Powered by Smartsupp

Filtruj produkty

Nazwa

Symbol

Typ

Typ stabilizatora

Typ czujnika

Typ układu scalonego

Typ diody

Typ radiatora

Typ podkładki

Typ modułu

Typ układu pamięci

Typ tranzystora

Typ zestawu

Kierunek przewodnictwa

Rezystancja

Pojemność

Tolerancja

Raster wyprowadzeń

Kolor

Liczba kanałów

Impedancja

Napięcie przebicia

Struktura diody

Rodzaj układu cyfrowego

Napięcie zasilania

Liczba wejść

Rodzaj bramki

Napięcie referencyjne

Organizacja pamięci FLASH

Pojemność pamięci SRAM

Liczba wejść/wyjść

Liczba wyjść

Liczba timerów 16bit

Pojemność pamięci RAM

Pojemność pamięci FLASH

Pojemność pamięci EEPROM

Prąd wyzwalania

Rodzaj komparatora

Ilość komparatorów

Ilość portów

Czas propagacji

Rodzaj złącza

Rodzaj układu scalonego

Napięcie znamionowe

Numer katalogowy producenta

Średnica

Średnica zewnętrzna

Średnica wewnętrzna

Montaż / wyprowadzenia

Prąd wyjściowy

Konfiguracja wyjścia

Prąd znamionowy

Liczba timerów 8bit

Liczba przetworników A/D 10bit

Liczba przetworników A/D 12bit

Liczba przerwań zewnętrznych

Liczba komparatorów

Liczba kanałów PWM

Liczba kanałów pojemnościowych

Grubość

Rodzaj wyjścia

CTR

Napięcie sterujące

Rezystancja termiczna

Rezystancja w stanie przewodzenia

Rodzaj napięcia

Przewodność cieplna

Rodzaj opakowania

Obudowa

Montaż elektryczny

Montaż

Montaż mechaniczny

Temperatura pracy

Napięcie dren-źródło

Napięcie

Napięcie Zenera

Czas gotowości

Napięcie wsteczne

Pojemność / masa

Napięcie izolacji

Wysokość

Szerokość

Rodzaj wykończenia

Rodzaj napięcia zasilającego

Maksymalny prąd pracy

Maksymalny prąd wyjściowy

Maksymalny prąd sterujący SSR

Maksymalny prąd przełączania SSR

Długość

Rodzaj stabilizatora

Rodzaj obudowy

Prąd bramki

Prąd

Prąd drenu

Prąd kolektora

Prąd przewodzenia

Prąd pracy

Spadek napięcia

Moc

Napięcie kolektor-emiter

Napięcie wyjściowe

Napięcie wejściowe

Napięcie pracy

Napięcie warystora

Obwód IN/OUT

Rodzaj mikrokontrolera/układu

Rodzaj napięcia wejściowego

Rodzaj napięcia wyjściowego

Rodzaj przetwornicy

Rodzaj sondy

Materiał

Organizacja pamięci

Częstotliwość taktowania

Częstotliwość

Interfejs

Pasmo przenoszenia

Rodzaj napięcia przełączania SSR

Rodzaj wyjścia SSR

Rozdzielczość

Właściwości

Właściwości półprzewodników

Właściwości osprzętu

Wersja przekaźnika SSR

Wyprowadzenia

Wersja mostka prostowniczego

Zakres napięcia zasilającego

Zakres napięcia przełączania SSR

Typ diody 2

Nazwa 2

Dokładność

Opakowanie

Wymiary

Wymiary czujników

Zastosowanie

Liczba nadajników

Liczba odbiorników

Średnica podstawy tulejki

Producent

Rodzaj pamięci

Pamięć

Certyfikaty

DARMOWA PRZESYŁKA

DLA ZAMÓWIEŃ OD 400PLN netto

Oferta dotyczy
całego asortymentu

Półprzewodniki

Sortuj według
Pokaż na stronie
Kod: FQP20N06L
Nazwa: Tranzystor
Symbol: FQP20N06L
Kierunek przewodnictwa: N-MOSFET
Typ tranzystora: unipolarny
Prąd drenu: 21A
Moc: 53W
Napięcie dren-źródło: 60V
Rezystancja w stanie przewodzenia: 7mOhm
Obudowa: TO220
Montaż: THT przewlekany
Właściwości półprzewodników: QFET
Producent: FAIRCHILD
Certyfikaty: RoHS
W magazynie: 6 szt.
3,12 PLN Cena netto
Ilość:
Kod: IRF7319PBF
Nazwa: Tranzystor
Symbol: IRF7319PBF
Kierunek przewodnictwa: N/P-MOSFET
Typ tranzystora: unipolarny
Prąd drenu: 6,5/-4,9A
Moc: 2W
Napięcie dren-źródło: 30/-30V
Rezystancja w stanie przewodzenia: 29/58mOhm
Obudowa: SO8
Montaż: SMD powierzchniowy
Właściwości półprzewodników: HEXFET
Producent: INFINEON
Certyfikaty: RoHS
W magazynie: 12 szt.
2,54 PLN Cena netto
Ilość:
Kod: IRF1010EZPBF
Nazwa: Tranzystor
Symbol: IRF1010EZPBF
Kierunek przewodnictwa: N-MOSFET
Typ tranzystora: unipolarny
Prąd drenu: 84A
Moc: 140W
Napięcie dren-źródło: 60V
Rezystancja w stanie przewodzenia: 8,5mOhm
Obudowa: TO220
Montaż: THT przewlekany
Właściwości półprzewodników: HEXFET
Producent: INFINEON
Certyfikaty: RoHS
W magazynie: 29 szt.
