Półprzewodniki - Ceny - Wybór - Zakupy na ELEKTRONIKSC

Jesteś tutaj:
Strona główna
›
Produkty
›
Półprzewodniki

Tranzystor; FQP9N30; N-MOSFET; 9A; 98W; 300V; 450mOhm; TO220; THT; ON Semiconductor; RoHS

Kod: FQP9N30

Nazwa: Tranzystor

Symbol: FQP9N30

Kierunek przewodnictwa: N-MOSFET

Typ tranzystora: unipolarny

Prąd drenu: 9A

Moc: 98W

Napięcie dren-źródło: 300V

Rezystancja w stanie przewodzenia: 450mOhm

Obudowa: TO220

Montaż: THT przewlekany

Producent: ON SEMICONDUCTOR

Certyfikaty: RoHS

Bądź pierwszy i napisz opinię.

W magazynie: 10 szt.

Szczegółowy opis ›

6,93 PLN Cena netto

Tranzystor; SIR164DP-GE3; N-MOSFET; 50A 69W; 30V; 2,5mOhm; PowerPAK-SO-8; SMD; VISHAY; RoHS

Kod: SIR164DP-GE3

Nazwa: Tranzystor

Symbol: SIR164DP-GE3

Kierunek przewodnictwa: N-MOSFET

Typ tranzystora: unipolarny

Prąd drenu: 50A

Moc: 69W

Napięcie dren-źródło: 30V

Rezystancja w stanie przewodzenia: 2,5mOhm

Obudowa: PowerPAK-SO-8

Montaż: SMD powierzchniowy

Producent: VISHAY

Certyfikaty: RoHS

Bądź pierwszy i napisz opinię.

Niedostępny

Szczegółowy opis ›

7,71 PLN Cena netto

Zadaj pytanie

Bestseller

Tranzystor; IRL2910; N-MOSFET; 48A; 100V; 200W; 26mOhm; unipolarny; TO220; THT; IRL2910PBF; RoHS

Kod: IRL2910PBF

Nazwa: Tranzystor

Symbol: IRL2910PBF

Kierunek przewodnictwa: N-MOSFET

Typ tranzystora: unipolarny

Prąd drenu: 48A

Moc: 200W

Napięcie dren-źródło: 100V

Rezystancja w stanie przewodzenia: 26mOhm

Obudowa: TO220

Montaż: THT przewlekany

Certyfikaty: RoHS

Bądź pierwszy i napisz opinię.

W magazynie: 6 szt.

Szczegółowy opis ›

7,21 PLN Cena netto

Bestseller

Tranzystor; IRF7545PBF; N-MOSFET; unipolarny; 60V; 95A; 125W; 5,9mOhm; TO220; IRF; RoHS

Kod: IRFB7545PBF

Nazwa: Tranzystor

Symbol: IRFB7545PBF

Kierunek przewodnictwa: N-MOSFET

Typ tranzystora: unipolarny

Prąd drenu: 95A

Moc: 125W

Napięcie dren-źródło: 60V

Rezystancja w stanie przewodzenia: 5,9mOhm

Obudowa: TO220

Montaż: THT przewlekany

Właściwości półprzewodników: HEXFET

Producent: IRF

Certyfikaty: RoHS

Bądź pierwszy i napisz opinię.

W magazynie: 30 szt.

Szczegółowy opis ›

3,49 PLN Cena netto

Bestseller

Tranzystor; IPD034N06N3GATMA1; N-MOSFET; unipolarny; 60V; 100A; 167W; TO252; DPAK; INFINEON TECHNOLOGIES; RoHS

Kod: IPD034N06N3GATMA1

Nazwa: Tranzystor

Symbol: IPD034N06N3GATMA1

Kierunek przewodnictwa: N-MOSFET

Typ tranzystora: unipolarny

Prąd drenu: 100A

Moc: 167W

Napięcie dren-źródło: 60V

Rezystancja w stanie przewodzenia: 3,4mOhm

Obudowa: DPAK (TO252)

Montaż: SMD powierzchniowy

Właściwości półprzewodników: OptiMOS 2

Producent: INFINEON

Certyfikaty: RoHS

Bądź pierwszy i napisz opinię.

