DARMOWA PRZESYŁKA

DLA ZAMÓWIEŃ OD 400PLN netto

Oferta dotyczy
całego asortymentu

Dołącz do nas

Szukaj

Znaleziono 1072 wyniki dla "tranzystor".

Produkty

Kod: BTS307E3062ABUMA1
Nazwa: Układ scalony
Symbol: BTS307E3062ABUMA1
Typ układu scalonego: power switch
Prąd wyjściowy: 1,7A
Moc: 50W
Napięcie zasilania: 65V
Rodzaj układu scalonego: high-side
Rodzaj wyjścia: N-Channel
Rezystancja w stanie przewodzenia: 250mOhm
Obudowa: D2PAK (TO263-5)
Montaż: SMD powierzchniowy
Nazwa 2: Tranzystor
Producent: INFINEON
Certyfikaty: RoHS
W magazynie: 11 szt.
20,51 PLN Cena netto
Ilość:
Kod: BUK7Y102-100B
Nazwa: Tranzystor
Symbol: BUK7Y102-100B
Kierunek przewodnictwa: N-MOSFET
Typ tranzystora: unipolarny
Prąd drenu: 15A
Moc: 60W
Napięcie dren-źródło: 100V
Rezystancja w stanie przewodzenia: 102mOhm
Obudowa: SOT669-5
Montaż: SMD powierzchniowy
Producent: NEXPERIA
Certyfikaty: RoHS
W magazynie: 3285 szt.
1,22 PLN Cena netto
Ilość:
Kod: STB55NF06T4
Nazwa: Tranzystor
Symbol: STB55NF06T4
Kierunek przewodnictwa: N-MOSFET
Typ tranzystora: unipolarny
Prąd drenu: 35A
Moc: 110W
Napięcie dren-źródło: 60V
Rezystancja w stanie przewodzenia: 18mOhm
Obudowa: D2PAK (TO263)
Montaż: SMD powierzchniowy
Właściwości półprzewodników: SuperMesh™
Producent: STMicroelectronics
Certyfikaty: RoHS
W magazynie: 5 szt.
3,88 PLN Cena netto
Ilość:
Kod: AON7401
Nazwa: Tranzystor
Symbol: AON7401
Kierunek przewodnictwa: N-MOSFET
Typ tranzystora: unipolarny
Prąd drenu: 23A
Moc: 10W
Napięcie dren-źródło: 30V
Rezystancja w stanie przewodzenia: 14mOhm
Obudowa: DFN3x3 EP
Montaż: SMD powierzchniowy
Producent: ALPHA&OMEGA
Certyfikaty: RoHS
W magazynie: 18 szt.
5,41 PLN Cena netto
Ilość:
Kod: FQD7N20LTM
Nazwa: Tranzystor
Symbol: FQD7N20LTM
Kierunek przewodnictwa: N-MOSFET
Typ tranzystora: unipolarny
Prąd drenu: 5,5A
Moc: 45W
Napięcie dren-źródło: 200V
Rezystancja w stanie przewodzenia: 450mOhm
Obudowa: DPAK (TO252)
Montaż: SMD powierzchniowy
Producent: ON SEMICONDUCTOR
Certyfikaty: RoHS
W magazynie: 2498 szt.
2,68 PLN Cena netto
Ilość:
Kod: IRF9952TRPBF
Nazwa: Tranzystor
Symbol: IRF9952TRPBF
Kierunek przewodnictwa: N/P-MOSFET
Typ tranzystora: unipolarny
Prąd drenu: 3,5/-2,3A
Moc: 2W
Napięcie dren-źródło: 30/-30V
Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,1/0,25Ohm
Obudowa: SO8
Montaż: SMD powierzchniowy
Właściwości półprzewodników: HEXFET
Producent: INFINEON
Certyfikaty: RoHS
W magazynie: 22 szt.
4,73 PLN Cena netto
Ilość:
Kod: FQPF19N20C
Nazwa: Tranzystor
Symbol: FQPF19N20C
Kierunek przewodnictwa: N-MOSFET
Typ tranzystora: unipolarny
Prąd drenu: 12,1A
Moc: 43W
Napięcie dren-źródło: 200V
Rezystancja w stanie przewodzenia: 170mOhm
Obudowa: TO220FP
Montaż: THT przewlekany
Producent: ONSEMI
Certyfikaty: RoHS
W magazynie: 10 szt.