5,33 PLN Cena netto
Ilość:
Kod: SSM6N15FU
Nazwa: Tranzystor
Symbol: SSM6N15FU(T5LFT)
Kierunek przewodnictwa: 2x N-MOSFET
Typ tranzystora: unipolarny
Prąd drenu: 0,1A
Napięcie dren-źródło: 30V
Rezystancja w stanie przewodzenia: 6Ohm
Obudowa: SOT363
Montaż: SMD powierzchniowy
Producent: TOSHIBA
Certyfikaty: RoHS
W magazynie: 16.75 opak.
21,95 PLN / opak. Cena netto
Ilość:
Kod: IRFR4510TRPBF
Nazwa: Tranzystor
Symbol: IRFR4510TRPBF
Kierunek przewodnictwa: N-MOSFET
Typ tranzystora: unipolarny
Prąd drenu: 63A
Moc: 143W
Napięcie dren-źródło: 100V
Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,0139Ohm
Obudowa: DPAK (TO252)
Montaż: SMD powierzchniowy
Właściwości półprzewodników: HEXFET
Producent: INFINEON
Certyfikaty: RoHS
W magazynie: 1924 szt.
3,66 PLN Cena netto
Ilość:
Kod: IRF3808S
Nazwa: Tranzystor
Symbol: IRF3808S
Kierunek przewodnictwa: N-MOSFET
Typ tranzystora: unipolarny
Prąd drenu: 106A
Moc: 200W
Napięcie dren-źródło: 75V
Rezystancja w stanie przewodzenia: 7mOhm
Obudowa: D2PAK (TO263)
Montaż: SMD powierzchniowy
Właściwości półprzewodników: HEXFET
Producent: INFINEON
Certyfikaty: RoHS
W magazynie: 8 szt.
7,16 PLN Cena netto
Ilość:
Kod: TPA6132A2RTER
Nazwa: Układ audio
Symbol: TPA6132A2RTER
Typ układu scalonego: wzmacniacz audio
Moc: 25mW
Napięcie zasilania: 2,3-5,5V
Obudowa: QFN16
Montaż: SMD powierzchniowy
Liczba kanałów: 2 kanały
Impedancja: 16Ohm
Producent: TEXAS INSTRUMENTS
Certyfikaty: RoHS
W magazynie: 8.06 opak.
447,15 PLN / opak. Cena netto
Ilość:
Kod: NTTFS4821NTAG
Nazwa: Tranzystor
Symbol: NTTFS4821NTAG
Kierunek przewodnictwa: N-MOSFET
Typ tranzystora: unipolarny
Prąd drenu: 57A
Moc: 4,1W
Napięcie dren-źródło: 30V
Obudowa: WDFN-8
Montaż: SMD powierzchniowy
Producent: ON SEMICONDUCTOR
Certyfikaty: RoHS
W magazynie: 1460 szt.
2,20 PLN Cena netto
Ilość:
Kod: BSP149H6327
Nazwa: Tranzystor
Symbol: BSP149H6327
Kierunek przewodnictwa: N-MOSFET
Typ tranzystora: unipolarny
Prąd drenu: 0,53A
Moc: 1,8W
Napięcie dren-źródło: 200V
Obudowa: SOT223
Montaż: SMD powierzchniowy
Producent: INFINEON
Certyfikaty: RoHS
W magazynie: 15.8 opak.
141,67 PLN / opak. Cena netto
Ilość:
Kod: IRFPS40N50LPBF
Nazwa: Tranzystor
Symbol: IRFPS40N50LPBF
Kierunek przewodnictwa: N-MOSFET
Typ tranzystora: unipolarny
Prąd drenu: 29A
Moc: 540W
Napięcie dren-źródło: 500V
Rezystancja w stanie przewodzenia: 100mOhm
Obudowa: SUPER247
Montaż: THT przewlekany
Producent: VISHAY SILICONIX
Certyfikaty: RoHS
W magazynie: 1 szt.
32,83 PLN Cena netto
Ilość:
Kod: IRF610
Nazwa: Tranzystor
Symbol: IRF610
Kierunek przewodnictwa: N-MOSFET
Typ tranzystora: unipolarny
Prąd drenu: 2,1A
Moc: 36W
Napięcie dren-źródło: 200V
Rezystancja w stanie przewodzenia: 1,5Ohm
Obudowa: TO220
Montaż: THT przewlekany
Certyfikaty: RoHS
W magazynie: 45 szt.
1,49 PLN Cena netto
Ilość:
Kod: SI4124DY-T1-GE3
Nazwa: Tranzystor
Symbol: SI4124DY-T1-GE3
Kierunek przewodnictwa: N-MOSFET
Typ tranzystora: unipolarny
Prąd drenu: 17A
Moc: 5W
Napięcie dren-źródło: 30V
Rezystancja w stanie przewodzenia: 9,5mOhm
Obudowa: SO8
Montaż: SMD powierzchniowy
Producent: VISHAY
Certyfikaty: RoHS
W magazynie: 14.31 opak.
162,60 PLN / opak. Cena netto
Ilość:
Kod: IRFPS40N60KPBF
Nazwa: Tranzystor
Symbol: IRFPS40N60K
Kierunek przewodnictwa: N-MOSFET
Typ tranzystora: unipolarny
Prąd drenu: 24A
Moc: 570W
Napięcie dren-źródło: 600V
Rezystancja w stanie przewodzenia: 130mOhm
Obudowa: SUPER247
Montaż: THT przewlekany
Certyfikaty: RoHS
W magazynie: 9 szt.
32,00 PLN Cena netto
Ilość:
Kod: BUK7Y102-100B
Nazwa: Tranzystor
Symbol: BUK7Y102-100B
Kierunek przewodnictwa: N-MOSFET
Typ tranzystora: unipolarny
Prąd drenu: 15A
Moc: 60W
Napięcie dren-źródło: 100V
Rezystancja w stanie przewodzenia: 102mOhm
Obudowa: SOT669-5
Montaż: SMD powierzchniowy
Producent: NEXPERIA
Certyfikaty: RoHS
W magazynie: 3285 szt.
1,22 PLN Cena netto
Ilość:
Kod: FDS8958A
Nazwa: Tranzystor
Symbol: FDS8958A
Kierunek przewodnictwa: N/P-MOSFET
