Kod: 2SK2698
Nazwa: Tranzystor
Symbol: 2SC2698
Kierunek przewodnictwa: N-MOSFET
Typ tranzystora: unipolarny
Prąd drenu: 15A
Moc: 150W
Napięcie dren-źródło: 500V
Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,4Ohm
Obudowa: 2-16C1B
Montaż: THT przewlekany
Producent: TOSHIBA
Certyfikaty: RoHS
Niedostępny
9,69 PLN Cena netto
Kod: IRL530NSPBF
Nazwa: Tranzystor
Symbol: IRL530NSPBF
Kierunek przewodnictwa: N-MOSFET
Typ tranzystora: unipolarny
Prąd drenu: 17A
Moc: 3,8W
Napięcie dren-źródło: 100V
Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,1Ohm
Obudowa: D2PAK (TO263)
Montaż: SMD powierzchniowy
Właściwości półprzewodników: HEXFET
Producent: INFINEON
Certyfikaty: RoHS
W magazynie: 21 szt.
3,23 PLN Cena netto
Kod: IPP65R150CFDXKSA
Nazwa: Tranzystor
Symbol: IPP65R150CFDXKSA
Kierunek przewodnictwa: N-MOSFET
Typ tranzystora: unipolarny
Prąd drenu: 22,4A
Moc: 195,3W
Napięcie dren-źródło: 650V
Rezystancja w stanie przewodzenia: 150mOhm
Obudowa: TO220
Montaż: THT przewlekany
Właściwości półprzewodników: CoolMOS™
Producent: INFINEON
Certyfikaty: RoHS
W magazynie: 24 szt.
12,25 PLN Cena netto
Kod: IRF510
Nazwa: Tranzystor
Symbol: IRF510
Kierunek przewodnictwa: N-MOSFET
Typ tranzystora: unipolarny
Prąd drenu: 4A
Moc: 43W
Napięcie dren-źródło: 100V
Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,54Ohm
Obudowa: TO220
Montaż: THT przewlekany
Certyfikaty: RoHS
W magazynie: 55 szt.
2,12 PLN Cena netto
Kod: TK6A65D
Nazwa: Tranzystor
Symbol: TK6A65D
Kierunek przewodnictwa: N-MOSFET
Typ tranzystora: unipolarny
Prąd drenu: 6A
Moc: 45W
Napięcie dren-źródło: 650V
Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,95Ohm
Montaż: THT przewlekany
Producent: TOSHIBA
Certyfikaty: RoHS
Niedostępny
4,11 PLN Cena netto
Kod: SPB20N60S5
W magazynie: 12 szt.
13,93 PLN Cena netto
Kod: YJD60N04A
Nazwa: Tranzystor
Symbol: YJD60N04A
Kierunek przewodnictwa: N-MOSFET
Typ tranzystora: unipolarny
Prąd drenu: 42A
Moc: 35W
Napięcie dren-źródło: 40V
Rezystancja w stanie przewodzenia: 9,5mOhm
Obudowa: DPAK (TO252)
Montaż: SMD powierzchniowy
Właściwości półprzewodników: trench power lv
Producent: YANGJIE TECHNOLOGY
Certyfikaty: RoHS
Niedostępny
0,78 PLN Cena netto
Kod: IRFPF40PBF
Niedostępny
9,76 PLN Cena netto
Kod: BUZ110
Niedostępny
6,99 PLN Cena netto
Kod: IRLZ24NS
W magazynie: 40 szt.
2,89 PLN Cena netto
Kod: STP11NK50Z
W magazynie: 17 szt.
5,19 PLN Cena netto
Kod: IRF3415
Nazwa: Tranzystor
Symbol: IRF3415PBF
Kierunek przewodnictwa: N-MOSFET
Typ tranzystora: unipolarny
Prąd drenu: 43A
Moc: 200W
Napięcie dren-źródło: 150V
Rezystancja w stanie przewodzenia: 42mOhm
Obudowa: TO220
Montaż: THT przewlekany
Certyfikaty: RoHS
W magazynie: 51 szt.
5,78 PLN Cena netto
Kod: STW9N150
Niedostępny
52,23 PLN Cena netto
Kod: AOD482
W magazynie: 4 szt.
2,27 PLN Cena netto
Kod: IXFH50N60X
W magazynie: 6 szt.
50,38 PLN Cena netto
Kod: IRF1010ES
W magazynie: 18 szt.