Niedostępny

Szczegółowy opis ›

5,43 PLN Cena netto

Zadaj pytanie

Bestseller

Tranzystor; IRFR8314TRPBF; N-MOSFET; 127A; 125W; 30V; 3,1mOhm; unipolarny; TO252; DPAK; SMD; INFINEON TECHNOLOGIES; RoHS

Kod: IRFR8314TRPBF

Nazwa: Tranzystor

Symbol: IRFR8314TRPBF

Kierunek przewodnictwa: N-MOSFET

Typ tranzystora: unipolarny

Prąd drenu: 127A

Moc: 125W

Napięcie dren-źródło: 30V

Rezystancja w stanie przewodzenia: 3,1mOhm

Obudowa: DPAK (TO252)

Montaż: SMD powierzchniowy

Właściwości półprzewodników: HEXFET

Producent: INFINEON

Certyfikaty: RoHS

Bądź pierwszy i napisz opinię.

W magazynie: 53 szt.

Szczegółowy opis ›

5,54 PLN Cena netto

Tranzystor; VN0104N3-G; N-MOSFET; 2A; 40V; 1W; unipolarny; TO92; THT; MICROCHIP; RoHS

Kod: VN0104N3-G

Nazwa: Tranzystor

Symbol: VN0104N3-G

Kierunek przewodnictwa: N-MOSFET

Typ tranzystora: unipolarny

Prąd drenu: 2A

Moc: 1W

Napięcie dren-źródło: 40V

Rezystancja w stanie przewodzenia: 3Ohm

Obudowa: TO92

Montaż: THT przewlekany

Producent: MICROCHIP

Certyfikaty: RoHS

Bądź pierwszy i napisz opinię.

Niedostępny

Szczegółowy opis ›

3,17 PLN Cena netto

Zadaj pytanie

Bestseller

Tranzystor; IRFS4410; N-MOSFET; 96A; 100V; 250W; 8mOhm; unipolarny; HEXFET; D2PAK; TO263; SMD; INFINEON; IRFS4410TRLPBF; RoHS

Kod: IRFS4410

Nazwa: Tranzystor

Symbol: IRFS4410

Kierunek przewodnictwa: N-MOSFET

Typ tranzystora: unipolarny

Prąd drenu: 96A

Moc: 250W

Napięcie dren-źródło: 100V

Rezystancja w stanie przewodzenia: 8mOhm

Obudowa: D2PAK (TO263)

Montaż: SMD powierzchniowy

Certyfikaty: RoHS

Bądź pierwszy i napisz opinię.

W magazynie: 4 szt.

Szczegółowy opis ›

11,63 PLN Cena netto

Bestseller

Tranzystor; AOTF25S65; N-MOSFET; 16A; 650V; 50W; 190mR; unipolarny; TO220F; THT; ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR; RoHS

Kod: AOTF25S65

Nazwa: Tranzystor

Symbol: AOTF25S65

Kierunek przewodnictwa: N-MOSFET

Typ tranzystora: unipolarny

Prąd drenu: 16A

Moc: 50W

Napięcie dren-źródło: 650V

Rezystancja w stanie przewodzenia: 190mOhm

Obudowa: TO220FP

Montaż: THT przewlekany

Certyfikaty: RoHS

Bądź pierwszy i napisz opinię.

W magazynie: 16 szt.

Szczegółowy opis ›

13,95 PLN Cena netto

Tranzystor; IRLR3114ZTRPBF; N-MOSFET; 130A; 40V; 140W; 4,9mOhm; unipolarny; HEXFET; logic level; INFINEON; DPAK (TO252); SMD; RoHS

Kod: IRLR3114ZTRPBF

Nazwa: Tranzystor

Symbol: IRLR3114ZTRPBF

Kierunek przewodnictwa: N-MOSFET

Typ tranzystora: unipolarny

Prąd drenu: 130A

Moc: 140W

Napięcie dren-źródło: 40V

Rezystancja w stanie przewodzenia: 4,9mOhm

Obudowa: DPAK (TO252)

Montaż: SMD powierzchniowy

Właściwości półprzewodników: HEXFET; logic level

Producent: INFINEON

Certyfikaty: RoHS

Bądź pierwszy i napisz opinię.

Niedostępny

Szczegółowy opis ›

6,17 PLN Cena netto

Zadaj pytanie

Półprzewodniki, czyli komponenty elektroniczne bazujące na materiałach o zmiennej konduktywności, są kluczowymi elementami wielu urządzeń elektronicznych. Dzięki domieszkowaniu kryształów takich substancji jak krzem czy german, można uzyskać półprzewodniki typu n (z nadmiarem elektronów) oraz typu p (z niedoborem elektronów). To połączenie umożliwia tworzenie różnorodnych układów, takich jak złącza typu p-n czy tranzystory bipolarne.
Wśród tranzystorów unipolarnych, popularnością cieszą się FET-y, w których sterowanie prądem odbywa się poprzez zmianę napięcia źródło-bramka. Tranzystory MOSFET, izolowane od pozostałych wyprowadzeń, charakteryzują się szybkością działania i mikroskopijnymi rozmiarami. Technologia CMOS natomiast, oparta na łączeniu MOSFET-ów w pary, jest podstawą elektroniki cyfrowej i produkcji układów scalonych, pamięci oraz mikroprocesorów.
Zrozumienie podstawowych zasad działania półprzewodników jest kluczowe dla pracy z elektroniką. Głębsze poznanie ich funkcji i charakterystyki pozwala na efektywne projektowanie i wykorzystanie różnorodnych produktów dostępnych na rynku.

PONAD 3000 ELEMENTÓW PÓŁPRZEWODNIKOWYCH

Elektronika to dziedzina, która skupia się głównie na obwodach elektrycznych zbudowanych z użyciem półprzewodników. W katalogu ELEKTRONIKSC znajdziesz ponad 3000 produktów związanych z elementami półprzewodnikowymi. Przejrzyjmy teraz szybko ten asortyment, z wyróżnieniem najważniejszych podgrup.

- DIODY

- MOSTKI PROSTOWNICZE

- TRANZYSTORY

- UKŁADY SCALONE

Dzięki stałemu postępowi technologicznemu dzisiejsze urządzenia są coraz bardziej zaawansowane, co wymaga zastosowania najnowocześniejszych komponentów. Wśród nich, szczególne miejsce zajmują podzespoły oparte na technologii półprzewodnikowej. Są one fundamentem wielu obwodów i systemów, wpływając na ich efektywność, szybkość działania oraz niezawodność. W tej kategorii zgromadziliśmy bogaty asortyment elementów, który obejmuje tranzystory, diody, układy scalone i wiele innych, kluczowych dla współczesnej elektroniki komponentów. Oferowane przez nas podzespoły elektroniczne pochodzą od sprawdzonych dostawców, co gwarantuje ich wysoką jakość i długotrwałą pracę.

Sprzęt dla każdego

Kategoria ta jest dedykowana zarówno profesjonalistom, jak i amatorom elektroniki, którzy poszukują niezawodnych i efektywnych rozwiązań do swoich projektów. Oferujemy półprzewodnik oraz dedykowane do niego wsparcie techniczne i pomoc w doborze odpowiednich rozwiązań, aby nasi klienci mogli w pełni wykorzystać potencjał półprzewodników w swoich aplikacjach. Zapraszamy do zapoznania się z naszym asortymentem i wyboru podzespołów elektronicznych, które pomogą zrealizować najbardziej ambitne projekty.