Typ tranzystora: unipolarny
Prąd drenu: 7/-5A
Napięcie dren-źródło: 30/-30V
Rezystancja w stanie przewodzenia: 40/80mOhm
Obudowa: SO8
Montaż: SMD powierzchniowy
Certyfikaty: RoHS
W magazynie: 37 szt.
1,98 PLN Cena netto
Ilość:
Kod: LGE2300
Nazwa: Tranzystor
Kierunek przewodnictwa: N-MOSFET
Typ tranzystora: unipolarny
Prąd drenu: 4A
Moc: 1,25W
Napięcie dren-źródło: 20V
Rezystancja w stanie przewodzenia: 32mOhm
Obudowa: SOT23
Montaż: SMD powierzchniowy
W magazynie: 5.94 opak.
23,11 PLN / opak. Cena netto
Ilość:
Kod: IRLR8726PBF
Nazwa: Tranzystor
Symbol: IRLR8726PBF
Kierunek przewodnictwa: N-MOSFET
Typ tranzystora: unipolarny
Prąd drenu: 86A
Moc: 75W
Napięcie dren-źródło: 30V
Rezystancja w stanie przewodzenia: 5,8mOhm
Obudowa: DPAK (TO252)
Montaż: SMD powierzchniowy
Certyfikaty: RoHS
W magazynie: 239 szt.
2,07 PLN Cena netto
Ilość:
Kod: MMBF170LT1G
Nazwa: Tranzystor
Symbol: MMBF170LT1G
Kierunek przewodnictwa: N-MOSFET
Typ tranzystora: unipolarny
Prąd drenu: 500mA
Moc: 225mW
Napięcie dren-źródło: 60V
Rezystancja w stanie przewodzenia: 5Ohm
Obudowa: SOT23
Montaż: SMD powierzchniowy
Certyfikaty: RoHS
W magazynie: 16.9 opak.
15,67 PLN / opak. Cena netto
Ilość:
Kod: IRFP3006PBF
Nazwa: Tranzystor
Symbol: IRFP3006PBF
Kierunek przewodnictwa: N-MOSFET
Typ tranzystora: unipolarny
Prąd drenu: 195A
Moc: 375W
Napięcie dren-źródło: 60V
Rezystancja w stanie przewodzenia: 2,1mOhm
Obudowa: TO247
Montaż: THT przewlekany
Certyfikaty: RoHS
W magazynie: 7 szt.
27,98 PLN Cena netto
Ilość:
Kod: IRFB4110GPBF
Nazwa: Tranzystor
Symbol: IRFB4110GPBF
Kierunek przewodnictwa: N-MOSFET
Typ tranzystora: unipolarny
Prąd drenu: 130A
Moc: 370W
Napięcie dren-źródło: 100V
Rezystancja w stanie przewodzenia: 4,5mOhm
Obudowa: TO220AB
Montaż: THT przewlekany
Certyfikaty: RoHS
Niedostępny
11,70 PLN Cena netto
Kod: FQD7N20LTM
Nazwa: Tranzystor
Symbol: FQD7N20LTM
Kierunek przewodnictwa: N-MOSFET
Typ tranzystora: unipolarny
Prąd drenu: 5,5A
Moc: 45W
Napięcie dren-źródło: 200V
Rezystancja w stanie przewodzenia: 450mOhm
Obudowa: DPAK (TO252)
Montaż: SMD powierzchniowy
Producent: ON SEMICONDUCTOR
Certyfikaty: RoHS
W magazynie: 2498 szt.
2,68 PLN Cena netto
Ilość:
Kod: 2N7002
Nazwa: Tranzystor
Symbol: 2N7002
Kierunek przewodnictwa: N-MOSFET
Typ tranzystora: unipolarny
Prąd drenu: 0,21A
Moc: 300mW
Napięcie dren-źródło: 60V
Rezystancja w stanie przewodzenia: 7,5Ohm
Obudowa: SOT23
Montaż: SMD powierzchniowy
Certyfikaty: RoHS
W magazynie: 7.82 opak.
9,42 PLN / opak. Cena netto
Ilość:
Kod: STW45NM60
Nazwa: Tranzystor
Symbol: STW45NM60
Kierunek przewodnictwa: N-MOSFET
Typ tranzystora: unipolarny
Prąd drenu: 45A
Moc: 417W
Napięcie dren-źródło: 650V
Rezystancja w stanie przewodzenia: 110mOhm
Obudowa: TO247
Montaż: THT przewlekany
Certyfikaty: RoHS
W magazynie: 1 szt.
73,13 PLN Cena netto
Ilość:
Kod: IRFP460LC
Nazwa: Tranzystor
Symbol: IRFP460LC
Kierunek przewodnictwa: N-MOSFET
Typ tranzystora: unipolarny
Prąd drenu: 20A
Moc: 280W
Napięcie dren-źródło: 500V
Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,27Ohm
Obudowa: TO247
Montaż: THT przewlekany
Producent: VISHAY SILICONIX
Certyfikaty: RoHS
W magazynie: 15 szt.
13,17 PLN Cena netto
Ilość:
Kod: PLY141
Nazwa: Programator AVR
Symbol: PLY141
Typ układu scalonego: mikrokontroler
Rodzaj złącza: USB, KANDA
Interfejs: USB, ISP, AVR, ASP
Certyfikaty: RoHS
W magazynie: 5 szt.
17,76 PLN Cena netto
Ilość:
Kod: IRFZ34N
Nazwa: Tranzystor
Symbol: IRFZ34N
Kierunek przewodnictwa: N-MOSFET
Typ tranzystora: unipolarny
Prąd drenu: 26A
Moc: 56W
Napięcie dren-źródło: 55V
Rezystancja w stanie przewodzenia: 40mOhm
Obudowa: TO220
Montaż: THT przewlekany
Właściwości półprzewodników: HEXFET
Certyfikaty: RoHS
W magazynie: 57 szt.
2,75 PLN Cena netto
Ilość:
Kod: STD18N55M5
Nazwa: Tranzystor
Symbol: STD18N55M5
Kierunek przewodnictwa: N-MOSFET
Typ tranzystora: unipolarny
Prąd drenu: 16A
Moc: 110W
Napięcie dren-źródło: 600V
Rezystancja w stanie przewodzenia: 192mOhm
