Powered by Smartsupp

DARMOWA PRZESYŁKA

DLA ZAMÓWIEŃ OD 400PLN netto

Oferta dotyczy
całego asortymentu

Szukaj

Znaleziono 1035 wyników dla "tranzystor".

Produkty

Kod: IRL1404ZSTRLPBF
Nazwa: Tranzystor
Symbol: IRL1404ZSTRLPBF
Kierunek przewodnictwa: N-MOSFET
Typ tranzystora: unipolarny
Prąd drenu: 120A
Moc: 230W
Napięcie dren-źródło: 40V
Rezystancja w stanie przewodzenia: 3,1mOhm
Obudowa: D2PAK (TO263)
Montaż: SMD powierzchniowy
Właściwości półprzewodników: logic level
Certyfikaty: RoHS
W magazynie: 19 szt.
7,73 PLN Cena netto
Ilość:
Kod: STP4NK80Z
Nazwa: Tranzystor
Symbol: STP4NK80Z
Kierunek przewodnictwa: N-MOSFET
Typ tranzystora: unipolarny
Prąd drenu: 3A
Moc: 80W
Napięcie dren-źródło: 800V
Obudowa: TO220
Montaż: THT przewlekany
Certyfikaty: RoHS
W magazynie: 28 szt.
3,42 PLN Cena netto
Ilość:
Kod: STP80NF12
Nazwa: Tranzystor
Symbol: STP80NF12
Kierunek przewodnictwa: N-MOSFET
Typ tranzystora: unipolarny
Prąd drenu: 60A
Moc: 300W
Napięcie dren-źródło: 120V
Rezystancja w stanie przewodzenia: 18mOhm
Obudowa: TO220
Montaż: THT przewlekany
Certyfikaty: RoHS
W magazynie: 81 szt.
9,92 PLN Cena netto
Ilość:
Kod: 2SK2835
Nazwa: Tranzystor
Symbol: 2SK2835
Kierunek przewodnictwa: N-MOSFET
Typ tranzystora: unipolarny
Prąd drenu: 5A
Moc: 1,3W
Napięcie dren-źródło: 200V
Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,8Ohm
Obudowa: 2-8M1B
Montaż: THT przewlekany
Niedostępny
0,81 PLN Cena netto
Kod: FQP9N30
Nazwa: Tranzystor
Symbol: FQP9N30
Kierunek przewodnictwa: N-MOSFET
Typ tranzystora: unipolarny
Prąd drenu: 9A
Moc: 98W
Napięcie dren-źródło: 300V
Rezystancja w stanie przewodzenia: 450mOhm
Obudowa: TO220
Montaż: THT przewlekany
Producent: ON SEMICONDUCTOR
Certyfikaty: RoHS
W magazynie: 10 szt.
6,93 PLN Cena netto
Ilość:
Kod: SIR164DP-GE3
Nazwa: Tranzystor
Symbol: SIR164DP-GE3
Kierunek przewodnictwa: N-MOSFET
Typ tranzystora: unipolarny
Prąd drenu: 50A
Moc: 69W
Napięcie dren-źródło: 30V
Rezystancja w stanie przewodzenia: 2,5mOhm
Obudowa: PowerPAK-SO-8
Montaż: SMD powierzchniowy
Producent: VISHAY
Certyfikaty: RoHS
Niedostępny
7,71 PLN Cena netto
Kod: IRL2910PBF
Nazwa: Tranzystor
Symbol: IRL2910PBF
Kierunek przewodnictwa: N-MOSFET
Typ tranzystora: unipolarny
Prąd drenu: 48A
Moc: 200W
Napięcie dren-źródło: 100V
Rezystancja w stanie przewodzenia: 26mOhm
Obudowa: TO220
Montaż: THT przewlekany
Certyfikaty: RoHS
W magazynie: 6 szt.
7,21 PLN Cena netto
Ilość:
Kod: IRFB7545PBF
Nazwa: Tranzystor
Symbol: IRFB7545PBF
Kierunek przewodnictwa: N-MOSFET
Typ tranzystora: unipolarny
Prąd drenu: 95A
Moc: 125W
Napięcie dren-źródło: 60V
Rezystancja w stanie przewodzenia: 5,9mOhm
Obudowa: TO220
Montaż: THT przewlekany
Właściwości półprzewodników: HEXFET
Producent: IRF
Certyfikaty: RoHS
W magazynie: 30 szt.