4,96 PLN Cena netto
Ilość:
Kod: FQD13N10TM
Nazwa: Tranzystor
Symbol: FQD13N10TM
Kierunek przewodnictwa: N-MOSFET
Typ tranzystora: unipolarny
Prąd drenu: 10A
Moc: 40W
Napięcie dren-źródło: 100V
Rezystancja w stanie przewodzenia: 450mOhm
Obudowa: DPAK (TO252)
Montaż: SMD powierzchniowy
Producent: ON SEMICONDUCTOR
Certyfikaty: RoHS
W magazynie: 12 szt.
2,03 PLN Cena netto
Ilość:
Kod: BSP318SH6327
Nazwa: Tranzystor
Symbol: BSP318SH6327
Kierunek przewodnictwa: N-MOSFET
Typ tranzystora: unipolarny
Prąd drenu: 2,6A
Moc: 1,8W
Napięcie dren-źródło: 60V
Rezystancja w stanie przewodzenia: 120mOhm
Obudowa: SOT223
Montaż: SMD powierzchniowy
Producent: INFINEON
Certyfikaty: RoHS
W magazynie: 4.5 opak.
137,95 PLN / opak. Cena netto
Ilość:
Kod: IRFB3307ZPBF
Nazwa: Tranzystor
Symbol: IRFB3307ZPBF
Kierunek przewodnictwa: N-MOSFET
Typ tranzystora: unipolarny
Prąd drenu: 120A
Moc: 230W
Napięcie dren-źródło: 75V
Rezystancja w stanie przewodzenia: 5,8mOhm
Obudowa: TO220
Montaż: THT przewlekany
Właściwości półprzewodników: HEXFET
Producent: INFINEON
Certyfikaty: RoHS
W magazynie: 30 szt.
9,60 PLN Cena netto
Ilość:
Kod: IPA086N10N3GXKSA1
Nazwa: Tranzystor
Symbol: IPA086N10N3GXKSA1
Kierunek przewodnictwa: N-MOSFET
Typ tranzystora: unipolarny
Prąd drenu: 45A
Moc: 37,5W
Napięcie dren-źródło: 100V
Rezystancja w stanie przewodzenia: 8,6mOhm
Obudowa: TO220FP
Montaż: THT przewlekany
Producent: INFINEON
Certyfikaty: RoHS
W magazynie: 27 szt.
7,66 PLN Cena netto
Ilość:
Kod: BSC026N08NS5A
Nazwa: Tranzystor
Symbol: BSC026N08NS5A
Kierunek przewodnictwa: N-MOSFET
Typ tranzystora: unipolarny
Prąd drenu: 100A
Moc: 156W
Napięcie dren-źródło: 80V
Rezystancja w stanie przewodzenia: 2,6mOhm
Obudowa: PG-TDSON-8
Montaż: SMD powierzchniowy
Producent: INFINEON
Certyfikaty: RoHS
W magazynie: 4970 szt.
6,40 PLN Cena netto
Ilość:
Kod: HUF75345G3
Nazwa: Tranzystor
Symbol: HUF75345G3
Kierunek przewodnictwa: N-MOSFET
Typ tranzystora: unipolarny
Prąd drenu: 75A
Moc: 325W
Napięcie dren-źródło: 55V
Rezystancja w stanie przewodzenia: 7mOhm
Obudowa: TO247
Montaż: THT przewlekany
Producent: ON SEMICONDUCTOR
Certyfikaty: RoHS
W magazynie: 3 szt.
12,31 PLN Cena netto
Ilość:
Kod: SQJ158EP-T1-GE3
Nazwa: Tranzystor
Symbol: SQJ158EP-T1-GE3
Kierunek przewodnictwa: N-MOSFET
Typ tranzystora: unipolarny
Prąd drenu: 13A
Moc: 45W
Napięcie dren-źródło: 30V
Rezystancja w stanie przewodzenia: 33mOhm
Obudowa: PowerPAK-SO-8
Montaż: SMD powierzchniowy
Producent: VISHAY
Certyfikaty: RoHS
W magazynie: 2973 szt.
