Kod: BSS138NH6327
Nazwa: Tranzystor
Symbol: BSS138NH6327
Kierunek przewodnictwa: N-MOSFET
Typ tranzystora: unipolarny
Prąd drenu: 0,23A
Moc: 360mW
Napięcie dren-źródło: 50V
Rezystancja w stanie przewodzenia: 3,5Ohm
Obudowa: SOT23
Montaż: SMD powierzchniowy
Certyfikaty: RoHS
W magazynie: 25.9 opak.
34,15 PLN / opak. Cena netto
Kod: IPD031N03LGATMA1
Nazwa: Tranzystor
Symbol: IPD031N03LGATMA1
Kierunek przewodnictwa: N-MOSFET
Typ tranzystora: bipolarny
Prąd drenu: 79A
Moc: 97W
Napięcie dren-źródło: 30V
Obudowa: DPAK (TO252)
Montaż: SMD powierzchniowy
Producent: INFINEON
Certyfikaty: RoHS
W magazynie: 1240 szt.
2,03 PLN Cena netto
Kod: IRFR4105TRPBF
Nazwa: Tranzystor
Symbol: IRFR4105TRPBF
Kierunek przewodnictwa: N-MOSFET
Typ tranzystora: unipolarny
Prąd drenu: 27A
Moc: 48W
Napięcie dren-źródło: 55V
Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,045Ohm
Obudowa: DPAK (TO252)
Montaż: SMD powierzchniowy
Właściwości półprzewodników: HEXFET
Producent: INFINEON
Certyfikaty: RoHS
W magazynie: 3743 szt.
1,54 PLN Cena netto
Kod: IRFR4510TRPBF
Nazwa: Tranzystor
Symbol: IRFR4510TRPBF
Kierunek przewodnictwa: N-MOSFET
Typ tranzystora: unipolarny
Prąd drenu: 63A
Moc: 143W
Napięcie dren-źródło: 100V
Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,0139Ohm
Obudowa: DPAK (TO252)
Montaż: SMD powierzchniowy
Właściwości półprzewodników: HEXFET
Producent: INFINEON
Certyfikaty: RoHS
W magazynie: 1914 szt.
3,25 PLN Cena netto
Kod: BSP149H6327
Nazwa: Tranzystor
Symbol: BSP149H6327
Kierunek przewodnictwa: N-MOSFET
Typ tranzystora: unipolarny
Prąd drenu: 0,53A
Moc: 1,8W
Napięcie dren-źródło: 200V
Obudowa: SOT223
Montaż: SMD powierzchniowy
Producent: INFINEON
Certyfikaty: RoHS
W magazynie: 15.8 opak.
141,67 PLN / opak. Cena netto
Kod: BSS159NH6327
Nazwa: Tranzystor
Symbol: BSS159NH6327
Kierunek przewodnictwa: N-MOSFET
Typ tranzystora: unipolarny
Prąd drenu: 230mA
Moc: 360mW
Napięcie dren-źródło: 60V
Rezystancja w stanie przewodzenia: 8Ohm
Obudowa: SOT23
Montaż: SMD powierzchniowy
Certyfikaty: RoHS
W magazynie: 19.2 opak.
36,59 PLN / opak. Cena netto
Kod: IRLML0060TRPBF
Nazwa: Tranzystor
Symbol: IRLML0060TRPBF
Kierunek przewodnictwa: N-MOSFET
Typ tranzystora: unipolarny
Prąd drenu: 2,7A
Moc: 1,25W
Napięcie dren-źródło: 60V
Rezystancja w stanie przewodzenia: 116mOhm
Obudowa: SOT23
Montaż: SMD powierzchniowy
Producent: INFINEON
Certyfikaty: RoHS
W magazynie: 369 szt.
0,73 PLN Cena netto
Kod: IRLB4030PBF
Nazwa: Tranzystor
Symbol: IRLB4030PBF
Kierunek przewodnictwa: N-MOSFET
Typ tranzystora: unipolarny
Prąd drenu: 180A
Moc: 370W
Napięcie dren-źródło: 100V
Rezystancja w stanie przewodzenia: 4,3mOhm
Obudowa: TO220
Montaż: THT przewlekany
Właściwości półprzewodników: logic level
Producent: INFINEON
Certyfikaty: RoHS
Niedostępny
14,00 PLN Cena netto
Kod: IRF9952TRPBF
Nazwa: Tranzystor
Symbol: IRF9952TRPBF
Kierunek przewodnictwa: N/P-MOSFET
Typ tranzystora: unipolarny
Prąd drenu: 3,5/-2,3A
Moc: 2W
Napięcie dren-źródło: 30/-30V
Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,1/0,25Ohm
Obudowa: SO8
Montaż: SMD powierzchniowy
Właściwości półprzewodników: HEXFET
Producent: INFINEON
Certyfikaty: RoHS
W magazynie: 22 szt.
4,73 PLN Cena netto
Kod: BSP129H6327
W magazynie: 9.95 opak.
105,69 PLN / opak. Cena netto
Kod: BSP318SH6327
Nazwa: Tranzystor
Symbol: BSP318SH6327
Kierunek przewodnictwa: N-MOSFET
Typ tranzystora: unipolarny
Prąd drenu: 2,6A
Moc: 1,8W
Napięcie dren-źródło: 60V
Rezystancja w stanie przewodzenia: 120mOhm
Obudowa: SOT223
Montaż: SMD powierzchniowy
Producent: INFINEON
Certyfikaty: RoHS
W magazynie: 4.5 opak.
137,95 PLN / opak. Cena netto
Kod: IRFB3307ZPBF
Nazwa: Tranzystor
Symbol: IRFB3307ZPBF
Kierunek przewodnictwa: N-MOSFET
Typ tranzystora: unipolarny
Prąd drenu: 120A
Moc: 230W
Napięcie dren-źródło: 75V
Rezystancja w stanie przewodzenia: 5,8mOhm
Obudowa: TO220
Montaż: THT przewlekany
Właściwości półprzewodników: HEXFET
Producent: INFINEON
Certyfikaty: RoHS
W magazynie: 17 szt.
9,60 PLN Cena netto
Kod: IPA086N10N3GXKSA1
Nazwa: Tranzystor
Symbol: IPA086N10N3GXKSA1
Kierunek przewodnictwa: N-MOSFET
Typ tranzystora: unipolarny
Prąd drenu: 45A
Moc: 37,5W
Napięcie dren-źródło: 100V
Rezystancja w stanie przewodzenia: 8,6mOhm
Obudowa: TO220FP
Montaż: THT przewlekany
Producent: INFINEON
Certyfikaty: RoHS
W magazynie: 27 szt.
7,66 PLN Cena netto
Kod: BSC026N08NS5A
Nazwa: Tranzystor
Symbol: BSC026N08NS5A
Kierunek przewodnictwa: N-MOSFET
Typ tranzystora: unipolarny
Prąd drenu: 100A
Moc: 156W
Napięcie dren-źródło: 80V
Rezystancja w stanie przewodzenia: 2,6mOhm
Obudowa: PG-TDSON-8
Montaż: SMD powierzchniowy
Producent: INFINEON
Certyfikaty: RoHS
W magazynie: 4955 szt.
6,40 PLN Cena netto
Kod: BSP295
Nazwa: Tranzystor
Symbol: BSP295
Kierunek przewodnictwa: N-MOSFET
Typ tranzystora: unipolarny
Prąd drenu: 1,8A
Moc: 1,8W
Napięcie dren-źródło: 60V
Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,3Ohm
Obudowa: SOT223
Producent: INFINEON
Certyfikaty: RoHS
W magazynie: 11 szt.
2,03 PLN Cena netto
Kod: IRFI3205PBF
Nazwa: Tranzystor
Symbol: IRFI3205PBF
Kierunek przewodnictwa: N-MOSFET
Typ tranzystora: unipolarny
Prąd drenu: 56A
Moc: 48W
Napięcie dren-źródło: 55V
Rezystancja w stanie przewodzenia: 8mOhm
Obudowa: TO220FP
Montaż: THT przewlekany
Certyfikaty: RoHS
W magazynie: 3 szt.
9,57 PLN Cena netto
Kod: IRFB5620PBF
Nazwa: Tranzystor
Symbol: IRFB5620PBF
Kierunek przewodnictwa: N-MOSFET
Typ tranzystora: unipolarny
Prąd drenu: 25A
Moc: 144W
Napięcie dren-źródło: 200V
Rezystancja w stanie przewodzenia: 72,5mOhm
Obudowa: TO220
Montaż: THT przewlekany
Producent: INFINEON
W magazynie: 17 szt.
8,91 PLN Cena netto
Kod: BSP135H6327
Nazwa: Tranzystor
Symbol: BSP135H6327
Kierunek przewodnictwa: N-MOSFET
Typ tranzystora: unipolarny
Prąd drenu: 0,12A
Moc: 1,8W
Napięcie dren-źródło: 600V
Rezystancja w stanie przewodzenia: 60Ohm
Obudowa: SOT223
Montaż: SMD powierzchniowy
Producent: INFINEON
Certyfikaty: RoHS
W magazynie: 5.4 opak.
154,47 PLN / opak. Cena netto
Kod: IRLR3114ZTRPBF
Nazwa: Tranzystor
Symbol: IRLR3114ZTRPBF
Kierunek przewodnictwa: N-MOSFET
Typ tranzystora: unipolarny
Prąd drenu: 130A
Moc: 140W
Napięcie dren-źródło: 40V
Rezystancja w stanie przewodzenia: 4,9mOhm
Obudowa: DPAK (TO252)
Montaż: SMD powierzchniowy
Właściwości półprzewodników: HEXFET; logic level
Producent: INFINEON
Certyfikaty: RoHS
Niedostępny
6,17 PLN Cena netto
Kod: IRF7301PBF
Nazwa: Tranzystor
Symbol: IRF7301PBF
Kierunek przewodnictwa: 2x N-MOSFET
Typ tranzystora: unipolarny
Prąd drenu: 5,2A
Moc: 2W
Napięcie dren-źródło: 20V
Rezystancja w stanie przewodzenia: 70mOhm
Obudowa: SO8
Montaż: SMD powierzchniowy
Właściwości półprzewodników: HEXFET
Producent: INFINEON
Certyfikaty: RoHS
W magazynie: 67 szt.
2,54 PLN Cena netto
Kod: IPA60R190P6XKSA1
Nazwa: Tranzystor
Symbol: IPA60R190P6XKSA1
Kierunek przewodnictwa: N-MOSFET
Typ tranzystora: unipolarny
Prąd drenu: 20,2A
Moc: 34W
Napięcie dren-źródło: 600V
Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,19Ohm
Obudowa: TO220FP
Montaż: THT przewlekany
Producent: INFINEON
Certyfikaty: RoHS
W magazynie: 30 szt.
9,05 PLN Cena netto
Kod: IRFR310
W magazynie: 2 szt.
2,89 PLN Cena netto
Kod: IRFB4020PBF
Nazwa: Tranzystor
Symbol: IRFB4020PBF
Kierunek przewodnictwa: N-MOSFET
Typ tranzystora: unipolarny
Prąd drenu: 18A
Moc: 100W
Napięcie dren-źródło: 200V
Rezystancja w stanie przewodzenia: 100mOhm
Obudowa: TO220
Montaż: THT przewlekany
Właściwości półprzewodników: HEXFET
Producent: INFINEON
Certyfikaty: RoHS
W magazynie: 25 szt.
3,75 PLN Cena netto
Kod: BCR133
W magazynie: 27 opak.
13,91 PLN Cena netto
Kod: BCX41
Nazwa: Tranzystor
Symbol: BCX41E6327
Kierunek przewodnictwa: NPN
Typ tranzystora: bipolarny
Prąd kolektora: 800mA
Napięcie kolektor-emiter: 125V
Obudowa: SOT23
Montaż: SMD powierzchniowy
Producent: INFINEON
Certyfikaty: RoHS
W magazynie: 11.35 opak.
25,20 PLN / opak. Cena netto
Kod: BCR08PNH6327
W magazynie: 29.4 opak.
8,94 PLN / opak. Cena netto
Kod: BCR142E6327
W magazynie: 27.5 opak.
8,13 PLN Cena netto
69,92 PLN / opak. Cena netto
Kod: BCV49H6327
Nazwa: Tranzystor
Symbol: BCV49
Kierunek przewodnictwa: NPN
Typ tranzystora: darlington
Prąd kolektora: 500mA
Moc: 1W
Napięcie kolektor-emiter: 60V
Obudowa: SOT89
Montaż: SMD powierzchniowy
Producent: INFINEON
Certyfikaty: RoHS
W magazynie: 9.9 opak.
50,41 PLN / opak. Cena netto
Kod: IRF7205
Nazwa: Tranzystor
Symbol: IRF7205PBF
Kierunek przewodnictwa: P-MOSFET
Typ tranzystora: unipolarny
Prąd drenu: 4,6A
Moc: 2,5W
Napięcie dren-źródło: 30V
Rezystancja w stanie przewodzenia: 70mOhm
Obudowa: SO8
Montaż: SMD powierzchniowy
Właściwości półprzewodników: HEXFET
Certyfikaty: RoHS
W magazynie: 47 szt.
2,36 PLN Cena netto
Kod: IRFR5305PBF
Nazwa: Tranzystor
Symbol: IRFR5305
Kierunek przewodnictwa: P-MOSFET
Typ tranzystora: unipolarny
Prąd drenu: 31A
Moc: 110W
Napięcie dren-źródło: 55V
Rezystancja w stanie przewodzenia: 65mOhm
Obudowa: DPAK (TO252)
Montaż: SMD powierzchniowy
Certyfikaty: RoHS
W magazynie: 15591 szt.
1,50 PLN Cena netto
Kod: IRFR9024N
Nazwa: Tranzystor
Symbol: IRFR9024
Kierunek przewodnictwa: P-MOSFET
Typ tranzystora: unipolarny
Prąd drenu: 11A
Moc: 38W
Napięcie dren-źródło: 55V
Obudowa: DPAK (TO252)
Montaż: SMD powierzchniowy
Właściwości półprzewodników: HEXFET
Producent: INFINEON
Certyfikaty: RoHS
W magazynie: 30 szt.
1,79 PLN Cena netto
Kod: IRF7314PBF
Nazwa: Tranzystor
Symbol: IRF7314PBF
Kierunek przewodnictwa: 2x P-MOSFET
Typ tranzystora: unipolarny
Prąd drenu: 5,3A
Moc: 2W
Napięcie dren-źródło: 20V
Rezystancja w stanie przewodzenia: 58mOhm
Obudowa: SO8
Montaż: SMD powierzchniowy
Producent: INFINEON
Certyfikaty: RoHS
W magazynie: 42 szt.
2,64 PLN Cena netto
Kod: IRF9520N
W magazynie: 51 szt.
2,82 PLN Cena netto
Kod: IRF7204PBF
Nazwa: Tranzystor
Symbol: IRF7204PBF
Kierunek przewodnictwa: P-MOSFET
Typ tranzystora: unipolarny
Prąd drenu: 5,3A
Moc: 2,5W
Napięcie dren-źródło: 20V
Obudowa: SO8
Montaż: SMD powierzchniowy
Producent: INFINEON
Certyfikaty: RoHS
W magazynie: 60 szt.
4,07 PLN Cena netto
Kod: IRF4905S
Nazwa: Tranzystor
Symbol: IRF4905S
Kierunek przewodnictwa: P-MOSFET
Typ tranzystora: unipolarny
Prąd drenu: 74A
Moc: 200W
Napięcie dren-źródło: 55V
Obudowa: D2PAK (TO263)
Montaż: SMD powierzchniowy
Właściwości półprzewodników: HEXFET
Producent: INFINEON
Certyfikaty: RoHS
W magazynie: 60 szt.
6,48 PLN Cena netto
Kod: IRF7416PBF
Nazwa: Tranzystor
Symbol: IRF7416PBF
Kierunek przewodnictwa: P-MOSFET
Typ tranzystora: unipolarny
Prąd drenu: 10A
Moc: 2,5W
Napięcie dren-źródło: 30V
Obudowa: SO8
Montaż: SMD powierzchniowy
Producent: INFINEON
Certyfikaty: RoHS
W magazynie: 27 szt.
2,88 PLN Cena netto
Kod: IRF4905
Nazwa: Tranzystor
Symbol: IRF4905
Kierunek przewodnictwa: P-MOSFET
Typ tranzystora: unipolarny
Prąd drenu: 74A
Moc: 200W
Napięcie dren-źródło: 55V
Obudowa: TO220
Montaż: THT przewlekany
Właściwości półprzewodników: HEXFET
Producent: IRF
Certyfikaty: RoHS
W magazynie: 56 szt.
4,80 PLN Cena netto
Kod: IRF5305PBF
Nazwa: Tranzystor
Symbol: IRF5305
Kierunek przewodnictwa: P-MOSFET
Typ tranzystora: unipolarny
Prąd drenu: 31A
Moc: 110W
Napięcie dren-źródło: 55V
Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,06Ohm
Obudowa: TO220
Montaż: THT przewlekany
Producent: INFINEON
Certyfikaty: RoHS
W magazynie: 359 szt.
3,92 PLN Cena netto
Kod: IRF9317PBF
Nazwa: Tranzystor
Symbol: IRF9317PBF
Kierunek przewodnictwa: P-MOSFET
Typ tranzystora: unipolarny
Prąd drenu: 16A
Moc: 2,5W
Napięcie dren-źródło: 30V
Obudowa: SO8
Montaż: SMD powierzchniowy
Producent: INFINEON
Certyfikaty: RoHS
W magazynie: 12 szt.
5,24 PLN Cena netto
Kod: IRF7424PBF
Nazwa: Tranzystor
Symbol: IRF7424PBF
Kierunek przewodnictwa: P-MOSFET
Typ tranzystora: unipolarny
Prąd drenu: 11A
Moc: 2,5W
Napięcie dren-źródło: 30V
Obudowa: SO8
Montaż: SMD powierzchniowy
Producent: INFINEON
Certyfikaty: RoHS
W magazynie: 146 szt.
2,79 PLN Cena netto
Kod: IRF9530N
Nazwa: Tranzystor
Symbol: IRF9530N
Kierunek przewodnictwa: P-MOSFET
Typ tranzystora: unipolarny
Prąd drenu: 14A
Moc: 79W
Napięcie dren-źródło: 100V
Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,2Ohm
Obudowa: TO220
Montaż: THT przewlekany
Właściwości półprzewodników: HEXFET
Producent: INFINEON
Certyfikaty: RoHS
W magazynie: 55 szt.
3,55 PLN Cena netto
Kod: PVT412LSPBF
Niedostępny
12,09 PLN Cena netto
Kod: IRFU5410PBF
W magazynie: 54 szt.
3,66 PLN Cena netto
Kod: IRFR9120NPBF
Nazwa: Tranzystor
Symbol: IRFR9120N
Kierunek przewodnictwa: P-MOSFET
Typ tranzystora: unipolarny
Prąd drenu: 6,5A
Moc: 39W
Napięcie dren-źródło: 100V
Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,48Ohm
Obudowa: DPAK (TO252)
Montaż: SMD powierzchniowy
Właściwości półprzewodników: HEXFET
Producent: INFINEON
Certyfikaty: RoHS
W magazynie: 38 szt.
2,44 PLN Cena netto
Kod: IRFP9140NPBF
Nazwa: Tranzystor
Symbol: IRFP9140N
Kierunek przewodnictwa: P-MOSFET
Typ tranzystora: unipolarny
Prąd drenu: 21A
Moc: 120W
Napięcie dren-źródło: 100V
Rezystancja w stanie przewodzenia: 117mOhm
Obudowa: TO247
Montaż: THT przewlekany
Właściwości półprzewodników: HEXFET
Producent: IRF
Certyfikaty: RoHS
W magazynie: 16 szt.
13,28 PLN Cena netto
Kod: IRF7425
Nazwa: Tranzystor
Symbol: IRF7425
Kierunek przewodnictwa: P-MOSFET
Typ tranzystora: unipolarny
Prąd drenu: 15A
Moc: 2,8W
Napięcie dren-źródło: 20V
Obudowa: SO8
Montaż: SMD powierzchniowy
Producent: INFINEON
Certyfikaty: RoHS
W magazynie: 20 szt.
4,67 PLN Cena netto
Kod: IRF7342PBF
Nazwa: Tranzystor
Symbol: IRF7342PBF
Kierunek przewodnictwa: 2x P-MOSFET
Typ tranzystora: unipolarny
Prąd drenu: 3,4A
Moc: 2W
Napięcie dren-źródło: 55V
Obudowa: SO8
Montaż: SMD powierzchniowy
Producent: INFINEON
Certyfikaty: RoHS
W magazynie: 70 szt.
2,99 PLN Cena netto
Kod: IRF5210PBF
Nazwa: Tranzystor
Kierunek przewodnictwa: P-MOSFET
Typ tranzystora: unipolarny
Prąd drenu: 40A
Moc: 200W
Napięcie dren-źródło: 100V
Rezystancja w stanie przewodzenia: 60mOhm
Obudowa: TO220
Montaż: THT przewlekany
Certyfikaty: RoHS
W magazynie: 23 szt.
13,29 PLN Cena netto
Kod: IRF9Z34NPBF
Nazwa: Tranzystor
Symbol: IRF9Z34N
Kierunek przewodnictwa: P-MOSFET
Typ tranzystora: unipolarny
Prąd drenu: 19A
Moc: 68W
Napięcie dren-źródło: 55V
Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,1Ohm
Obudowa: TO220
Montaż: THT przewlekany
Właściwości półprzewodników: HEXFET
Certyfikaty: RoHS
W magazynie: 19 szt.
2,84 PLN Cena netto
Strona 6 z 7