3,49 PLN Cena netto
Ilość:
Kod: STP16NF06L
Nazwa: Tranzystor
Symbol: STP16NF06L
Kierunek przewodnictwa: N-MOSFET
Typ tranzystora: unipolarny
Prąd drenu: 11A
Moc: 45W
Napięcie dren-źródło: 60V
Rezystancja w stanie przewodzenia: 90mOhm
Obudowa: TO220
Montaż: THT przewlekany
Właściwości półprzewodników: STripFET II
Producent: STMicroelectronics
Certyfikaty: RoHS
W magazynie: 77 szt.
2,73 PLN Cena netto
Ilość:
Kod: IPD034N06N3GATMA1
Nazwa: Tranzystor
Symbol: IPD034N06N3GATMA1
Kierunek przewodnictwa: N-MOSFET
Typ tranzystora: unipolarny
Prąd drenu: 100A
Moc: 167W
Napięcie dren-źródło: 60V
Rezystancja w stanie przewodzenia: 3,4mOhm
Obudowa: DPAK (TO252)
Montaż: SMD powierzchniowy
Właściwości półprzewodników: OptiMOS 2
Producent: INFINEON
Certyfikaty: RoHS
Niedostępny
5,43 PLN Cena netto
Kod: IRFR8314TRPBF
Nazwa: Tranzystor
Symbol: IRFR8314TRPBF
Kierunek przewodnictwa: N-MOSFET
Typ tranzystora: unipolarny
Prąd drenu: 127A
Moc: 125W
Napięcie dren-źródło: 30V
Rezystancja w stanie przewodzenia: 3,1mOhm
Obudowa: DPAK (TO252)
Montaż: SMD powierzchniowy
Właściwości półprzewodników: HEXFET
Producent: INFINEON
Certyfikaty: RoHS
W magazynie: 53 szt.
5,54 PLN Cena netto
Ilość:
Kod: VN0104N3-G
Nazwa: Tranzystor
Symbol: VN0104N3-G
Kierunek przewodnictwa: N-MOSFET
Typ tranzystora: unipolarny
Prąd drenu: 2A
Moc: 1W
Napięcie dren-źródło: 40V
Rezystancja w stanie przewodzenia: 3Ohm
Obudowa: TO92
Montaż: THT przewlekany
Producent: MICROCHIP
Certyfikaty: RoHS
Niedostępny
3,17 PLN Cena netto
Kod: IRFS4410
Nazwa: Tranzystor
Symbol: IRFS4410
Kierunek przewodnictwa: N-MOSFET
Typ tranzystora: unipolarny
Prąd drenu: 96A
Moc: 250W
Napięcie dren-źródło: 100V
Rezystancja w stanie przewodzenia: 8mOhm
Obudowa: D2PAK (TO263)
Montaż: SMD powierzchniowy
Certyfikaty: RoHS
W magazynie: 4 szt.
11,63 PLN Cena netto
Ilość:
Kod: AOTF25S65
Nazwa: Tranzystor
Symbol: AOTF25S65
Kierunek przewodnictwa: N-MOSFET
Typ tranzystora: unipolarny
Prąd drenu: 16A
Moc: 50W
Napięcie dren-źródło: 650V
Rezystancja w stanie przewodzenia: 190mOhm
Obudowa: TO220FP
Montaż: THT przewlekany
Certyfikaty: RoHS
W magazynie: 16 szt.
13,95 PLN Cena netto
Ilość:
Kod: STD30NF06L
Nazwa: Tranzystor
Symbol: STD30NF06L
Kierunek przewodnictwa: N-MOSFET
Typ tranzystora: unipolarny
Prąd drenu: 25A
Moc: 70W
Napięcie dren-źródło: 60V
Rezystancja w stanie przewodzenia: 28mOhm
Obudowa: DPAK (TO252)
Montaż: SMD powierzchniowy
Właściwości półprzewodników: ESD protected gate
Producent: STMicroelectronics
Certyfikaty: RoHS
W magazynie: 68 szt.