2,91 PLN Cena netto
Ilość:
Kod: CS1N80A1H
Nazwa: Tranzystor
Symbol: CS1N80A1H
Kierunek przewodnictwa: N-MOSFET
Typ tranzystora: unipolarny
Prąd drenu: 1A
Moc: 3W
Napięcie dren-źródło: 800V
Rezystancja w stanie przewodzenia: 12Ohm
Obudowa: TO92
Montaż: THT przewlekany
Producent: HUAJING
Certyfikaty: RoHS
Niedostępny
33,00 PLN Cena netto
Kod: AOD4184
Nazwa: Tranzystor
Symbol: AOD4184
Kierunek przewodnictwa: N-MOSFET
Typ tranzystora: unipolarny
Prąd drenu: 40A
Moc: 25W
Napięcie dren-źródło: 40V
Rezystancja w stanie przewodzenia: 12mOhm
Obudowa: DPAK (TO252)
Montaż: SMD powierzchniowy
Producent: ALPHA&OMEGA
Certyfikaty: RoHS
W magazynie: 52 szt.
1,63 PLN Cena netto
Ilość:
Kod: BSP295
Nazwa: Tranzystor
Symbol: BSP295
Kierunek przewodnictwa: N-MOSFET
Typ tranzystora: unipolarny
Prąd drenu: 1,8A
Moc: 1,8W
Napięcie dren-źródło: 60V
Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,3Ohm
Obudowa: SOT223
Producent: INFINEON
Certyfikaty: RoHS
W magazynie: 11 szt.
2,03 PLN Cena netto
Ilość:
Kod: STP75NF75
Nazwa: Tranzystor
Symbol: STP75NF75
Kierunek przewodnictwa: N-MOSFET
Typ tranzystora: unipolarny
Prąd drenu: 70A
Moc: 300W
Napięcie dren-źródło: 75V
Rezystancja w stanie przewodzenia: 11mOhm
Obudowa: TO220
Montaż: THT przewlekany
Producent: STMicroelectronics
Certyfikaty: RoHS
W magazynie: 26 szt.
5,36 PLN Cena netto
Ilość:
Kod: CPC3703CTR
Nazwa: Tranzystor
Symbol: CPC3703CTR
Kierunek przewodnictwa: N-MOSFET
Typ tranzystora: unipolarny
Prąd drenu: 0,36A
Moc: 1,1W
Napięcie dren-źródło: 250V
Rezystancja w stanie przewodzenia: 4Ohm
Obudowa: SOT89
Montaż: SMD powierzchniowy
Producent: IXYS
Certyfikaty: RoHS
W magazynie: 10 opak.
81,30 PLN Cena netto
Ilość (opak.):
Kod: CPC5603CTR
Nazwa: Tranzystor
Symbol: CPC5603CTR
Kierunek przewodnictwa: N-MOSFET
Typ tranzystora: unipolarny
Prąd drenu: 0,13A
Moc: 2,5W
Napięcie dren-źródło: 415V
Rezystancja w stanie przewodzenia: 14Ohm
Obudowa: SOT223
Montaż: SMD powierzchniowy
Producent: IXYS
Certyfikaty: RoHS
W magazynie: 19.8 opak.
81,30 PLN Cena netto
Ilość (opak.):
Kod: STP80NF10FP
Nazwa: Tranzystor
Symbol: STP80NF10FP
Kierunek przewodnictwa: N-MOSFET
Typ tranzystora: unipolarny
Prąd drenu: 27A
Moc: 45W
Napięcie dren-źródło: 100V
Rezystancja w stanie przewodzenia: 15mOhm
Obudowa: TO220FP
Montaż: THT przewlekany
Producent: STMicroelectronics
Certyfikaty: RoHS
W magazynie: 10 szt.
8,70 PLN Cena netto
Ilość:
Kod: IRFP048N
Nazwa: Tranzystor
Symbol: IRFP048N
Kierunek przewodnictwa: N-MOSFET
Typ tranzystora: unipolarny
Prąd drenu: 64A
Moc: 140W
Napięcie dren-źródło: 55V
Rezystancja w stanie przewodzenia: 16mOhm
Obudowa: TO247
Montaż: THT przewlekany
Producent: IRF
Certyfikaty: RoHS
W magazynie: 25 szt.
4,16 PLN Cena netto
Ilość:
Kod: IRFI3205PBF
Nazwa: Tranzystor
Symbol: IRFI3205PBF
Kierunek przewodnictwa: N-MOSFET
Typ tranzystora: unipolarny
Prąd drenu: 56A
Moc: 48W
Napięcie dren-źródło: 55V
Rezystancja w stanie przewodzenia: 8mOhm
Obudowa: TO220FP
Montaż: THT przewlekany
Certyfikaty: RoHS
W magazynie: 3 szt.
