Kod: IRFBG30PBF
Nazwa: Tranzystor
Symbol: IRFBG30PBF
Kierunek przewodnictwa: N-MOSFET
Typ tranzystora: unipolarny
Prąd drenu: 2A
Moc: 125W
Napięcie dren-źródło: 1000V
Rezystancja w stanie przewodzenia: 5Ohm
Obudowa: TO220
Montaż: THT przewlekany
Producent: VISHAY
Certyfikaty: RoHS
W magazynie: 14 szt.
4,90 PLN Cena netto
Kod: AON7400A
Nazwa: Tranzystor
Symbol: AON7400A
Kierunek przewodnictwa: N-MOSFET
Typ tranzystora: unipolarny
Prąd drenu: 28A
Moc: 10W
Napięcie dren-źródło: 30V
Rezystancja w stanie przewodzenia: 7,5mOhm
Obudowa: DFN3x3 EP
Montaż: SMD powierzchniowy
Producent: ALPHA&OMEGA
Certyfikaty: RoHS
W magazynie: 53 szt.
3,01 PLN Cena netto
Kod: AON7414
W magazynie: 10 szt.
0,81 PLN Cena netto
Kod: IRFB7430PBF
W magazynie: 16 szt.
17,83 PLN Cena netto
Kod: IRFB7534PBF
W magazynie: 24 szt.
9,22 PLN Cena netto
Kod: IRFB3077PBF
W magazynie: 18 szt.
14,09 PLN Cena netto
Kod: IPW65R080CFDA
Niedostępny
47,43 PLN Cena netto
Kod: VN2406L-G
Nazwa: Tranzystor
Symbol: VN2406L-G
Kierunek przewodnictwa: N-MOSFET
Typ tranzystora: unipolarny
Prąd drenu: 1A
Moc: 1W
Napięcie dren-źródło: 240V
Rezystancja w stanie przewodzenia: 6Ohm
Obudowa: TO92
Montaż: THT przewlekany
Producent: MICROCHIP
W magazynie: 1 szt.
4,14 PLN Cena netto
Kod: BSS123.215
W magazynie: 134.94 opak.
21,95 PLN / opak. Cena netto
Kod: BSS123NH6327
W magazynie: 207 opak.
16,26 PLN / opak. Cena netto
Kod: IRFR120NPBF
Nazwa: Tranzystor
Symbol: IRFR120NPBF
Kierunek przewodnictwa: N-MOSFET
Typ tranzystora: unipolarny
Prąd drenu: 9,4A
Moc: 48W
Napięcie dren-źródło: 100V
Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,21Ohm
Obudowa: DPAK (TO252)
Montaż: SMD powierzchniowy
Producent: INFINEON
Certyfikaty: RoHS
W magazynie: 45 szt.
1,73 PLN Cena netto
Kod: BSS138PW
Nazwa: Tranzystor
Symbol: BSS138PW
Kierunek przewodnictwa: N-MOSFET
Typ tranzystora: unipolarny
Prąd drenu: 0,22A
Moc: 360mW
Napięcie dren-źródło: 50V
Rezystancja w stanie przewodzenia: 3,5Ohm
Obudowa: SOT323
Montaż: SMD powierzchniowy
Certyfikaty: RoHS
W magazynie: 25.7 opak.
36,59 PLN / opak. Cena netto
Kod: IRF644SPBF
W magazynie: 37 szt.
9,15 PLN Cena netto
Kod: STP80NF06
Niedostępny
4,42 PLN Cena netto
Kod: IRF644PBF
W magazynie: 27 szt.
4,80 PLN Cena netto
Kod: STP30NF10
Nazwa: Tranzystor
Symbol: STP30NF10
Kierunek przewodnictwa: N-MOSFET
Typ tranzystora: unipolarny
Prąd drenu: 25A
Moc: 115W
Napięcie dren-źródło: 100V
Rezystancja w stanie przewodzenia: 45mOhm
Obudowa: TO220
Montaż: THT przewlekany
Certyfikaty: RoHS
Niedostępny
3,35 PLN Cena netto
Kod: IRLR8743PBF
Nazwa: Tranzystor
Symbol: IRLR8743PBF
Kierunek przewodnictwa: N-MOSFET
Typ tranzystora: unipolarny
Prąd drenu: 160A
Moc: 135W
Napięcie dren-źródło: 30V
Rezystancja w stanie przewodzenia: 5,8mOhm
Obudowa: DPAK (TO252)
Montaż: SMD powierzchniowy
Certyfikaty: RoHS
Niedostępny
6,30 PLN Cena netto
Kod: IRFB4110PBF
Nazwa: Tranzystor
Symbol: IRFB4110PBF
Kierunek przewodnictwa: N-MOSFET
Typ tranzystora: unipolarny
Prąd drenu: 130A
Moc: 370W
Napięcie dren-źródło: 100V
Rezystancja w stanie przewodzenia: 4,5mOhm
Obudowa: TO220AB
Montaż: THT przewlekany
Certyfikaty: RoHS
W magazynie: 17 szt.
15,19 PLN Cena netto
Kod: IRFB3207PBF
Nazwa: Tranzystor
Symbol: IRFB3207PBF
Kierunek przewodnictwa: N-MOSFET
Typ tranzystora: unipolarny
Prąd drenu: 170A
Moc: 300W
Napięcie dren-źródło: 75V
Rezystancja w stanie przewodzenia: 3,6mOhm
Obudowa: TO220
Montaż: THT przewlekany
Właściwości półprzewodników: HEXFET
Certyfikaty: RoHS
W magazynie: 40 szt.
12,17 PLN Cena netto
Kod: BSS138WH6327
Nazwa: Tranzystor
Symbol: BSS138WH6327
Kierunek przewodnictwa: N-MOSFET
Typ tranzystora: unipolarny
Prąd drenu: 0,28A
Moc: 500mW
Napięcie dren-źródło: 60V
Rezystancja w stanie przewodzenia: 3,5Ohm
Obudowa: SOT323
Montaż: SMD powierzchniowy
Certyfikaty: RoHS
W magazynie: 55.8 opak.
30,89 PLN / opak. Cena netto
Kod: BSS138NH6327
Nazwa: Tranzystor
Symbol: BSS138NH6327
Kierunek przewodnictwa: N-MOSFET
Typ tranzystora: unipolarny
Prąd drenu: 0,23A
Moc: 360mW
Napięcie dren-źródło: 50V
Rezystancja w stanie przewodzenia: 3,5Ohm
Obudowa: SOT23
Montaż: SMD powierzchniowy
Certyfikaty: RoHS
W magazynie: 41.3 opak.
36,59 PLN / opak. Cena netto
Kod: IRLL110TRPBF
Nazwa: Tranzystor
Symbol: IRLL110TR
Kierunek przewodnictwa: N-MOSFET
Typ tranzystora: unipolarny
Prąd drenu: 0,93A
Moc: 3,1W
Napięcie dren-źródło: 100V
Rezystancja w stanie przewodzenia: 760mOhm
Obudowa: SOT223
Montaż: SMD powierzchniowy
Certyfikaty: RoHS
W magazynie: 36 szt.
155,75 PLN / opak. Cena netto
Kod: IRF3205ZS
W magazynie: 25 szt.
4,47 PLN Cena netto
Kod: STP20NM60FP
Nazwa: Tranzystor
Symbol: STP20NM60FP
Kierunek przewodnictwa: N-MOSFET
Typ tranzystora: unipolarny
Prąd drenu: 20A
Moc: 45W
Napięcie dren-źródło: 600V
Rezystancja w stanie przewodzenia: 290mOhm
Obudowa: TO220FP
Montaż: THT przewlekany
Producent: STMicroelectronics
Certyfikaty: RoHS
W magazynie: 19 szt.
17,05 PLN Cena netto
Kod: YJB150N06BQ
Nazwa: Tranzystor
Symbol: YJB150N06BQ
Kierunek przewodnictwa: N-MOSFET
Typ tranzystora: unipolarny
Prąd drenu: 105A
Moc: 94W
Napięcie dren-źródło: 60V
Rezystancja w stanie przewodzenia: 5,5mOhm
Obudowa: D2PAK (TO263)
Montaż: SMD powierzchniowy
Właściwości półprzewodników: trench power mv
Producent: YANGJIE TECHNOLOGY
Certyfikaty: RoHS
W magazynie: 29 szt.