5,63 PLN Cena netto
Kod: STP44N80
Nazwa: Tranzystor
Symbol: STP44N80
Kierunek przewodnictwa: N-MOSFET
Typ tranzystora: unipolarny
Prąd drenu: 44A
Napięcie dren-źródło: 800V
Obudowa: TO220
Montaż: THT przewlekany
Producent: STMicroelectronics
Certyfikaty: RoHS
Niedostępny
4,07 PLN Cena netto
Kod: FQA9N90C
Nazwa: Tranzystor
Symbol: FQA9N90C
Kierunek przewodnictwa: N-MOSFET
Typ tranzystora: unipolarny
Prąd drenu: 5,7A
Moc: 280W
Napięcie dren-źródło: 900V
Rezystancja w stanie przewodzenia: 1,4Ohm
Obudowa: TO3P
Montaż: THT przewlekany
Producent: ONSEMI
Certyfikaty: RoHS
Niedostępny
17,05 PLN Cena netto
Kod: FQD19N10LTM
Nazwa: Tranzystor
Symbol: FQD19N10LTM
Kierunek przewodnictwa: N-MOSFET
Typ tranzystora: unipolarny
Prąd drenu: 15,6A
Moc: 50W
Napięcie dren-źródło: 100V
Rezystancja w stanie przewodzenia: 450mOhm
Obudowa: DPAK (TO252)
Montaż: SMD powierzchniowy
Producent: ON SEMICONDUCTOR
Certyfikaty: RoHS
W magazynie: 46 szt.
3,68 PLN Cena netto
Kod: WML11N80M3-CYG
Nazwa: Tranzystor
Symbol: WML11N80M3
Kierunek przewodnictwa: N-MOSFET
Typ tranzystora: unipolarny
Prąd drenu: 10,5A
Moc: 31W
Napięcie dren-źródło: 800V
Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,86Ohm
Obudowa: TO220FP
Montaż: THT przewlekany
Certyfikaty: RoHS
W magazynie: 18 szt.
4,51 PLN Cena netto
Kod: IRFBG30PBF
Nazwa: Tranzystor
Symbol: IRFBG30PBF
Kierunek przewodnictwa: N-MOSFET
Typ tranzystora: unipolarny
Prąd drenu: 2A
Moc: 125W
Napięcie dren-źródło: 1000V
Rezystancja w stanie przewodzenia: 5Ohm
Obudowa: TO220
Montaż: THT przewlekany
Producent: VISHAY
Certyfikaty: RoHS
W magazynie: 14 szt.
4,90 PLN Cena netto
Kod: AON7400A
Nazwa: Tranzystor
Symbol: AON7400A
Kierunek przewodnictwa: N-MOSFET
Typ tranzystora: unipolarny
Prąd drenu: 28A
Moc: 10W
Napięcie dren-źródło: 30V
Rezystancja w stanie przewodzenia: 7,5mOhm
Obudowa: DFN3x3 EP
Montaż: SMD powierzchniowy
Producent: ALPHA&OMEGA
Certyfikaty: RoHS
W magazynie: 53 szt.
3,01 PLN Cena netto
Kod: AON7414
W magazynie: 10 szt.
0,81 PLN Cena netto
Kod: IRFB7430PBF
W magazynie: 16 szt.
17,83 PLN Cena netto
Kod: IRFB7534PBF
W magazynie: 24 szt.
9,22 PLN Cena netto
Kod: IRFB3077PBF
W magazynie: 18 szt.
14,09 PLN Cena netto
Kod: IPW65R080CFDA
Niedostępny
47,43 PLN Cena netto
Kod: VN2406L-G
Nazwa: Tranzystor
Symbol: VN2406L-G
Kierunek przewodnictwa: N-MOSFET
Typ tranzystora: unipolarny
Prąd drenu: 1A
Moc: 1W
Napięcie dren-źródło: 240V
Rezystancja w stanie przewodzenia: 6Ohm
Obudowa: TO92
Montaż: THT przewlekany
Producent: MICROCHIP
W magazynie: 1 szt.
4,14 PLN Cena netto
Kod: BSS123.215
W magazynie: 134.94 opak.
21,95 PLN / opak. Cena netto
Kod: BSS123NH6327
W magazynie: 207 opak.
16,26 PLN / opak. Cena netto
Kod: IRFR120NPBF
Nazwa: Tranzystor
Symbol: IRFR120NPBF
Kierunek przewodnictwa: N-MOSFET
Typ tranzystora: unipolarny
Prąd drenu: 9,4A
Moc: 48W
Napięcie dren-źródło: 100V
Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,21Ohm
Obudowa: DPAK (TO252)
Montaż: SMD powierzchniowy
Producent: INFINEON
Certyfikaty: RoHS
W magazynie: 45 szt.
1,73 PLN Cena netto
Kod: BSS138PW
Nazwa: Tranzystor
Symbol: BSS138PW
Kierunek przewodnictwa: N-MOSFET
Typ tranzystora: unipolarny
Prąd drenu: 0,22A
Moc: 360mW
Napięcie dren-źródło: 50V
Rezystancja w stanie przewodzenia: 3,5Ohm
Obudowa: SOT323
Montaż: SMD powierzchniowy
Certyfikaty: RoHS
W magazynie: 25.7 opak.
36,59 PLN / opak. Cena netto
Kod: IRF644SPBF
W magazynie: 37 szt.
9,15 PLN Cena netto
Kod: STP80NF06
Niedostępny
4,42 PLN Cena netto
Kod: IRF644PBF
W magazynie: 27 szt.
4,80 PLN Cena netto
Kod: STP30NF10
Nazwa: Tranzystor
Symbol: STP30NF10
Kierunek przewodnictwa: N-MOSFET
Typ tranzystora: unipolarny
Prąd drenu: 25A
Moc: 115W
Napięcie dren-źródło: 100V
Rezystancja w stanie przewodzenia: 45mOhm
Obudowa: TO220
Montaż: THT przewlekany
Certyfikaty: RoHS
Niedostępny
3,35 PLN Cena netto
Kod: IRLR8743PBF
Nazwa: Tranzystor
Symbol: IRLR8743PBF
Kierunek przewodnictwa: N-MOSFET
Typ tranzystora: unipolarny
Prąd drenu: 160A
Moc: 135W
Napięcie dren-źródło: 30V
Rezystancja w stanie przewodzenia: 5,8mOhm
Obudowa: DPAK (TO252)
Montaż: SMD powierzchniowy
Certyfikaty: RoHS
Niedostępny
6,30 PLN Cena netto
Kod: IRFB4110PBF
Nazwa: Tranzystor
Symbol: IRFB4110PBF
Kierunek przewodnictwa: N-MOSFET
Typ tranzystora: unipolarny
Prąd drenu: 130A
Moc: 370W
Napięcie dren-źródło: 100V
Rezystancja w stanie przewodzenia: 4,5mOhm
Obudowa: TO220AB
Montaż: THT przewlekany
Certyfikaty: RoHS
W magazynie: 17 szt.
15,19 PLN Cena netto
Kod: IRFB3207PBF
Nazwa: Tranzystor
Symbol: IRFB3207PBF
Kierunek przewodnictwa: N-MOSFET
Typ tranzystora: unipolarny
Prąd drenu: 170A
Moc: 300W
Napięcie dren-źródło: 75V
Rezystancja w stanie przewodzenia: 3,6mOhm
Obudowa: TO220
Montaż: THT przewlekany
Właściwości półprzewodników: HEXFET
Certyfikaty: RoHS
W magazynie: 40 szt.
12,17 PLN Cena netto
Kod: BSS138WH6327
Nazwa: Tranzystor
Symbol: BSS138WH6327
Kierunek przewodnictwa: N-MOSFET
Typ tranzystora: unipolarny
Prąd drenu: 0,28A
Moc: 500mW
Napięcie dren-źródło: 60V
Rezystancja w stanie przewodzenia: 3,5Ohm
Obudowa: SOT323
Montaż: SMD powierzchniowy
Certyfikaty: RoHS
W magazynie: 55.8 opak.
30,89 PLN / opak. Cena netto
Kod: BSS138NH6327
Nazwa: Tranzystor
Symbol: BSS138NH6327
Kierunek przewodnictwa: N-MOSFET
Typ tranzystora: unipolarny
Prąd drenu: 0,23A
Moc: 360mW
Napięcie dren-źródło: 50V
Rezystancja w stanie przewodzenia: 3,5Ohm
Obudowa: SOT23
Montaż: SMD powierzchniowy
Certyfikaty: RoHS
W magazynie: 41.3 opak.
36,59 PLN / opak. Cena netto
Kod: IRLL110TRPBF
Nazwa: Tranzystor
Symbol: IRLL110TR
Kierunek przewodnictwa: N-MOSFET
Typ tranzystora: unipolarny
Prąd drenu: 0,93A
Moc: 3,1W
Napięcie dren-źródło: 100V
Rezystancja w stanie przewodzenia: 760mOhm
Obudowa: SOT223
Montaż: SMD powierzchniowy
Certyfikaty: RoHS
W magazynie: 36 szt.
155,75 PLN / opak. Cena netto
Kod: IRF3205ZS
W magazynie: 25 szt.
4,47 PLN Cena netto
Kod: STP20NM60FP
Nazwa: Tranzystor
Symbol: STP20NM60FP
Kierunek przewodnictwa: N-MOSFET
Typ tranzystora: unipolarny
Prąd drenu: 20A
Moc: 45W
Napięcie dren-źródło: 600V
Rezystancja w stanie przewodzenia: 290mOhm
Obudowa: TO220FP
Montaż: THT przewlekany
Producent: STMicroelectronics
Certyfikaty: RoHS
W magazynie: 19 szt.
17,05 PLN Cena netto
Kod: YJB150N06BQ
Nazwa: Tranzystor
Symbol: YJB150N06BQ
Kierunek przewodnictwa: N-MOSFET
Typ tranzystora: unipolarny
Prąd drenu: 105A
Moc: 94W
Napięcie dren-źródło: 60V
Rezystancja w stanie przewodzenia: 5,5mOhm
Obudowa: D2PAK (TO263)
Montaż: SMD powierzchniowy
Właściwości półprzewodników: trench power mv
Producent: YANGJIE TECHNOLOGY
Certyfikaty: RoHS
W magazynie: 29 szt.
6,70 PLN Cena netto
Kod: IPD031N03LGATMA1
Nazwa: Tranzystor
Symbol: IPD031N03LGATMA1
Kierunek przewodnictwa: N-MOSFET
Typ tranzystora: bipolarny
Prąd drenu: 79A
Moc: 97W
Napięcie dren-źródło: 30V
Obudowa: DPAK (TO252)
Montaż: SMD powierzchniowy
Producent: INFINEON
Certyfikaty: RoHS
W magazynie: 1240 szt.
3,24 PLN Cena netto
Kod: SSM6N15FU
Nazwa: Tranzystor
Symbol: SSM6N15FU(T5LFT)
Kierunek przewodnictwa: 2x N-MOSFET
Typ tranzystora: unipolarny
Prąd drenu: 0,1A
Napięcie dren-źródło: 30V
Rezystancja w stanie przewodzenia: 6Ohm
Obudowa: SOT363
Montaż: SMD powierzchniowy
Producent: TOSHIBA
Certyfikaty: RoHS
W magazynie: 16.75 opak.
21,95 PLN / opak. Cena netto
Kod: IRF740LCPBF
Nazwa: Tranzystor
Symbol: IRF740LCPBF
Kierunek przewodnictwa: N-MOSFET
Typ tranzystora: unipolarny
Prąd drenu: 10A
Moc: 125W
Napięcie dren-źródło: 400V
Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,55Ohm
Obudowa: TO220
Montaż: THT przewlekany
Certyfikaty: RoHS
W magazynie: 10 szt.
3,96 PLN Cena netto
Kod: WMK10N80M3-CYG
Nazwa: Tranzystor
Symbol: WMK10N80M3
Kierunek przewodnictwa: N-MOSFET
Typ tranzystora: unipolarny
Prąd drenu: 10A
Moc: 85W
Napięcie dren-źródło: 800V
Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,86Ohm
Obudowa: TO220
Montaż: THT przewlekany
Właściwości półprzewodników: WMOS™ M3
Producent: CYG WAYON
Certyfikaty: RoHS
W magazynie: 9 szt.
4,46 PLN Cena netto
Kod: IXFA110N15T2
Nazwa: Tranzystor
Symbol: IXFA110N15T2
Kierunek przewodnictwa: N-MOSFET
Typ tranzystora: unipolarny
Prąd drenu: 110A
Moc: 480W
Napięcie dren-źródło: 150V
Rezystancja w stanie przewodzenia: 13mOhm
Obudowa: D2PAK (TO263)
Montaż: SMD powierzchniowy
Czas gotowości: 85ns
Producent: IXYS
Certyfikaty: RoHS
W magazynie: 16 szt.
20,62 PLN Cena netto
