Kod: BTS409L1E3062A
Niedostępny
17,07 PLN Cena netto
Kod: BTS247Z
W magazynie: 5 szt.
7,81 PLN Cena netto
Kod: IRFZ34N
Nazwa: Tranzystor
Symbol: IRFZ34N
Kierunek przewodnictwa: N-MOSFET
Typ tranzystora: unipolarny
Prąd drenu: 26A
Moc: 56W
Napięcie dren-źródło: 55V
Rezystancja w stanie przewodzenia: 40mOhm
Obudowa: TO220
Montaż: THT przewlekany
Właściwości półprzewodników: HEXFET
Certyfikaty: RoHS
W magazynie: 57 szt.
2,75 PLN Cena netto
Kod: AUIRFZ44NSPBF
Nazwa: Tranzystor
Symbol: AUIRFZ44NSPBF
Kierunek przewodnictwa: N-MOSFET
Typ tranzystora: unipolarny
Prąd drenu: 49A
Moc: 94W
Napięcie dren-źródło: 55V
Rezystancja w stanie przewodzenia: 17,5mOhm
Obudowa: D2PAK (TO263)
Montaż: SMD powierzchniowy
Właściwości półprzewodników: HEXFET
Certyfikaty: RoHS
W magazynie: 29 szt.
7,52 PLN Cena netto
Kod: IRLZ44NS
Nazwa: Tranzystor
Symbol: IRLZ44NS
Kierunek przewodnictwa: N-MOSFET
Typ tranzystora: unipolarny
Prąd drenu: 47A
Moc: 110W
Napięcie dren-źródło: 55V
Rezystancja w stanie przewodzenia: 22mOhm
Obudowa: D2PAK (TO263)
Montaż: SMD powierzchniowy
Właściwości półprzewodników: HEXFET
Certyfikaty: RoHS
W magazynie: 15 szt.
6,42 PLN Cena netto
Kod: IRLB4132PBF
Nazwa: Tranzystor
Symbol: IRLB4132PBF
Kierunek przewodnictwa: N-MOSFET
Typ tranzystora: unipolarny
Prąd drenu: 30A
Moc: 140W
Napięcie dren-źródło: 40V
Rezystancja w stanie przewodzenia: 3,5Ohm
Obudowa: TO220
Montaż: THT przewlekany
Certyfikaty: RoHS
W magazynie: 38 szt.
2,78 PLN Cena netto
Kod: IPD034N06N3GATMA1
Nazwa: Tranzystor
Symbol: IPD034N06N3GATMA1
Kierunek przewodnictwa: N-MOSFET
Typ tranzystora: unipolarny
Prąd drenu: 100A
Moc: 167W
Napięcie dren-źródło: 60V
Rezystancja w stanie przewodzenia: 3,4mOhm
Obudowa: DPAK (TO252)
Montaż: SMD powierzchniowy
Właściwości półprzewodników: OptiMOS 2
Producent: INFINEON
Certyfikaty: RoHS
Niedostępny
5,43 PLN Cena netto
Kod: IRFR8314TRPBF
Nazwa: Tranzystor
Symbol: IRFR8314TRPBF
Kierunek przewodnictwa: N-MOSFET
Typ tranzystora: unipolarny
Prąd drenu: 127A
Moc: 125W
Napięcie dren-źródło: 30V
Rezystancja w stanie przewodzenia: 3,1mOhm
Obudowa: DPAK (TO252)
Montaż: SMD powierzchniowy
Właściwości półprzewodników: HEXFET
Producent: INFINEON
Certyfikaty: RoHS
W magazynie: 53 szt.
5,54 PLN Cena netto
Kod: IRFS4410
Nazwa: Tranzystor
Symbol: IRFS4410
Kierunek przewodnictwa: N-MOSFET
Typ tranzystora: unipolarny
Prąd drenu: 96A
Moc: 250W
Napięcie dren-źródło: 100V
Rezystancja w stanie przewodzenia: 8mOhm
Obudowa: D2PAK (TO263)
Montaż: SMD powierzchniowy
Certyfikaty: RoHS
W magazynie: 4 szt.
11,63 PLN Cena netto
Kod: IPB50N10S3L16
Nazwa: Tranzystor
Symbol: IPB50N10S3L16
Kierunek przewodnictwa: N-MOSFET
Typ tranzystora: unipolarny
Prąd drenu: 50A
Moc: 100W
Napięcie dren-źródło: 100V
Rezystancja w stanie przewodzenia: 15,4mOhm
Obudowa: D2PAK (TO263)
Montaż: SMD powierzchniowy
Producent: INFINEON
Certyfikaty: RoHS
W magazynie: 18 szt.
8,58 PLN Cena netto
Kod: IRL1404ZPBF
Nazwa: Tranzystor
Symbol: IRL1404Z
Kierunek przewodnictwa: N-MOSFET
Typ tranzystora: unipolarny
Prąd drenu: 120A
Moc: 230W
Napięcie dren-źródło: 40V
Rezystancja w stanie przewodzenia: 3,1mOhm
Obudowa: TO220
Montaż: THT przewlekany
Producent: INFINEON
Certyfikaty: RoHS
W magazynie: 13 szt.
9,87 PLN Cena netto
Kod: IRFB4510PBF
Nazwa: Tranzystor
Symbol: IRFB4510PBF
Kierunek przewodnictwa: N-MOSFET
Typ tranzystora: unipolarny
Prąd drenu: 62A
Moc: 140W
Napięcie dren-źródło: 100V
Rezystancja w stanie przewodzenia: 13,5mOhm
Obudowa: TO220
Montaż: THT przewlekany
Właściwości półprzewodników: HEXFET
Producent: INFINEON
Certyfikaty: RoHS
W magazynie: 25 szt.
5,45 PLN Cena netto
Kod: IRF3710Z
Nazwa: Tranzystor
Symbol: IRF3710Z
Kierunek przewodnictwa: N-MOSFET
Typ tranzystora: unipolarny
Prąd drenu: 59A
Moc: 160W
Napięcie dren-źródło: 100V
Rezystancja w stanie przewodzenia: 18mOhm
Obudowa: TO220
Montaż: THT przewlekany
Właściwości półprzewodników: HEXFET
Producent: INFINEON
Certyfikaty: RoHS
W magazynie: 4 szt.
6,12 PLN Cena netto
Kod: IRFP150M
Nazwa: Tranzystor
Symbol: IRFP150M
Kierunek przewodnictwa: N-MOSFET
Typ tranzystora: unipolarny
Prąd drenu: 42A
Moc: 160W
Napięcie dren-źródło: 100V
Rezystancja w stanie przewodzenia: 36mOhm
Obudowa: TO247
Montaż: THT przewlekany
Właściwości półprzewodników: HEXFET
Producent: INFINEON
Certyfikaty: RoHS
W magazynie: 17 szt.
7,23 PLN Cena netto
Kod: IRL530NSPBF
Nazwa: Tranzystor
Symbol: IRL530NSPBF
Kierunek przewodnictwa: N-MOSFET
Typ tranzystora: unipolarny
Prąd drenu: 17A
Moc: 3,8W
Napięcie dren-źródło: 100V
Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,1Ohm
Obudowa: D2PAK (TO263)
Montaż: SMD powierzchniowy
Właściwości półprzewodników: HEXFET
Producent: INFINEON
Certyfikaty: RoHS
W magazynie: 21 szt.
3,23 PLN Cena netto
Kod: IPP65R150CFDXKSA
Nazwa: Tranzystor
Symbol: IPP65R150CFDXKSA
Kierunek przewodnictwa: N-MOSFET
Typ tranzystora: unipolarny
Prąd drenu: 22,4A
Moc: 195,3W
Napięcie dren-źródło: 650V
Rezystancja w stanie przewodzenia: 150mOhm
Obudowa: TO220
Montaż: THT przewlekany
Właściwości półprzewodników: CoolMOS™
Producent: INFINEON
Certyfikaty: RoHS
W magazynie: 24 szt.
12,25 PLN Cena netto
Kod: IRF1010ES
W magazynie: 18 szt.
5,63 PLN Cena netto
Kod: IPW65R080CFDA
Niedostępny
47,43 PLN Cena netto
Kod: BSS123NH6327
W magazynie: 207 opak.
16,26 PLN / opak. Cena netto
Kod: IRFR120NPBF
Nazwa: Tranzystor
Symbol: IRFR120NPBF
Kierunek przewodnictwa: N-MOSFET
Typ tranzystora: unipolarny
Prąd drenu: 9,4A
Moc: 48W
Napięcie dren-źródło: 100V
Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,21Ohm
Obudowa: DPAK (TO252)
Montaż: SMD powierzchniowy
Producent: INFINEON
Certyfikaty: RoHS
W magazynie: 45 szt.
1,73 PLN Cena netto
Kod: IRLR8743PBF
Nazwa: Tranzystor
Symbol: IRLR8743PBF
Kierunek przewodnictwa: N-MOSFET
Typ tranzystora: unipolarny
Prąd drenu: 160A
Moc: 135W
Napięcie dren-źródło: 30V
Rezystancja w stanie przewodzenia: 5,8mOhm
Obudowa: DPAK (TO252)
Montaż: SMD powierzchniowy
Certyfikaty: RoHS
Niedostępny
6,30 PLN Cena netto
Kod: BSS138WH6327
Nazwa: Tranzystor
Symbol: BSS138WH6327
Kierunek przewodnictwa: N-MOSFET
Typ tranzystora: unipolarny
Prąd drenu: 0,28A
Moc: 500mW
Napięcie dren-źródło: 60V
Rezystancja w stanie przewodzenia: 3,5Ohm
Obudowa: SOT323
Montaż: SMD powierzchniowy
Certyfikaty: RoHS
W magazynie: 55.8 opak.
30,89 PLN / opak. Cena netto
Kod: BSS138NH6327
Nazwa: Tranzystor
Symbol: BSS138NH6327
Kierunek przewodnictwa: N-MOSFET
Typ tranzystora: unipolarny
Prąd drenu: 0,23A
Moc: 360mW
Napięcie dren-źródło: 50V
Rezystancja w stanie przewodzenia: 3,5Ohm
Obudowa: SOT23
Montaż: SMD powierzchniowy
Certyfikaty: RoHS
W magazynie: 41.3 opak.
36,59 PLN / opak. Cena netto
Kod: IPD031N03LGATMA1
Nazwa: Tranzystor
Symbol: IPD031N03LGATMA1
Kierunek przewodnictwa: N-MOSFET
Typ tranzystora: bipolarny
Prąd drenu: 79A
Moc: 97W
Napięcie dren-źródło: 30V
Obudowa: DPAK (TO252)
Montaż: SMD powierzchniowy
Producent: INFINEON
Certyfikaty: RoHS
W magazynie: 1240 szt.
3,24 PLN Cena netto
Kod: IRFR4105TRPBF
Nazwa: Tranzystor
Symbol: IRFR4105TRPBF
Kierunek przewodnictwa: N-MOSFET
Typ tranzystora: unipolarny
Prąd drenu: 27A
Moc: 48W
Napięcie dren-źródło: 55V
Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,045Ohm
Obudowa: DPAK (TO252)
Montaż: SMD powierzchniowy
Właściwości półprzewodników: HEXFET
Producent: INFINEON
Certyfikaty: RoHS
W magazynie: 3778 szt.
1,55 PLN Cena netto
Kod: IRFR4510TRPBF
Nazwa: Tranzystor
Symbol: IRFR4510TRPBF
Kierunek przewodnictwa: N-MOSFET
Typ tranzystora: unipolarny
Prąd drenu: 63A
Moc: 143W
Napięcie dren-źródło: 100V
Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,0139Ohm
Obudowa: DPAK (TO252)
Montaż: SMD powierzchniowy
Właściwości półprzewodników: HEXFET
Producent: INFINEON
Certyfikaty: RoHS
W magazynie: 1924 szt.
3,66 PLN Cena netto
Kod: BSP149H6327
Nazwa: Tranzystor
Symbol: BSP149H6327
Kierunek przewodnictwa: N-MOSFET
Typ tranzystora: unipolarny
Prąd drenu: 0,53A
Moc: 1,8W
Napięcie dren-źródło: 200V
Obudowa: SOT223
Montaż: SMD powierzchniowy
Producent: INFINEON
Certyfikaty: RoHS
W magazynie: 15.8 opak.
141,67 PLN / opak. Cena netto
Kod: BSS159NH6327
Nazwa: Tranzystor
Symbol: BSS159NH6327
Kierunek przewodnictwa: N-MOSFET
Typ tranzystora: unipolarny
Prąd drenu: 230mA
Moc: 360mW
Napięcie dren-źródło: 60V
Rezystancja w stanie przewodzenia: 8Ohm
Obudowa: SOT23
Montaż: SMD powierzchniowy
Certyfikaty: RoHS
W magazynie: 29.2 opak.
36,59 PLN / opak. Cena netto
Kod: IRLML0060TRPBF
Nazwa: Tranzystor
Symbol: IRLML0060TRPBF
Kierunek przewodnictwa: N-MOSFET
Typ tranzystora: unipolarny
Prąd drenu: 2,7A
Moc: 1,25W
Napięcie dren-źródło: 60V
Rezystancja w stanie przewodzenia: 116mOhm
Obudowa: SOT23
Montaż: SMD powierzchniowy
Producent: INFINEON
Certyfikaty: RoHS
W magazynie: 464 szt.
0,73 PLN Cena netto
Kod: IRLB4030PBF
Nazwa: Tranzystor
Symbol: IRLB4030PBF
Kierunek przewodnictwa: N-MOSFET
Typ tranzystora: unipolarny
Prąd drenu: 180A
Moc: 370W
Napięcie dren-źródło: 100V
Rezystancja w stanie przewodzenia: 4,3mOhm
Obudowa: TO220
Montaż: THT przewlekany
Właściwości półprzewodników: logic level
Producent: INFINEON
Certyfikaty: RoHS
Niedostępny
14,00 PLN Cena netto
Kod: IRF9952TRPBF
Nazwa: Tranzystor
Symbol: IRF9952TRPBF
Kierunek przewodnictwa: N/P-MOSFET
Typ tranzystora: unipolarny
Prąd drenu: 3,5/-2,3A
Moc: 2W
Napięcie dren-źródło: 30/-30V
Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,1/0,25Ohm
Obudowa: SO8
Montaż: SMD powierzchniowy
Właściwości półprzewodników: HEXFET
Producent: INFINEON
Certyfikaty: RoHS
W magazynie: 22 szt.
4,73 PLN Cena netto
Kod: BSP129H6327
W magazynie: 9.95 opak.
105,69 PLN / opak. Cena netto
Kod: BSP318SH6327
Nazwa: Tranzystor
Symbol: BSP318SH6327
Kierunek przewodnictwa: N-MOSFET
Typ tranzystora: unipolarny
Prąd drenu: 2,6A
Moc: 1,8W
Napięcie dren-źródło: 60V
Rezystancja w stanie przewodzenia: 120mOhm
Obudowa: SOT223
Montaż: SMD powierzchniowy
Producent: INFINEON
Certyfikaty: RoHS
W magazynie: 9.05 opak.
137,95 PLN / opak. Cena netto
Kod: IRFB3307ZPBF
Nazwa: Tranzystor
Symbol: IRFB3307ZPBF
Kierunek przewodnictwa: N-MOSFET
Typ tranzystora: unipolarny
Prąd drenu: 120A
Moc: 230W
Napięcie dren-źródło: 75V
Rezystancja w stanie przewodzenia: 5,8mOhm
Obudowa: TO220
Montaż: THT przewlekany
Właściwości półprzewodników: HEXFET
Producent: INFINEON
Certyfikaty: RoHS
W magazynie: 33 szt.
9,60 PLN Cena netto
Kod: IPA086N10N3GXKSA1
Nazwa: Tranzystor
Symbol: IPA086N10N3GXKSA1
Kierunek przewodnictwa: N-MOSFET
Typ tranzystora: unipolarny
Prąd drenu: 45A
Moc: 37,5W
Napięcie dren-źródło: 100V
Rezystancja w stanie przewodzenia: 8,6mOhm
Obudowa: TO220FP
Montaż: THT przewlekany
Producent: INFINEON
Certyfikaty: RoHS
W magazynie: 27 szt.
7,66 PLN Cena netto
Kod: BSC026N08NS5A
Nazwa: Tranzystor
Symbol: BSC026N08NS5A
Kierunek przewodnictwa: N-MOSFET
Typ tranzystora: unipolarny
Prąd drenu: 100A
Moc: 156W
Napięcie dren-źródło: 80V
Rezystancja w stanie przewodzenia: 2,6mOhm
Obudowa: PG-TDSON-8
Montaż: SMD powierzchniowy
Producent: INFINEON
Certyfikaty: RoHS
W magazynie: 4970 szt.
6,50 PLN Cena netto
Kod: BSP295
Nazwa: Tranzystor
Symbol: BSP295
Kierunek przewodnictwa: N-MOSFET
Typ tranzystora: unipolarny
Prąd drenu: 1,8A
Moc: 1,8W
Napięcie dren-źródło: 60V
Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,3Ohm
Obudowa: SOT223
Producent: INFINEON
Certyfikaty: RoHS
W magazynie: 11 szt.
2,03 PLN Cena netto
Kod: IRFI3205PBF
Nazwa: Tranzystor
Symbol: IRFI3205PBF
Kierunek przewodnictwa: N-MOSFET
Typ tranzystora: unipolarny
Prąd drenu: 56A
Moc: 48W
Napięcie dren-źródło: 55V
Rezystancja w stanie przewodzenia: 8mOhm
Obudowa: TO220FP
Montaż: THT przewlekany
Certyfikaty: RoHS
W magazynie: 3 szt.
9,57 PLN Cena netto
Kod: IRFB5620PBF
Nazwa: Tranzystor
Symbol: IRFB5620PBF
Kierunek przewodnictwa: N-MOSFET
Typ tranzystora: unipolarny
Prąd drenu: 25A
Moc: 144W
Napięcie dren-źródło: 200V
Rezystancja w stanie przewodzenia: 72,5mOhm
Obudowa: TO220
Montaż: THT przewlekany
Producent: INFINEON
W magazynie: 19 szt.
8,91 PLN Cena netto
Kod: BSP135H6327
Nazwa: Tranzystor
Symbol: BSP135H6327
Kierunek przewodnictwa: N-MOSFET
Typ tranzystora: unipolarny
Prąd drenu: 0,12A
Moc: 1,8W
Napięcie dren-źródło: 600V
Rezystancja w stanie przewodzenia: 60Ohm
Obudowa: SOT223
Montaż: SMD powierzchniowy
Producent: INFINEON
Certyfikaty: RoHS
W magazynie: 9.9 opak.
154,47 PLN / opak. Cena netto
Kod: IRLR3114ZTRPBF
Nazwa: Tranzystor
Symbol: IRLR3114ZTRPBF
Kierunek przewodnictwa: N-MOSFET
Typ tranzystora: unipolarny
Prąd drenu: 130A
Moc: 140W
Napięcie dren-źródło: 40V
Rezystancja w stanie przewodzenia: 4,9mOhm
Obudowa: DPAK (TO252)
Montaż: SMD powierzchniowy
Właściwości półprzewodników: HEXFET; logic level
Producent: INFINEON
Certyfikaty: RoHS
Niedostępny
6,17 PLN Cena netto
Kod: BCR133
W magazynie: 27.6 opak.
13,91 PLN Cena netto
Kod: BCX41
Nazwa: Tranzystor
Symbol: BCX41E6327
Kierunek przewodnictwa: NPN
Typ tranzystora: bipolarny
Prąd kolektora: 800mA
Napięcie kolektor-emiter: 125V
Obudowa: SOT23
Montaż: SMD powierzchniowy
Producent: INFINEON
Certyfikaty: RoHS
W magazynie: 11.55 opak.
25,20 PLN / opak. Cena netto
Kod: BCR08PNH6327
W magazynie: 29.4 opak.
8,94 PLN / opak. Cena netto
Kod: BCR142E6327
W magazynie: 27.5 opak.
8,13 PLN Cena netto
69,92 PLN / opak. Cena netto
Kod: BCV49H6327
Nazwa: Tranzystor
Symbol: BCV49
Kierunek przewodnictwa: NPN
Typ tranzystora: darlington
Prąd kolektora: 500mA
Moc: 1W
Napięcie kolektor-emiter: 60V
Obudowa: SOT89
Montaż: SMD powierzchniowy
Producent: INFINEON
Certyfikaty: RoHS
W magazynie: 10 opak.
50,41 PLN / opak. Cena netto
Kod: IRF7205
Nazwa: Tranzystor
Symbol: IRF7205PBF
Kierunek przewodnictwa: P-MOSFET
Typ tranzystora: unipolarny
Prąd drenu: 4,6A
Moc: 2,5W
Napięcie dren-źródło: 30V
Rezystancja w stanie przewodzenia: 70mOhm
Obudowa: SO8
Montaż: SMD powierzchniowy
Właściwości półprzewodników: HEXFET
Certyfikaty: RoHS
W magazynie: 47 szt.
2,36 PLN Cena netto
Kod: IRFR9024N
Nazwa: Tranzystor
Symbol: IRFR9024
Kierunek przewodnictwa: P-MOSFET
Typ tranzystora: unipolarny
Prąd drenu: 11A
Moc: 38W
Napięcie dren-źródło: 55V
Obudowa: DPAK (TO252)
Montaż: SMD powierzchniowy
Właściwości półprzewodników: HEXFET
Producent: INFINEON
Certyfikaty: RoHS
W magazynie: 49 szt.
1,78 PLN Cena netto
Kod: IRF7314PBF
Nazwa: Tranzystor
Symbol: IRF7314PBF
Kierunek przewodnictwa: 2x P-MOSFET
Typ tranzystora: unipolarny
Prąd drenu: 5,3A
Moc: 2W
Napięcie dren-źródło: 20V
Rezystancja w stanie przewodzenia: 58mOhm
Obudowa: SO8
Montaż: SMD powierzchniowy
Producent: INFINEON
Certyfikaty: RoHS
W magazynie: 42 szt.
2,64 PLN Cena netto
Strona 5 z 6