6,70 PLN Cena netto
Kod: IPD031N03LGATMA1
Nazwa: Tranzystor
Symbol: IPD031N03LGATMA1
Kierunek przewodnictwa: N-MOSFET
Typ tranzystora: bipolarny
Prąd drenu: 79A
Moc: 97W
Napięcie dren-źródło: 30V
Obudowa: DPAK (TO252)
Montaż: SMD powierzchniowy
Producent: INFINEON
Certyfikaty: RoHS
W magazynie: 1240 szt.
3,24 PLN Cena netto
Kod: SSM6N15FU
Nazwa: Tranzystor
Symbol: SSM6N15FU(T5LFT)
Kierunek przewodnictwa: 2x N-MOSFET
Typ tranzystora: unipolarny
Prąd drenu: 0,1A
Napięcie dren-źródło: 30V
Rezystancja w stanie przewodzenia: 6Ohm
Obudowa: SOT363
Montaż: SMD powierzchniowy
Producent: TOSHIBA
Certyfikaty: RoHS
W magazynie: 16.75 opak.
21,95 PLN / opak. Cena netto
Kod: IRF740LCPBF
Nazwa: Tranzystor
Symbol: IRF740LCPBF
Kierunek przewodnictwa: N-MOSFET
Typ tranzystora: unipolarny
Prąd drenu: 10A
Moc: 125W
Napięcie dren-źródło: 400V
Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,55Ohm
Obudowa: TO220
Montaż: THT przewlekany
Certyfikaty: RoHS
W magazynie: 10 szt.
3,96 PLN Cena netto
Kod: WMK10N80M3-CYG
Nazwa: Tranzystor
Symbol: WMK10N80M3
Kierunek przewodnictwa: N-MOSFET
Typ tranzystora: unipolarny
Prąd drenu: 10A
Moc: 85W
Napięcie dren-źródło: 800V
Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,86Ohm
Obudowa: TO220
Montaż: THT przewlekany
Właściwości półprzewodników: WMOS™ M3
Producent: CYG WAYON
Certyfikaty: RoHS
W magazynie: 9 szt.
4,46 PLN Cena netto
Kod: IXFA110N15T2
Nazwa: Tranzystor
Symbol: IXFA110N15T2
Kierunek przewodnictwa: N-MOSFET
Typ tranzystora: unipolarny
Prąd drenu: 110A
Moc: 480W
Napięcie dren-źródło: 150V
Rezystancja w stanie przewodzenia: 13mOhm
Obudowa: D2PAK (TO263)
Montaż: SMD powierzchniowy
Czas gotowości: 85ns
Producent: IXYS
Certyfikaty: RoHS
W magazynie: 16 szt.
20,62 PLN Cena netto
Kod: IRFR4105TRPBF
Nazwa: Tranzystor
Symbol: IRFR4105TRPBF
Kierunek przewodnictwa: N-MOSFET
Typ tranzystora: unipolarny
Prąd drenu: 27A
Moc: 48W
Napięcie dren-źródło: 55V
Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,045Ohm
Obudowa: DPAK (TO252)
Montaż: SMD powierzchniowy
Właściwości półprzewodników: HEXFET
Producent: INFINEON
Certyfikaty: RoHS
W magazynie: 3778 szt.
1,55 PLN Cena netto
Kod: IRFR4510TRPBF
Nazwa: Tranzystor
Symbol: IRFR4510TRPBF
Kierunek przewodnictwa: N-MOSFET
Typ tranzystora: unipolarny
Prąd drenu: 63A
Moc: 143W
Napięcie dren-źródło: 100V
Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,0139Ohm
Obudowa: DPAK (TO252)
Montaż: SMD powierzchniowy
Właściwości półprzewodników: HEXFET
Producent: INFINEON
Certyfikaty: RoHS
W magazynie: 1924 szt.
3,66 PLN Cena netto
Kod: IRF7468PBF
W magazynie: 8 szt.