Obudowa: DPAK (TO252)
Montaż: SMD powierzchniowy
Producent: STMicroelectronics
Certyfikaty: RoHS
W magazynie: 30 szt.
15,84 PLN Cena netto
Ilość:
Kod: IRF450
Nazwa: Tranzystor
Symbol: IRF450
Kierunek przewodnictwa: N-MOSFET
Typ tranzystora: unipolarny
Obudowa: TO3
Montaż: THT przewlekany
Niedostępny
39,84 PLN Cena netto
Kod: IRFD120
Nazwa: Tranzystor
Symbol: IRFD120
Kierunek przewodnictwa: N-MOSFET
Typ tranzystora: unipolarny
Prąd drenu: 0,94A
Moc: 1,3W
Napięcie dren-źródło: 100V
Obudowa: DIP04
Montaż: THT przewlekany
Producent: VISHAY
Certyfikaty: RoHS
W magazynie: 33 szt.
2,36 PLN Cena netto
Ilość:
Kod: IRFL014NPBF
Nazwa: Tranzystor
Symbol: IRFL014NPBF
Kierunek przewodnictwa: N-MOSFET
Typ tranzystora: unipolarny
Prąd drenu: 1,9A
Moc: 2,1W
Napięcie dren-źródło: 55V
Obudowa: SOT223
Montaż: SMD powierzchniowy
Certyfikaty: RoHS
W magazynie: 16 szt.
2,03 PLN Cena netto
Ilość:
Kod: IRFL024NPBF
Nazwa: Tranzystor
Symbol: IRFL024N
Kierunek przewodnictwa: N-MOSFET
Typ tranzystora: unipolarny
Prąd drenu: 4A
Moc: 2,1W
Napięcie dren-źródło: 55V
Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,075Ohm
Obudowa: SOT223
Montaż elektryczny: SMD powierzchniowy
Montaż: SMD powierzchniowy
Właściwości półprzewodników: HEXFET
Certyfikaty: RoHS
W magazynie: 48 szt.
1,47 PLN Cena netto
Ilość:
Kod: IRFPC50PBF
Nazwa: Tranzystor
Symbol: IRFPC50
Kierunek przewodnictwa: N-MOSFET
Typ tranzystora: unipolarny
Prąd drenu: 7A
Moc: 180W
Napięcie dren-źródło: 600V
Rezystancja w stanie przewodzenia: 600mOhm
Obudowa: TO247
Montaż: THT przewlekany
Certyfikaty: RoHS
W magazynie: 10 szt.
10,88 PLN Cena netto
Ilość:
Kod: IRFPF50PBF
Nazwa: Tranzystor
Symbol: IRFPF50
Kierunek przewodnictwa: N-MOSFET
Typ tranzystora: unipolarny
Rezystancja: 1,6Ohm
Prąd drenu: 4,2A
Moc: 190W
Napięcie dren-źródło: 900V
Rezystancja w stanie przewodzenia: 1,6Ohm
Obudowa: TO247
Montaż: THT przewlekany
Certyfikaty: RoHS
W magazynie: 6 szt.
16,48 PLN Cena netto
Ilość:
Kod: AUIRFZ44NSPBF
Nazwa: Tranzystor
Symbol: AUIRFZ44NSPBF
Kierunek przewodnictwa: N-MOSFET
Typ tranzystora: unipolarny
Prąd drenu: 49A
Moc: 94W
Napięcie dren-źródło: 55V
Rezystancja w stanie przewodzenia: 17,5mOhm
Obudowa: D2PAK (TO263)
Montaż: SMD powierzchniowy
Właściwości półprzewodników: HEXFET
Certyfikaty: RoHS
W magazynie: 29 szt.
7,52 PLN Cena netto
Ilość:
Kod: IRFB3206PBF
Nazwa: Tranzystor
Symbol: IRFB3206PBF
Kierunek przewodnictwa: N-MOSFET
Typ tranzystora: unipolarny
Prąd drenu: 150A
Moc: 300W
Napięcie dren-źródło: 60V
Rezystancja w stanie przewodzenia: 3mOhm
Obudowa: TO220
Montaż: THT przewlekany
Właściwości półprzewodników: HEXFET
Certyfikaty: RoHS
W magazynie: 18 szt.
8,90 PLN Cena netto
Ilość:
Kod: AO3418
Nazwa: Tranzystor
Symbol: AO3418
Kierunek przewodnictwa: N-MOSFET
Typ tranzystora: unipolarny
Prąd drenu: 3,1A
Moc: 1,4W
Napięcie dren-źródło: 30V
Rezystancja w stanie przewodzenia: 55mOhm
Obudowa: SOT23
Montaż: SMD powierzchniowy
Certyfikaty: RoHS
W magazynie: 90 szt.
54,45 PLN / opak. Cena netto
Ilość:
szt.
Kod: WMP04N70C2
Nazwa: Tranzystor
Symbol: WMP04N70C2
Kierunek przewodnictwa: N-MOSFET
Typ tranzystora: unipolarny
Prąd drenu: 2,6A
Moc: 29W
Napięcie dren-źródło: 700V
Rezystancja w stanie przewodzenia: 2,45Ohm
Obudowa: IPAK (TO251)
Montaż: THT przewlekany
Producent: WAYON
Certyfikaty: RoHS
W magazynie: 20 szt.
1,46 PLN Cena netto
Ilość:
Kod: AO3438
Nazwa: Tranzystor
Symbol: AO3438
Kierunek przewodnictwa: N-MOSFET
Typ tranzystora: unipolarny
Prąd drenu: 3A
Moc: 1,4W
Napięcie dren-źródło: 20V
Rezystancja w stanie przewodzenia: 62mOhm
Obudowa: SOT23
Montaż: SMD powierzchniowy
Certyfikaty: RoHS
W magazynie: 60.64 opak.
25,20 PLN / opak. Cena netto
Ilość:
Kod: WML10N80M3
Nazwa: Tranzystor
Symbol: WML10N80M3
Kierunek przewodnictwa: N-MOSFET
Typ tranzystora: unipolarny
Prąd drenu: 10A
Moc: 31W
Napięcie dren-źródło: 800V
Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,86Ohm