7,48 PLN Cena netto
Ilość:
Kod: IPB50N10S3L16
Nazwa: Tranzystor
Symbol: IPB50N10S3L16
Kierunek przewodnictwa: N-MOSFET
Typ tranzystora: unipolarny
Prąd drenu: 50A
Moc: 100W
Napięcie dren-źródło: 100V
Rezystancja w stanie przewodzenia: 15,4mOhm
Obudowa: D2PAK (TO263)
Montaż: SMD powierzchniowy
Producent: INFINEON
Certyfikaty: RoHS
W magazynie: 18 szt.
8,58 PLN Cena netto
Ilość:
Kod: HUF75344S3
Nazwa: Tranzystor
Symbol: HUF75344S3
Kierunek przewodnictwa: N-MOSFET
Typ tranzystora: unipolarny
Prąd drenu: 80A
Moc: 150W
Napięcie dren-źródło: 80V
Rezystancja w stanie przewodzenia: 3mOhm
Obudowa: D2PAK (TO263)
Montaż: THT przewlekany
Certyfikaty: RoHS
Niedostępny
5,78 PLN Cena netto
Kod: IRFI840GLC
Nazwa: Tranzystor
Symbol: IRFI840GLC
Kierunek przewodnictwa: N-MOSFET
Typ tranzystora: unipolarny
Prąd drenu: 2,9A
Moc: 40W
Napięcie dren-źródło: 500V
Rezystancja w stanie przewodzenia: 850mOhm
Obudowa: TO220FP
Montaż: THT przewlekany
Producent: VISHAY
Certyfikaty: RoHS
W magazynie: 10 szt.
4,20 PLN Cena netto
Ilość:
Kod: IRFI840G
Nazwa: Tranzystor
Symbol: IRFI840G
Kierunek przewodnictwa: N-MOSFET
Typ tranzystora: unipolarny
Prąd drenu: 2,9A
Moc: 40W
Napięcie dren-źródło: 500V
Rezystancja w stanie przewodzenia: 850mOhm
Obudowa: TO220FP
Montaż: THT przewlekany
Producent: VISHAY
Certyfikaty: RoHS
W magazynie: 70 szt.
5,66 PLN Cena netto
Ilość:
Kod: IRL1404ZPBF
Nazwa: Tranzystor
Symbol: IRL1404Z
Kierunek przewodnictwa: N-MOSFET
Typ tranzystora: unipolarny
Prąd drenu: 120A
Moc: 230W
Napięcie dren-źródło: 40V
Rezystancja w stanie przewodzenia: 3,1mOhm
Obudowa: TO220
Montaż: THT przewlekany
Producent: INFINEON
Certyfikaty: RoHS
W magazynie: 13 szt.
9,87 PLN Cena netto
Ilość:
Kod: IRFB4510PBF
Nazwa: Tranzystor
Symbol: IRFB4510PBF
Kierunek przewodnictwa: N-MOSFET
Typ tranzystora: unipolarny
Prąd drenu: 62A
Moc: 140W
Napięcie dren-źródło: 100V
Rezystancja w stanie przewodzenia: 13,5mOhm
Obudowa: TO220
Montaż: THT przewlekany
Właściwości półprzewodników: HEXFET
Producent: INFINEON
Certyfikaty: RoHS
W magazynie: 25 szt.
5,45 PLN Cena netto
Ilość:
Kod: STD14NM50N
Nazwa: Tranzystor
Symbol: STD14NM50N
Kierunek przewodnictwa: N-MOSFET
Typ tranzystora: unipolarny
Prąd drenu: 12A
Moc: 90W
Napięcie dren-źródło: 550V
Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,32Ohm
Obudowa: DPAK (TO252)
Montaż: SMD powierzchniowy
Producent: STMicroelectronics
Certyfikaty: RoHS
Niedostępny
9,76 PLN Cena netto
Kod: STP110N10F7
Nazwa: Tranzystor
Symbol: STP110N10F7
Kierunek przewodnictwa: N-MOSFET
Typ tranzystora: unipolarny
Prąd drenu: 110A
Moc: 150W
Napięcie dren-źródło: 100V
Rezystancja w stanie przewodzenia: 7mOhm
Obudowa: TO220
Montaż: THT przewlekany
Właściwości półprzewodników: STripFET
Producent: STMicroelectronics
Certyfikaty: RoHS
W magazynie: 6 szt.