3,25 PLN Cena netto
Kod: DMG3414UQ-7
Nazwa: Tranzystor
Symbol: DMG3414UQ-7
Kierunek przewodnictwa: N-MOSFET
Typ tranzystora: unipolarny
Prąd drenu: 4,2A
Moc: 0,7W
Napięcie dren-źródło: 20V
Obudowa: SOT23
Montaż: SMD powierzchniowy
Właściwości półprzewodników: logic level
Producent: DIODES INCORPORATED
Certyfikaty: RoHS
W magazynie: 58.4 opak.
53,81 PLN / opak. Cena netto
Kod: BSP149H6327
Nazwa: Tranzystor
Symbol: BSP149H6327
Kierunek przewodnictwa: N-MOSFET
Typ tranzystora: unipolarny
Prąd drenu: 0,53A
Moc: 1,8W
Napięcie dren-źródło: 200V
Obudowa: SOT223
Montaż: SMD powierzchniowy
Producent: INFINEON
Certyfikaty: RoHS
W magazynie: 15.8 opak.
141,67 PLN / opak. Cena netto
Kod: SI2302CDS
W magazynie: 0.38 opak.
52,03 PLN Cena netto
Kod: BSS159NH6327
Nazwa: Tranzystor
Symbol: BSS159NH6327
Kierunek przewodnictwa: N-MOSFET
Typ tranzystora: unipolarny
Prąd drenu: 230mA
Moc: 360mW
Napięcie dren-źródło: 60V
Rezystancja w stanie przewodzenia: 8Ohm
Obudowa: SOT23
Montaż: SMD powierzchniowy
Certyfikaty: RoHS
W magazynie: 29.2 opak.
36,59 PLN / opak. Cena netto
Kod: SI4124DY-T1-GE3
Nazwa: Tranzystor
Symbol: SI4124DY-T1-GE3
Kierunek przewodnictwa: N-MOSFET
Typ tranzystora: unipolarny
Prąd drenu: 17A
Moc: 5W
Napięcie dren-źródło: 30V
Rezystancja w stanie przewodzenia: 9,5mOhm
Obudowa: SO8
Montaż: SMD powierzchniowy
Producent: VISHAY
Certyfikaty: RoHS
W magazynie: 14.31 opak.
162,60 PLN / opak. Cena netto
Kod: IRLML0060TRPBF
Nazwa: Tranzystor
Symbol: IRLML0060TRPBF
Kierunek przewodnictwa: N-MOSFET
Typ tranzystora: unipolarny
Prąd drenu: 2,7A
Moc: 1,25W
Napięcie dren-źródło: 60V
Rezystancja w stanie przewodzenia: 116mOhm
Obudowa: SOT23
Montaż: SMD powierzchniowy
Producent: INFINEON
Certyfikaty: RoHS
W magazynie: 464 szt.
0,73 PLN Cena netto
Kod: STD8N65M5
Nazwa: Tranzystor
Symbol: STD8N65M5
Kierunek przewodnictwa: N-MOSFET
Typ tranzystora: unipolarny
Prąd drenu: 7A
Moc: 70W
Napięcie dren-źródło: 650V
Rezystancja w stanie przewodzenia: 6mOhm
Obudowa: DPAK (TO252)
Montaż: SMD powierzchniowy
Certyfikaty: RoHS
W magazynie: 13 szt.
11,60 PLN Cena netto
Kod: STD18N65M5
Nazwa: Tranzystor
Symbol: STD18N55M5
Kierunek przewodnictwa: N-MOSFET
Typ tranzystora: unipolarny
Prąd drenu: 15A
Moc: 110W
Napięcie dren-źródło: 650V
Rezystancja w stanie przewodzenia: 220mOhm
Obudowa: DPAK (TO252)
Montaż: SMD powierzchniowy
Producent: STMicroelectronics
Certyfikaty: RoHS
W magazynie: 20 szt.
15,84 PLN Cena netto
Kod: IRLB4030PBF
Nazwa: Tranzystor
Symbol: IRLB4030PBF
Kierunek przewodnictwa: N-MOSFET
Typ tranzystora: unipolarny
Prąd drenu: 180A
Moc: 370W
Napięcie dren-źródło: 100V
Rezystancja w stanie przewodzenia: 4,3mOhm
Obudowa: TO220
Montaż: THT przewlekany
Właściwości półprzewodników: logic level
Producent: INFINEON
Certyfikaty: RoHS
Niedostępny
14,00 PLN Cena netto
Kod: 2SK3065T100
W magazynie: 990 szt.
1,22 PLN Cena netto
Kod: BTS307E3062ABUMA1
Nazwa: Układ scalony
Symbol: BTS307E3062ABUMA1
Typ układu scalonego: power switch
Prąd wyjściowy: 1,7A
Moc: 50W
Napięcie zasilania: 65V
Rodzaj układu scalonego: high-side
Rodzaj wyjścia: N-Channel
Rezystancja w stanie przewodzenia: 250mOhm
Obudowa: D2PAK (TO263-5)
Montaż: SMD powierzchniowy
Nazwa 2: Tranzystor
Producent: INFINEON
Certyfikaty: RoHS
W magazynie: 11 szt.
20,51 PLN Cena netto
Kod: BUK7Y102-100B
Nazwa: Tranzystor
Symbol: BUK7Y102-100B
Kierunek przewodnictwa: N-MOSFET
Typ tranzystora: unipolarny
Prąd drenu: 15A
Moc: 60W
Napięcie dren-źródło: 100V
Rezystancja w stanie przewodzenia: 102mOhm
Obudowa: SOT669-5
Montaż: SMD powierzchniowy
Producent: NEXPERIA
Certyfikaty: RoHS
W magazynie: 3285 szt.
1,22 PLN Cena netto
Kod: STB55NF06T4
Nazwa: Tranzystor
Symbol: STB55NF06T4
Kierunek przewodnictwa: N-MOSFET
Typ tranzystora: unipolarny
Prąd drenu: 35A
Moc: 110W
Napięcie dren-źródło: 60V
Rezystancja w stanie przewodzenia: 18mOhm
Obudowa: D2PAK (TO263)
Montaż: SMD powierzchniowy
Właściwości półprzewodników: SuperMesh™
Producent: STMicroelectronics
Certyfikaty: RoHS
W magazynie: 10 szt.
3,88 PLN Cena netto
Kod: AON7401
Nazwa: Tranzystor
Symbol: AON7401
Kierunek przewodnictwa: N-MOSFET
Typ tranzystora: unipolarny
Prąd drenu: 23A
Moc: 10W
Napięcie dren-źródło: 30V
Rezystancja w stanie przewodzenia: 14mOhm
Obudowa: DFN3x3 EP
Montaż: SMD powierzchniowy
Producent: ALPHA&OMEGA
Certyfikaty: RoHS
W magazynie: 21 szt.
5,41 PLN Cena netto
Kod: FQD7N20LTM
Nazwa: Tranzystor
Symbol: FQD7N20LTM
Kierunek przewodnictwa: N-MOSFET
Typ tranzystora: unipolarny
Prąd drenu: 5,5A
Moc: 45W
Napięcie dren-źródło: 200V
Rezystancja w stanie przewodzenia: 450mOhm
Obudowa: DPAK (TO252)
Montaż: SMD powierzchniowy
Producent: ON SEMICONDUCTOR
Certyfikaty: RoHS
W magazynie: 2498 szt.
2,68 PLN Cena netto
Kod: IRF9952TRPBF
Nazwa: Tranzystor
Symbol: IRF9952TRPBF
Kierunek przewodnictwa: N/P-MOSFET
Typ tranzystora: unipolarny
Prąd drenu: 3,5/-2,3A
Moc: 2W
Napięcie dren-źródło: 30/-30V
Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,1/0,25Ohm
Obudowa: SO8
Montaż: SMD powierzchniowy
Właściwości półprzewodników: HEXFET
Producent: INFINEON
Certyfikaty: RoHS
W magazynie: 22 szt.
4,73 PLN Cena netto
Kod: FQPF19N20C
Nazwa: Tranzystor
Symbol: FQPF19N20C
Kierunek przewodnictwa: N-MOSFET
Typ tranzystora: unipolarny
Prąd drenu: 12,1A
Moc: 43W
Napięcie dren-źródło: 200V
Rezystancja w stanie przewodzenia: 170mOhm
Obudowa: TO220FP
Montaż: THT przewlekany
Producent: ONSEMI
Certyfikaty: RoHS
W magazynie: 10 szt.
4,96 PLN Cena netto