Obudowa: TO220FP
Montaż: THT przewlekany
Certyfikaty: RoHS
W magazynie: 1 szt.
4,25 PLN Cena netto
Ilość:
Kod: F10NK60
Nazwa: Tranzystor
Symbol: F10NK60
Kierunek przewodnictwa: N-MOSFET
Typ tranzystora: unipolarny
Prąd drenu: 10A
Moc: 35W
Napięcie dren-źródło: 600V
Rezystancja w stanie przewodzenia: 750mOhm
Obudowa: TO220FP
Montaż: THT przewlekany
Producent: WXDH
Certyfikaty: RoHS
W magazynie: 24 szt.
2,82 PLN Cena netto
Ilość:
Kod: STP110N7F6
Nazwa: Tranzystor
Symbol: STP110N7F6
Kierunek przewodnictwa: N-MOSFET
Typ tranzystora: unipolarny
Prąd drenu: 110A
Moc: 176W
Napięcie dren-źródło: 68V
Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,0065Ohm
Obudowa: TO220
Montaż: THT przewlekany
Właściwości półprzewodników: STripFET F6
Producent: STMicroelectronics
Certyfikaty: RoHS
Niedostępny
5,89 PLN Cena netto
Kod: IRL1404ZSTRLPBF
Nazwa: Tranzystor
Symbol: IRL1404ZSTRLPBF
Kierunek przewodnictwa: N-MOSFET
Typ tranzystora: unipolarny
Prąd drenu: 120A
Moc: 230W
Napięcie dren-źródło: 40V
Rezystancja w stanie przewodzenia: 3,1mOhm
Obudowa: D2PAK (TO263)
Montaż: SMD powierzchniowy
Właściwości półprzewodników: logic level
Certyfikaty: RoHS
W magazynie: 20 szt.
7,73 PLN Cena netto
Ilość:
Kod: STP4NK80Z
Nazwa: Tranzystor
Symbol: STP4NK80Z
Kierunek przewodnictwa: N-MOSFET
Typ tranzystora: unipolarny
Prąd drenu: 3A
Moc: 80W
Napięcie dren-źródło: 800V
Obudowa: TO220
Montaż: THT przewlekany
Certyfikaty: RoHS
W magazynie: 28 szt.
3,42 PLN Cena netto
Ilość:
Kod: STP80NF12
Nazwa: Tranzystor
Symbol: STP80NF12
Kierunek przewodnictwa: N-MOSFET
Typ tranzystora: unipolarny
Prąd drenu: 60A
Moc: 300W
Napięcie dren-źródło: 120V
Rezystancja w stanie przewodzenia: 18mOhm
Obudowa: TO220
Montaż: THT przewlekany
Certyfikaty: RoHS
W magazynie: 81 szt.
9,92 PLN Cena netto
Ilość:
Kod: 2SK2835
Nazwa: Tranzystor
Symbol: 2SK2835
Kierunek przewodnictwa: N-MOSFET
Typ tranzystora: unipolarny
Prąd drenu: 5A
Moc: 1,3W
Napięcie dren-źródło: 200V
Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,8Ohm
Obudowa: 2-8M1B
Montaż: THT przewlekany
Niedostępny
0,81 PLN Cena netto
Kod: FQP9N30
Nazwa: Tranzystor
Symbol: FQP9N30
Kierunek przewodnictwa: N-MOSFET
Typ tranzystora: unipolarny
Prąd drenu: 9A
Moc: 98W
Napięcie dren-źródło: 300V
Rezystancja w stanie przewodzenia: 450mOhm
Obudowa: TO220
Montaż: THT przewlekany
Producent: ON SEMICONDUCTOR
Certyfikaty: RoHS
W magazynie: 10 szt.
6,93 PLN Cena netto
Ilość:
Kod: SIR164DP-GE3
Nazwa: Tranzystor
Symbol: SIR164DP-GE3
Kierunek przewodnictwa: N-MOSFET
Typ tranzystora: unipolarny
Prąd drenu: 50A
Moc: 69W
Napięcie dren-źródło: 30V
Rezystancja w stanie przewodzenia: 2,5mOhm
Obudowa: PowerPAK-SO-8
Montaż: SMD powierzchniowy
Producent: VISHAY
Certyfikaty: RoHS
Niedostępny
7,71 PLN Cena netto
Kod: IRL2910PBF
Nazwa: Tranzystor
Symbol: IRL2910PBF
Kierunek przewodnictwa: N-MOSFET
Typ tranzystora: unipolarny
Prąd drenu: 48A
Moc: 200W
Napięcie dren-źródło: 100V
Rezystancja w stanie przewodzenia: 26mOhm
Obudowa: TO220
Montaż: THT przewlekany
Certyfikaty: RoHS
W magazynie: 6 szt.
7,21 PLN Cena netto
Ilość:
Kod: IRFB7545PBF
Nazwa: Tranzystor
Symbol: IRFB7545PBF
Kierunek przewodnictwa: N-MOSFET
Typ tranzystora: unipolarny
Prąd drenu: 95A
Moc: 125W
Napięcie dren-źródło: 60V
Rezystancja w stanie przewodzenia: 5,9mOhm
Obudowa: TO220
Montaż: THT przewlekany
Właściwości półprzewodników: HEXFET
Producent: IRF
Certyfikaty: RoHS
W magazynie: 30 szt.
3,49 PLN Cena netto
Ilość:
Kod: IPD034N06N3GATMA1
Nazwa: Tranzystor
Symbol: IPD034N06N3GATMA1
Kierunek przewodnictwa: N-MOSFET
Typ tranzystora: unipolarny
Prąd drenu: 100A
Moc: 167W
Napięcie dren-źródło: 60V
Rezystancja w stanie przewodzenia: 3,4mOhm
Obudowa: DPAK (TO252)
Montaż: SMD powierzchniowy
Właściwości półprzewodników: OptiMOS 2
Producent: INFINEON
Certyfikaty: RoHS
Niedostępny
5,43 PLN Cena netto
Kod: IRFR8314TRPBF
Nazwa: Tranzystor
Symbol: IRFR8314TRPBF
Kierunek przewodnictwa: N-MOSFET
Typ tranzystora: unipolarny
Prąd drenu: 127A
Moc: 125W
Napięcie dren-źródło: 30V
Rezystancja w stanie przewodzenia: 3,1mOhm
Obudowa: DPAK (TO252)
Montaż: SMD powierzchniowy
Właściwości półprzewodników: HEXFET
Producent: INFINEON
Certyfikaty: RoHS
W magazynie: 53 szt.
5,54 PLN Cena netto
Ilość:
Kod: VN0104N3-G
Nazwa: Tranzystor
Symbol: VN0104N3-G
Kierunek przewodnictwa: N-MOSFET
Typ tranzystora: unipolarny
Prąd drenu: 2A
Moc: 1W
Napięcie dren-źródło: 40V
Rezystancja w stanie przewodzenia: 3Ohm
Obudowa: TO92
Montaż: THT przewlekany
Producent: MICROCHIP
Certyfikaty: RoHS
Niedostępny
3,17 PLN Cena netto
Kod: IRFS4410
Nazwa: Tranzystor
Symbol: IRFS4410
Kierunek przewodnictwa: N-MOSFET
Typ tranzystora: unipolarny
Prąd drenu: 96A
Moc: 250W
Napięcie dren-źródło: 100V
Rezystancja w stanie przewodzenia: 8mOhm
Obudowa: D2PAK (TO263)
Montaż: SMD powierzchniowy
Certyfikaty: RoHS
W magazynie: 4 szt.
11,63 PLN Cena netto
Ilość:
Kod: AOTF25S65
Nazwa: Tranzystor
Symbol: AOTF25S65
Kierunek przewodnictwa: N-MOSFET
Typ tranzystora: unipolarny
Prąd drenu: 16A
Moc: 50W
Napięcie dren-źródło: 650V
Rezystancja w stanie przewodzenia: 190mOhm
Obudowa: TO220FP
Montaż: THT przewlekany
Certyfikaty: RoHS
W magazynie: 16 szt.
13,95 PLN Cena netto
Ilość:
Kod: IRLR3114ZTRPBF
Nazwa: Tranzystor
Symbol: IRLR3114ZTRPBF
Kierunek przewodnictwa: N-MOSFET
Typ tranzystora: unipolarny
Prąd drenu: 130A
Moc: 140W
Napięcie dren-źródło: 40V
Rezystancja w stanie przewodzenia: 4,9mOhm
Obudowa: DPAK (TO252)
Montaż: SMD powierzchniowy
Właściwości półprzewodników: HEXFET; logic level
Producent: INFINEON
Certyfikaty: RoHS
Niedostępny
6,17 PLN Cena netto
Kod: STD30NF06L
Nazwa: Tranzystor
Symbol: STD30NF06L
Kierunek przewodnictwa: N-MOSFET
Typ tranzystora: unipolarny
Prąd drenu: 25A
Moc: 70W
Napięcie dren-źródło: 60V
Rezystancja w stanie przewodzenia: 28mOhm
Obudowa: DPAK (TO252)
Montaż: SMD powierzchniowy
Właściwości półprzewodników: ESD protected gate
Producent: STMicroelectronics
Certyfikaty: RoHS
W magazynie: 68 szt.
7,48 PLN Cena netto
Ilość:
Kod: IRLR3114ZPBF
Nazwa: Tranzystor
Symbol: IRLR3114ZPBF
Kierunek przewodnictwa: N-MOSFET
Typ tranzystora: unipolarny
Prąd drenu: 130A
Moc: 140W
Napięcie dren-źródło: 40V
Rezystancja w stanie przewodzenia: 4,5mOhm
Obudowa: DPAK (TO252)
Montaż: SMD powierzchniowy
Właściwości półprzewodników: HEXFET; logic level
Producent: INFINEON
Certyfikaty: RoHS
W magazynie: 83 szt.
5,97 PLN Cena netto
Ilość:
Kod: IPB50N10S3L16
Nazwa: Tranzystor
Symbol: IPB50N10S3L16
Kierunek przewodnictwa: N-MOSFET
Typ tranzystora: unipolarny
Prąd drenu: 50A
Moc: 100W
Napięcie dren-źródło: 100V
Rezystancja w stanie przewodzenia: 15,4mOhm
Obudowa: D2PAK (TO263)
Montaż: SMD powierzchniowy
Producent: INFINEON
Certyfikaty: RoHS
W magazynie: 18 szt.
8,58 PLN Cena netto
Ilość:
Kod: HUF75344S3
Nazwa: Tranzystor
Symbol: HUF75344S3
Kierunek przewodnictwa: N-MOSFET
Typ tranzystora: unipolarny
Prąd drenu: 80A
Moc: 150W
Napięcie dren-źródło: 80V
Rezystancja w stanie przewodzenia: 3mOhm
Obudowa: D2PAK (TO263)
Montaż: THT przewlekany
Certyfikaty: RoHS
Niedostępny
5,78 PLN Cena netto
Kod: IRFI840GLC
Nazwa: Tranzystor
Symbol: IRFI840GLC
Kierunek przewodnictwa: N-MOSFET
Typ tranzystora: unipolarny
Prąd drenu: 2,9A
Moc: 40W
Napięcie dren-źródło: 500V
Rezystancja w stanie przewodzenia: 850mOhm
Obudowa: TO220FP
Montaż: THT przewlekany
Producent: VISHAY
Certyfikaty: RoHS
W magazynie: 10 szt.
4,20 PLN Cena netto
Ilość:
Kod: IRFI840G
Nazwa: Tranzystor
Symbol: IRFI840G
Kierunek przewodnictwa: N-MOSFET
Typ tranzystora: unipolarny
Prąd drenu: 2,9A
Moc: 40W
Napięcie dren-źródło: 500V
Rezystancja w stanie przewodzenia: 850mOhm
Obudowa: TO220FP
Montaż: THT przewlekany
Producent: VISHAY
Certyfikaty: RoHS
W magazynie: 70 szt.
5,66 PLN Cena netto
Ilość:
Kod: IRL1404ZPBF
Nazwa: Tranzystor
Symbol: IRL1404Z
Kierunek przewodnictwa: N-MOSFET
Typ tranzystora: unipolarny
Prąd drenu: 120A
Moc: 230W
Napięcie dren-źródło: 40V
Rezystancja w stanie przewodzenia: 3,1mOhm
Obudowa: TO220
Montaż: THT przewlekany
Producent: INFINEON
Certyfikaty: RoHS
W magazynie: 13 szt.
9,87 PLN Cena netto
Ilość:
Kod: IRFB4510PBF
Nazwa: Tranzystor
Symbol: IRFB4510PBF
Kierunek przewodnictwa: N-MOSFET
Typ tranzystora: unipolarny
Prąd drenu: 62A
Moc: 140W
Napięcie dren-źródło: 100V
Rezystancja w stanie przewodzenia: 13,5mOhm
Obudowa: TO220
Montaż: THT przewlekany
Właściwości półprzewodników: HEXFET
Producent: INFINEON
Certyfikaty: RoHS
W magazynie: 25 szt.
5,45 PLN Cena netto
Ilość:
Kod: STD14NM50N
Nazwa: Tranzystor
Symbol: STD14NM50N
Kierunek przewodnictwa: N-MOSFET
Typ tranzystora: unipolarny
Prąd drenu: 12A
Moc: 90W
Napięcie dren-źródło: 550V
Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,32Ohm
Obudowa: DPAK (TO252)
Montaż: SMD powierzchniowy
Producent: STMicroelectronics
Certyfikaty: RoHS
Niedostępny
9,76 PLN Cena netto
Kod: STP110N10F7
Nazwa: Tranzystor
Symbol: STP110N10F7
Kierunek przewodnictwa: N-MOSFET
Typ tranzystora: unipolarny
Prąd drenu: 110A
Moc: 150W
Napięcie dren-źródło: 100V
Rezystancja w stanie przewodzenia: 7mOhm
Obudowa: TO220
Montaż: THT przewlekany
Właściwości półprzewodników: STripFET
Producent: STMicroelectronics
Certyfikaty: RoHS
W magazynie: 6 szt.
19,78 PLN Cena netto
Ilość:
Kod: IRF3710Z
Nazwa: Tranzystor
Symbol: IRF3710Z
Kierunek przewodnictwa: N-MOSFET
Typ tranzystora: unipolarny
Prąd drenu: 59A
Moc: 160W
Napięcie dren-źródło: 100V
Rezystancja w stanie przewodzenia: 18mOhm
Obudowa: TO220
Montaż: THT przewlekany
Właściwości półprzewodników: HEXFET
Producent: INFINEON
Certyfikaty: RoHS
W magazynie: 4 szt.
6,12 PLN Cena netto
Ilość:
Kod: IRL540N
Nazwa: Tranzystor
Symbol: IRL540N
Kierunek przewodnictwa: N-MOSFET
Typ tranzystora: unipolarny
Prąd drenu: 36A
Moc: 140W
Napięcie dren-źródło: 100V
Rezystancja w stanie przewodzenia: 44mOhm
Obudowa: TO220
Montaż: THT przewlekany
Właściwości półprzewodników: HEXFET
Producent: INFINEON
Certyfikaty: RoHS
W magazynie: 40 szt.
4,41 PLN Cena netto
Ilość:
Kod: IRL540NSTRL
Nazwa: Tranzystor
Symbol: IRL540NSTRL
Typ tranzystora: unipolarny
Prąd drenu: 36A
Moc: 3,8W
Rezystancja w stanie przewodzenia: 44mOhm
Obudowa: D2PAK (TO263)
Montaż: SMD powierzchniowy
Właściwości półprzewodników: logic level
Producent: INFINEON
Certyfikaty: RoHS
W magazynie: 5 szt.
7,36 PLN Cena netto
Ilość:
Kod: IRFP150M
Nazwa: Tranzystor
Symbol: IRFP150M
Kierunek przewodnictwa: N-MOSFET
Typ tranzystora: unipolarny
Prąd drenu: 42A
Moc: 160W
Napięcie dren-źródło: 100V
Rezystancja w stanie przewodzenia: 36mOhm
Obudowa: TO247
Montaż: THT przewlekany
Właściwości półprzewodników: HEXFET
Producent: INFINEON
Certyfikaty: RoHS
W magazynie: 17 szt.
7,23 PLN Cena netto
Ilość:
Kod: 2SK2698
Nazwa: Tranzystor
Symbol: 2SC2698
Kierunek przewodnictwa: N-MOSFET
Typ tranzystora: unipolarny
Prąd drenu: 15A
Moc: 150W
Napięcie dren-źródło: 500V
Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,4Ohm
Obudowa: 2-16C1B
Montaż: THT przewlekany
Producent: TOSHIBA
Certyfikaty: RoHS
Niedostępny
9,69 PLN Cena netto
Kod: IRL530NSPBF
Nazwa: Tranzystor
Symbol: IRL530NSPBF
Kierunek przewodnictwa: N-MOSFET
Typ tranzystora: unipolarny
Prąd drenu: 17A
Moc: 3,8W
Napięcie dren-źródło: 100V
Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,1Ohm
Obudowa: D2PAK (TO263)
Montaż: SMD powierzchniowy
Właściwości półprzewodników: HEXFET
Producent: INFINEON
Certyfikaty: RoHS
W magazynie: 21 szt.
3,23 PLN Cena netto
Ilość:
Kod: IPP65R150CFDXKSA
Nazwa: Tranzystor
Symbol: IPP65R150CFDXKSA
Kierunek przewodnictwa: N-MOSFET
Typ tranzystora: unipolarny
Prąd drenu: 22,4A
Moc: 195,3W
Napięcie dren-źródło: 650V
Rezystancja w stanie przewodzenia: 150mOhm
Obudowa: TO220
Montaż: THT przewlekany
Właściwości półprzewodników: CoolMOS™
Producent: INFINEON
Certyfikaty: RoHS
W magazynie: 24 szt.
12,25 PLN Cena netto
Ilość:
Pokaż na stronie