19,78 PLN Cena netto
Ilość:
Kod: IRF3710Z
Nazwa: Tranzystor
Symbol: IRF3710Z
Kierunek przewodnictwa: N-MOSFET
Typ tranzystora: unipolarny
Prąd drenu: 59A
Moc: 160W
Napięcie dren-źródło: 100V
Rezystancja w stanie przewodzenia: 18mOhm
Obudowa: TO220
Montaż: THT przewlekany
Właściwości półprzewodników: HEXFET
Producent: INFINEON
Certyfikaty: RoHS
Niedostępny
6,12 PLN Cena netto
Kod: IRL540N
Nazwa: Tranzystor
Symbol: IRL540N
Kierunek przewodnictwa: N-MOSFET
Typ tranzystora: unipolarny
Prąd drenu: 36A
Moc: 140W
Napięcie dren-źródło: 100V
Rezystancja w stanie przewodzenia: 44mOhm
Obudowa: TO220
Montaż: THT przewlekany
Właściwości półprzewodników: HEXFET
Producent: INFINEON
Certyfikaty: RoHS
W magazynie: 40 szt.
4,41 PLN Cena netto
Ilość:
Kod: IRL540NSTRL
Nazwa: Tranzystor
Symbol: IRL540NSTRL
Typ tranzystora: unipolarny
Prąd drenu: 36A
Moc: 3,8W
Rezystancja w stanie przewodzenia: 44mOhm
Obudowa: D2PAK (TO263)
Montaż: SMD powierzchniowy
Właściwości półprzewodników: logic level
Producent: INFINEON
Certyfikaty: RoHS
W magazynie: 5 szt.
7,36 PLN Cena netto
Ilość:
Kod: IRFP150M
Nazwa: Tranzystor
Symbol: IRFP150M
Kierunek przewodnictwa: N-MOSFET
Typ tranzystora: unipolarny
Prąd drenu: 42A
Moc: 160W
Napięcie dren-źródło: 100V
Rezystancja w stanie przewodzenia: 36mOhm
Obudowa: TO247
Montaż: THT przewlekany
Właściwości półprzewodników: HEXFET
Producent: INFINEON
Certyfikaty: RoHS
W magazynie: 17 szt.
7,23 PLN Cena netto
Ilość:
Kod: 2SK2698
Nazwa: Tranzystor
Symbol: 2SC2698
Kierunek przewodnictwa: N-MOSFET
Typ tranzystora: unipolarny
Prąd drenu: 15A
Moc: 150W
Napięcie dren-źródło: 500V
Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,4Ohm
Obudowa: 2-16C1B
Montaż: THT przewlekany
Producent: TOSHIBA
Certyfikaty: RoHS
Niedostępny
9,69 PLN Cena netto
Kod: IRL530NSPBF
Nazwa: Tranzystor
Symbol: IRL530NSPBF
Kierunek przewodnictwa: N-MOSFET
Typ tranzystora: unipolarny
Prąd drenu: 17A
Moc: 3,8W
Napięcie dren-źródło: 100V
Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,1Ohm
Obudowa: D2PAK (TO263)
Montaż: SMD powierzchniowy
Właściwości półprzewodników: HEXFET
Producent: INFINEON
Certyfikaty: RoHS
W magazynie: 21 szt.
3,23 PLN Cena netto
Ilość:
Kod: IPP65R150CFDXKSA
Nazwa: Tranzystor
Symbol: IPP65R150CFDXKSA
Kierunek przewodnictwa: N-MOSFET
Typ tranzystora: unipolarny
Prąd drenu: 22,4A
Moc: 195,3W
Napięcie dren-źródło: 650V
Rezystancja w stanie przewodzenia: 150mOhm
Obudowa: TO220
Montaż: THT przewlekany
Właściwości półprzewodników: CoolMOS™
Producent: INFINEON
Certyfikaty: RoHS
W magazynie: 24 szt.
12,25 PLN Cena netto
Ilość:
Kod: IRF510
Nazwa: Tranzystor
Symbol: IRF510
Kierunek przewodnictwa: N-MOSFET
Typ tranzystora: unipolarny
Prąd drenu: 4A
Moc: 43W
Napięcie dren-źródło: 100V
Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,54Ohm
Obudowa: TO220
Montaż: THT przewlekany
Certyfikaty: RoHS
W magazynie: 55 szt.
2,12 PLN Cena netto
Ilość:
Kod: TK6A65D
Nazwa: Tranzystor
Symbol: TK6A65D
Kierunek przewodnictwa: N-MOSFET
Typ tranzystora: unipolarny
Prąd drenu: 6A
Moc: 45W
Napięcie dren-źródło: 650V
Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,95Ohm
Montaż: THT przewlekany
Producent: TOSHIBA
Certyfikaty: RoHS
Niedostępny
4,11 PLN Cena netto
Kod: YJD60N04A
Nazwa: Tranzystor
Symbol: YJD60N04A
Kierunek przewodnictwa: N-MOSFET
Typ tranzystora: unipolarny
Prąd drenu: 42A
Moc: 35W
Napięcie dren-źródło: 40V
Rezystancja w stanie przewodzenia: 9,5mOhm
Obudowa: DPAK (TO252)
Montaż: SMD powierzchniowy
Właściwości półprzewodników: trench power lv
Producent: YANGJIE TECHNOLOGY
Certyfikaty: RoHS
Niedostępny
0,78 PLN Cena netto
Kod: IRF3415
Nazwa: Tranzystor
Symbol: IRF3415PBF
Kierunek przewodnictwa: N-MOSFET
Typ tranzystora: unipolarny
Prąd drenu: 43A
Moc: 200W
Napięcie dren-źródło: 150V
Rezystancja w stanie przewodzenia: 42mOhm
Obudowa: TO220
Montaż: THT przewlekany
Certyfikaty: RoHS
W magazynie: 51 szt.
5,78 PLN Cena netto
Ilość:
Kod: STP44N80
Nazwa: Tranzystor
Symbol: STP44N80
Kierunek przewodnictwa: N-MOSFET
Typ tranzystora: unipolarny
Prąd drenu: 44A
Napięcie dren-źródło: 800V
Obudowa: TO220
Montaż: THT przewlekany
Producent: STMicroelectronics
Certyfikaty: RoHS
Niedostępny
4,07 PLN Cena netto
Kod: FQA9N90C
Nazwa: Tranzystor
Symbol: FQA9N90C
Kierunek przewodnictwa: N-MOSFET
Typ tranzystora: unipolarny
Prąd drenu: 5,7A
Moc: 280W
Napięcie dren-źródło: 900V
Rezystancja w stanie przewodzenia: 1,4Ohm
Obudowa: TO3P
Montaż: THT przewlekany
Producent: ONSEMI
Certyfikaty: RoHS
Niedostępny
17,05 PLN Cena netto
Kod: FQD19N10LTM
Nazwa: Tranzystor
Symbol: FQD19N10LTM
Kierunek przewodnictwa: N-MOSFET
Typ tranzystora: unipolarny
Prąd drenu: 15,6A
Moc: 50W
Napięcie dren-źródło: 100V
Rezystancja w stanie przewodzenia: 450mOhm
Obudowa: DPAK (TO252)
Montaż: SMD powierzchniowy
Producent: ON SEMICONDUCTOR
Certyfikaty: RoHS
W magazynie: 46 szt.
3,68 PLN Cena netto
Ilość:
Kod: WML11N80M3-CYG
Nazwa: Tranzystor
Symbol: WML11N80M3
Kierunek przewodnictwa: N-MOSFET
Typ tranzystora: unipolarny
Prąd drenu: 10,5A
Moc: 31W
Napięcie dren-źródło: 800V
Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,86Ohm
Obudowa: TO220FP
Montaż: THT przewlekany
Certyfikaty: RoHS
W magazynie: 14 szt.
4,51 PLN Cena netto
Ilość: