMicroelectronics
Certyfikaty: RoHS
W magazynie: 6 szt.
20,63 PLN Cena netto
Ilość:
Kod: STW20NK50Z
Nazwa: Tranzystor
Symbol: STW20NK50Z
Kierunek przewodnictwa: N-MOSFET
Typ tranzystora: unipolarny
Prąd drenu: 12,6A
Moc: 190W
Napięcie dren-źródło: 500V
Rezystancja w stanie przewodzenia: 270mOhm
Obudowa: TO247
Montaż: THT przewlekany
Certyfikaty: RoHS
W magazynie: 14 szt.
12,90 PLN Cena netto
Ilość:
Kod: FQD1N80TM
Nazwa: Tranzystor
Symbol: FQD1N80TM
Kierunek przewodnictwa: N-MOSFET
Typ tranzystora: unipolarny
Prąd drenu: 630mA
Moc: 45W
Napięcie dren-źródło: 800V
Rezystancja w stanie przewodzenia: 20Ohm
Obudowa: DPAK (TO252)
Montaż: SMD powierzchniowy
Producent: ON SEMICONDUCTOR
Certyfikaty: RoHS
W magazynie: 2485 szt.
1,95 PLN Cena netto
Ilość:
Kod: STP13NM60N
Nazwa: Tranzystor
Symbol: STP13NM60N
Kierunek przewodnictwa: N-MOSFET
Typ tranzystora: unipolarny
Prąd drenu: 11A
Moc: 90W
Napięcie dren-źródło: 600V
Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,36Ohm
Obudowa: TO220
Montaż: THT przewlekany
Producent: STMicroelectronics
Certyfikaty: RoHS
W magazynie: 7 szt.
4,34 PLN Cena netto
Ilość:
Kod: STP11NM80
Nazwa: Tranzystor
Symbol: STP11NM80
Kierunek przewodnictwa: N-MOSFET
Typ tranzystora: unipolarny
Prąd drenu: 11A
Moc: 150W
Napięcie dren-źródło: 800V
Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,4Ohm
Obudowa: TO220
Montaż: THT przewlekany
Producent: STMicroelectronics
Certyfikaty: RoHS
W magazynie: 32 szt.
13,95 PLN Cena netto
Ilość:
Kod: STD13N60M2
Nazwa: Tranzystor
Symbol: STD13N60M2
Kierunek przewodnictwa: N-MOSFET
Typ tranzystora: unipolarny
Prąd drenu: 7A
Moc: 110W
Napięcie dren-źródło: 600V
Rezystancja w stanie przewodzenia: 380mOhm
Obudowa: DPAK (TO252)
Montaż: SMD powierzchniowy
Właściwości półprzewodników: ESD protected gate
Certyfikaty: RoHS
Niedostępny
6,16 PLN Cena netto
Pokaż na stronie

Półprzewodniki

PONAD 3000 ELEMENTÓW PÓŁPRZEWODNIKOWYCH

Elektronika to dziedzina, która skupia się głównie na obwodach elektrycznych zbudowanych z użyciem półprzewodników. W katalogu ELEKTRONIKSC znajdziesz ponad 3000 produktów związanych z elementami półprzewodnikowymi. Przejrzyjmy teraz szybko ten asortyment, z wyróżnieniem najważniejszych podgrup.

- DIODY

- MOSTKI PROSTOWNICZE

TRANZYSTORY

- UKŁADY SCALONE

Dzięki stałemu postępowi technologicznemu dzisiejsze urządzenia są coraz bardziej zaawansowane, co wymaga zastosowania najnowocześniejszych komponentów. Wśród nich, szczególne miejsce zajmują podzespoły oparte na technologii półprzewodnikowej. Są one fundamentem wielu obwodów i systemów, wpływając na ich efektywność, szybkość działania oraz niezawodność. W tej kategorii zgromadziliśmy bogaty asortyment elementów, który obejmuje tranzystory, diody, układy scalone i wiele innych, kluczowych dla współczesnej elektroniki komponentów. Oferowane przez nas podzespoły elektroniczne pochodzą od sprawdzonych dostawców, co gwarantuje ich wysoką jakość i długotrwałą pracę.

 

Sprzęt dla każdego

Kategoria ta jest dedykowana zarówno profesjonalistom, jak i amatorom elektroniki, którzy poszukują niezawodnych i efektywnych rozwiązań do swoich projektów. Oferujemy półprzewodnik oraz dedykowane do niego wsparcie techniczne i pomoc w doborze odpowiednich rozwiązań, aby nasi klienci mogli w pełni wykorzystać potencjał półprzewodników w swoich aplikacjach. Zapraszamy do zapoznania się z naszym asortymentem i wyboru podzespołów elektronicznych, które pomogą zrealizować najbardziej ambitne projekty.