Półprzewodniki

Półprzewodniki, czyli komponenty elektroniczne bazujące na materiałach o zmiennej konduktywności, są kluczowymi elementami wielu urządzeń elektronicznych. Dzięki domieszkowaniu kryształów takich substancji jak krzem czy german, można uzyskać półprzewodniki typu n (z nadmiarem elektronów) oraz typu p (z niedoborem elektronów). To połączenie umożliwia tworzenie różnorodnych układów, takich jak złącza typu p-n czy tranzystory bipolarne.
Wśród tranzystorów unipolarnych, popularnością cieszą się FET-y, w których sterowanie prądem odbywa się poprzez zmianę napięcia źródło-bramka. Tranzystory MOSFET, izolowane od pozostałych wyprowadzeń, charakteryzują się szybkością działania i mikroskopijnymi rozmiarami. Technologia CMOS natomiast, oparta na łączeniu MOSFET-ów w pary, jest podstawą elektroniki cyfrowej i produkcji układów scalonych, pamięci oraz mikroprocesorów.
Zrozumienie podstawowych zasad działania półprzewodników jest kluczowe dla pracy z elektroniką. Głębsze poznanie ich funkcji i charakterystyki pozwala na efektywne projektowanie i wykorzystanie różnorodnych produktów dostępnych na rynku.

PONAD 3000 ELEMENTÓW PÓŁPRZEWODNIKOWYCH

Elektronika to dziedzina, która skupia się głównie na obwodach elektrycznych zbudowanych z użyciem półprzewodników. W katalogu ELEKTRONIKSC znajdziesz ponad 3000 produktów związanych z elementami półprzewodnikowymi. Przejrzyjmy teraz szybko ten asortyment, z wyróżnieniem najważniejszych podgrup.

- DIODY

- MOSTKI PROSTOWNICZE

TRANZYSTORY

- UKŁADY SCALONE

Dzięki stałemu postępowi technologicznemu dzisiejsze urządzenia są coraz bardziej zaawansowane, co wymaga zastosowania najnowocześniejszych komponentów. Wśród nich, szczególne miejsce zajmują podzespoły oparte na technologii półprzewodnikowej. Są one fundamentem wielu obwodów i systemów, wpływając na ich efektywność, szybkość działania oraz niezawodność. W tej kategorii zgromadziliśmy bogaty asortyment elementów, który obejmuje tranzystory, diody, układy scalone i wiele innych, kluczowych dla współczesnej elektroniki komponentów. Oferowane przez nas podzespoły elektroniczne pochodzą od sprawdzonych dostawców, co gwarantuje ich wysoką jakość i długotrwałą pracę.

 

Sprzęt dla każdego

Kategoria ta jest dedykowana zarówno profesjonalistom, jak i amatorom elektroniki, którzy poszukują niezawodnych i efektywnych rozwiązań do swoich projektów. Oferujemy półprzewodnik oraz dedykowane do niego wsparcie techniczne i pomoc w doborze odpowiednich rozwiązań, aby nasi klienci mogli w pełni wykorzystać potencjał półprzewodników w swoich aplikacjach. Zapraszamy do zapoznania się z naszym asortymentem i wyboru podzespołów elektronicznych, które pomogą zrealizować najbardziej ambitne projekty.