9,57 PLN Cena netto
Ilość:
Kod: FCB20N60FTM
Nazwa: Tranzystor
Symbol: FCB20N60FTM
Kierunek przewodnictwa: N-MOSFET
Typ tranzystora: unipolarny
Prąd drenu: 12,5A
Moc: 208W
Napięcie dren-źródło: 600V
Rezystancja w stanie przewodzenia: 190mOhm
Obudowa: D2PAK (TO263)
Montaż: SMD powierzchniowy
Certyfikaty: RoHS
W magazynie: 9 szt.
22,30 PLN Cena netto
Ilość:
Kod: IRFB5620PBF
Nazwa: Tranzystor
Symbol: IRFB5620PBF
Kierunek przewodnictwa: N-MOSFET
Typ tranzystora: unipolarny
Prąd drenu: 25A
Moc: 144W
Napięcie dren-źródło: 200V
Rezystancja w stanie przewodzenia: 72,5mOhm
Obudowa: TO220
Montaż: THT przewlekany
Producent: INFINEON
W magazynie: 19 szt.
8,91 PLN Cena netto
Ilość:
Kod: BSP135H6327
Nazwa: Tranzystor
Symbol: BSP135H6327
Kierunek przewodnictwa: N-MOSFET
Typ tranzystora: unipolarny
Prąd drenu: 0,12A
Moc: 1,8W
Napięcie dren-źródło: 600V
Rezystancja w stanie przewodzenia: 60Ohm
Obudowa: SOT223
Montaż: SMD powierzchniowy
Producent: INFINEON
Certyfikaty: RoHS
W magazynie: 5.4 opak.
154,47 PLN / opak. Cena netto
Ilość:
Kod: STP6NK60Z
Nazwa: Tranzystor
Symbol: STP6NK60Z
Kierunek przewodnictwa: N-MOSFET
Typ tranzystora: unipolarny
Prąd drenu: 6A
Moc: 110W
Napięcie dren-źródło: 600V
Obudowa: TO220
Montaż: THT przewlekany
Certyfikaty: RoHS
W magazynie: 22 szt.
5,20 PLN Cena netto
Ilość:
Kod: FQD1N80TM
Nazwa: Tranzystor
Symbol: FQD1N80TM
Kierunek przewodnictwa: N-MOSFET
Typ tranzystora: unipolarny
Prąd drenu: 630mA
Moc: 45W
Napięcie dren-źródło: 800V
Rezystancja w stanie przewodzenia: 20Ohm
Obudowa: DPAK (TO252)
Montaż: SMD powierzchniowy
Producent: ON SEMICONDUCTOR
Certyfikaty: RoHS
W magazynie: 2485 szt.
1,95 PLN Cena netto
Ilość:
Kod: STP10NK80Z
Nazwa: Tranzystor
Symbol: STP10NK80Z
Kierunek przewodnictwa: N-MOSFET
Typ tranzystora: unipolarny
Prąd drenu: 9A
Moc: 160W
Napięcie dren-źródło: 800V
Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,9Ohm
Obudowa: TO220
Montaż: THT przewlekany
Producent: STMicroelectronics
Certyfikaty: RoHS
W magazynie: 5 szt.
9,95 PLN Cena netto
Ilość:
Kod: IRFR120PBF
Nazwa: Tranzystor
Symbol: IRFR120PBF
Kierunek przewodnictwa: N-MOSFET
Typ tranzystora: unipolarny
Prąd drenu: 4,9A
Moc: 42W
Napięcie dren-źródło: 100V
Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,27Ohm
Obudowa: DPAK (TO252)
Montaż: SMD powierzchniowy
Producent: VISHAY
Certyfikaty: RoHS
Niedostępny
2,15 PLN Cena netto
Kod: WMP04N70C2
Nazwa: Tranzystor
Symbol: WMP04N70C2
Kierunek przewodnictwa: N-MOSFET
Typ tranzystora: unipolarny
Prąd drenu: 2,6A
Moc: 29W
Napięcie dren-źródło: 700V
Rezystancja w stanie przewodzenia: 2,45Ohm
Obudowa: IPAK (TO251)
Montaż: THT przewlekany
Producent: WAYON
Certyfikaty: RoHS
W magazynie: 20 szt.
1,46 PLN Cena netto
Ilość:
Kod: F10NK60
Nazwa: Tranzystor
Symbol: F10NK60
Kierunek przewodnictwa: N-MOSFET
Typ tranzystora: unipolarny
Prąd drenu: 10A
Moc: 35W
Napięcie dren-źródło: 600V
Rezystancja w stanie przewodzenia: 750mOhm
Obudowa: TO220FP
Montaż: THT przewlekany
Producent: WXDH
Certyfikaty: RoHS
W magazynie: 22 szt.
2,82 PLN Cena netto
Ilość:
Kod: IRLR3114ZTRPBF
Nazwa: Tranzystor
Symbol: IRLR3114ZTRPBF
Kierunek przewodnictwa: N-MOSFET
Typ tranzystora: unipolarny
Prąd drenu: 130A
Moc: 140W
Napięcie dren-źródło: 40V
Rezystancja w stanie przewodzenia: 4,9mOhm
Obudowa: DPAK (TO252)
Montaż: SMD powierzchniowy
Właściwości półprzewodników: HEXFET; logic level
Producent: INFINEON
Certyfikaty: RoHS
Niedostępny
6,17 PLN Cena netto
Kod: FDD8896
Nazwa: Tranzystor
Symbol: FDD8896
Kierunek przewodnictwa: N-MOSFET
Typ tranzystora: unipolarny
Prąd drenu: 94A
Moc: 80W
Napięcie dren-źródło: 30V
Rezystancja w stanie przewodzenia: 9,2mOhm
Obudowa: DPAK (TO252)
Montaż: SMD powierzchniowy
Producent: ONSEMI
Certyfikaty: RoHS
W magazynie: 22 szt.
2,68 PLN Cena netto
Ilość:
Kod: ZXMN6A09GTA
Nazwa: Tranzystor
Symbol: ZXMN6A09GTA
Kierunek przewodnictwa: N-MOSFET
Typ tranzystora: unipolarny
Prąd drenu: 6,2A
Moc: 2W
Napięcie dren-źródło: 60V
Rezystancja w stanie przewodzenia: 60mOhm
Obudowa: SOT223
Montaż: SMD powierzchniowy
Producent: DIODES INCORPORATED
Certyfikaty: RoHS
W magazynie: 14 szt.
3,62 PLN Cena netto
Ilość:
Kod: AO3400
Nazwa: Tranzystor
Kierunek przewodnictwa: N-MOSFET
Typ tranzystora: unipolarny
Prąd drenu: 4,7A
Moc: 1,4W
Napięcie dren-źródło: 30V
Rezystancja w stanie przewodzenia: 26,5mOhm
Obudowa: SOT23
Montaż: SMD powierzchniowy
Producent: ALPHA&OMEGA
Certyfikaty: RoHS
Niedostępny
32,52 PLN / opak. Cena netto
Kod: IRF7301PBF
Nazwa: Tranzystor
Symbol: IRF7301PBF
Kierunek przewodnictwa: 2x N-MOSFET
Typ tranzystora: unipolarny
Prąd drenu: 5,2A
Moc: 2W
Napięcie dren-źródło: 20V
Rezystancja w stanie przewodzenia: 70mOhm
Obudowa: SO8
Montaż: SMD powierzchniowy
Właściwości półprzewodników: HEXFET
Producent: INFINEON
Certyfikaty: RoHS
W magazynie: 76 szt.
2,54 PLN Cena netto
Ilość:
Kod: IXFH50N60P3
Nazwa: Tranzystor
Symbol: IXFH50N60P3
Kierunek przewodnictwa: N-MOSFET
Typ tranzystora: unipolarny
Prąd drenu: 50A
Moc: 1040W
Napięcie dren-źródło: 600V
Obudowa: TO247
Montaż: THT przewlekany
Producent: IXYS
Certyfikaty: RoHS
W magazynie: 15 szt.
39,96 PLN Cena netto
Ilość:
Kod: IPA60R190P6XKSA1
Nazwa: Tranzystor
Symbol: IPA60R190P6XKSA1
Kierunek przewodnictwa: N-MOSFET
Typ tranzystora: unipolarny
Prąd drenu: 20,2A
Moc: 34W
Napięcie dren-źródło: 600V
Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,19Ohm
Obudowa: TO220FP
Montaż: THT przewlekany
Producent: INFINEON
Certyfikaty: RoHS
W magazynie: 34 szt.
9,05 PLN Cena netto
Ilość:
Kod: 2SK1643
Nazwa: Tranzystor
Symbol: 2SK1643
Kierunek przewodnictwa: N-MOSFET
Typ tranzystora: unipolarny
Prąd drenu: 5A
Moc: 125W
Napięcie dren-źródło: 900V
Rezystancja w stanie przewodzenia: 2,5Ohm
Obudowa: TO220
Montaż: THT przewlekany
W magazynie: 8 szt.
9,62 PLN Cena netto
Ilość: