Kod: IRFR4105TRPBF
Nazwa: Tranzystor
Symbol: IRFR4105TRPBF
Kierunek przewodnictwa: N-MOSFET
Typ tranzystora: unipolarny
Prąd drenu: 27A
Moc: 48W
Napięcie dren-źródło: 55V
Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,045Ohm
Obudowa: DPAK (TO252)
Montaż: SMD powierzchniowy
Właściwości półprzewodników: HEXFET
Producent: INFINEON
Certyfikaty: RoHS
W magazynie: 3778 szt.
1,55 PLN Cena netto
Kod: IRFR4510TRPBF
Nazwa: Tranzystor
Symbol: IRFR4510TRPBF
Kierunek przewodnictwa: N-MOSFET
Typ tranzystora: unipolarny
Prąd drenu: 63A
Moc: 143W
Napięcie dren-źródło: 100V
Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,0139Ohm
Obudowa: DPAK (TO252)
Montaż: SMD powierzchniowy
Właściwości półprzewodników: HEXFET
Producent: INFINEON
Certyfikaty: RoHS
W magazynie: 1924 szt.
3,66 PLN Cena netto
Kod: IRF7468PBF
W magazynie: 8 szt.
3,25 PLN Cena netto
Kod: DMG3414UQ-7
Nazwa: Tranzystor
Symbol: DMG3414UQ-7
Kierunek przewodnictwa: N-MOSFET
Typ tranzystora: unipolarny
Prąd drenu: 4,2A
Moc: 0,7W
Napięcie dren-źródło: 20V
Obudowa: SOT23
Montaż: SMD powierzchniowy
Właściwości półprzewodników: logic level
Producent: DIODES INCORPORATED
Certyfikaty: RoHS
W magazynie: 58.4 opak.
53,81 PLN / opak. Cena netto
Kod: BSP149H6327
Nazwa: Tranzystor
Symbol: BSP149H6327
Kierunek przewodnictwa: N-MOSFET
Typ tranzystora: unipolarny
Prąd drenu: 0,53A
Moc: 1,8W
Napięcie dren-źródło: 200V
Obudowa: SOT223
Montaż: SMD powierzchniowy
Producent: INFINEON
Certyfikaty: RoHS
W magazynie: 15.8 opak.
141,67 PLN / opak. Cena netto
Kod: NTTFS4821NTAG
Nazwa: Tranzystor
Symbol: NTTFS4821NTAG
Kierunek przewodnictwa: N-MOSFET
Typ tranzystora: unipolarny
Prąd drenu: 57A
Moc: 4,1W
Napięcie dren-źródło: 30V
Obudowa: WDFN-8
Montaż: SMD powierzchniowy
Producent: ON SEMICONDUCTOR
Certyfikaty: RoHS
W magazynie: 1460 szt.
2,20 PLN Cena netto
Kod: SI2302CDS
W magazynie: 0.38 opak.
52,03 PLN Cena netto
Kod: BSS159NH6327
Nazwa: Tranzystor
Symbol: BSS159NH6327
Kierunek przewodnictwa: N-MOSFET
Typ tranzystora: unipolarny
Prąd drenu: 230mA
Moc: 360mW
Napięcie dren-źródło: 60V
Rezystancja w stanie przewodzenia: 8Ohm
Obudowa: SOT23
Montaż: SMD powierzchniowy
Certyfikaty: RoHS
W magazynie: 29.2 opak.
36,59 PLN / opak. Cena netto
Kod: SI4124DY-T1-GE3
Nazwa: Tranzystor
Symbol: SI4124DY-T1-GE3
Kierunek przewodnictwa: N-MOSFET
Typ tranzystora: unipolarny
Prąd drenu: 17A
Moc: 5W
Napięcie dren-źródło: 30V
Rezystancja w stanie przewodzenia: 9,5mOhm
Obudowa: SO8
Montaż: SMD powierzchniowy
Producent: VISHAY
Certyfikaty: RoHS
W magazynie: 14.31 opak.
162,60 PLN / opak. Cena netto
Kod: IRLML0060TRPBF
Nazwa: Tranzystor
Symbol: IRLML0060TRPBF
Kierunek przewodnictwa: N-MOSFET
Typ tranzystora: unipolarny
Prąd drenu: 2,7A
Moc: 1,25W
Napięcie dren-źródło: 60V
Rezystancja w stanie przewodzenia: 116mOhm
Obudowa: SOT23
Montaż: SMD powierzchniowy
Producent: INFINEON
Certyfikaty: RoHS
W magazynie: 464 szt.
0,73 PLN Cena netto
Kod: STD8N65M5
Nazwa: Tranzystor
Symbol: STD8N65M5
Kierunek przewodnictwa: N-MOSFET
Typ tranzystora: unipolarny
Prąd drenu: 7A
Moc: 70W
Napięcie dren-źródło: 650V
Rezystancja w stanie przewodzenia: 6mOhm
Obudowa: DPAK (TO252)
Montaż: SMD powierzchniowy
Certyfikaty: RoHS
W magazynie: 13 szt.
11,60 PLN Cena netto
Kod: STD18N65M5
Nazwa: Tranzystor
Symbol: STD18N55M5
Kierunek przewodnictwa: N-MOSFET
Typ tranzystora: unipolarny
Prąd drenu: 15A
Moc: 110W
Napięcie dren-źródło: 650V
Rezystancja w stanie przewodzenia: 220mOhm
Obudowa: DPAK (TO252)
Montaż: SMD powierzchniowy
Producent: STMicroelectronics
Certyfikaty: RoHS
W magazynie: 20 szt.
15,84 PLN Cena netto
Kod: IRLB4030PBF
Nazwa: Tranzystor
Symbol: IRLB4030PBF
Kierunek przewodnictwa: N-MOSFET
Typ tranzystora: unipolarny
Prąd drenu: 180A
Moc: 370W
Napięcie dren-źródło: 100V
Rezystancja w stanie przewodzenia: 4,3mOhm
Obudowa: TO220
Montaż: THT przewlekany
Właściwości półprzewodników: logic level
Producent: INFINEON
Certyfikaty: RoHS
Niedostępny
14,00 PLN Cena netto
Kod: 2SK3065T100
W magazynie: 990 szt.
1,22 PLN Cena netto
Kod: BTS307E3062ABUMA1
Nazwa: Układ scalony
Symbol: BTS307E3062ABUMA1
Typ układu scalonego: power switch
Prąd wyjściowy: 1,7A
Moc: 50W
Napięcie zasilania: 65V
Rodzaj układu scalonego: high-side
Rodzaj wyjścia: N-Channel
Rezystancja w stanie przewodzenia: 250mOhm
Obudowa: D2PAK (TO263-5)
Montaż: SMD powierzchniowy
Nazwa 2: Tranzystor
Producent: INFINEON
Certyfikaty: RoHS
W magazynie: 11 szt.
20,51 PLN Cena netto
Kod: BUK7Y102-100B
Nazwa: Tranzystor
Symbol: BUK7Y102-100B
Kierunek przewodnictwa: N-MOSFET
Typ tranzystora: unipolarny
Prąd drenu: 15A
Moc: 60W
Napięcie dren-źródło: 100V
Rezystancja w stanie przewodzenia: 102mOhm
Obudowa: SOT669-5
Montaż: SMD powierzchniowy
Producent: NEXPERIA
Certyfikaty: RoHS
W magazynie: 3285 szt.
1,22 PLN Cena netto
Kod: STB55NF06T4
Nazwa: Tranzystor
Symbol: STB55NF06T4
Kierunek przewodnictwa: N-MOSFET
Typ tranzystora: unipolarny
Prąd drenu: 35A
Moc: 110W
Napięcie dren-źródło: 60V
Rezystancja w stanie przewodzenia: 18mOhm
Obudowa: D2PAK (TO263)
Montaż: SMD powierzchniowy
Właściwości półprzewodników: SuperMesh™
Producent: STMicroelectronics
Certyfikaty: RoHS
W magazynie: 10 szt.
3,88 PLN Cena netto
Kod: FQD7N20LTM
Nazwa: Tranzystor
Symbol: FQD7N20LTM
Kierunek przewodnictwa: N-MOSFET
Typ tranzystora: unipolarny
Prąd drenu: 5,5A
Moc: 45W
Napięcie dren-źródło: 200V
Rezystancja w stanie przewodzenia: 450mOhm
Obudowa: DPAK (TO252)
Montaż: SMD powierzchniowy
Producent: ON SEMICONDUCTOR
Certyfikaty: RoHS
W magazynie: 2498 szt.
2,68 PLN Cena netto
Kod: FQPF19N20C
Nazwa: Tranzystor
Symbol: FQPF19N20C
Kierunek przewodnictwa: N-MOSFET
Typ tranzystora: unipolarny
Prąd drenu: 12,1A
Moc: 43W
Napięcie dren-źródło: 200V
Rezystancja w stanie przewodzenia: 170mOhm
Obudowa: TO220FP
Montaż: THT przewlekany
Producent: ONSEMI
Certyfikaty: RoHS
W magazynie: 10 szt.
4,96 PLN Cena netto
Kod: FQD13N10TM
Nazwa: Tranzystor
Symbol: FQD13N10TM
Kierunek przewodnictwa: N-MOSFET
Typ tranzystora: unipolarny
Prąd drenu: 10A
Moc: 40W
Napięcie dren-źródło: 100V
Rezystancja w stanie przewodzenia: 450mOhm
Obudowa: DPAK (TO252)
Montaż: SMD powierzchniowy
Producent: ON SEMICONDUCTOR
Certyfikaty: RoHS
W magazynie: 12 szt.
2,03 PLN Cena netto
Kod: AOTF12N60
W magazynie: 2 szt.
8,54 PLN Cena netto
Kod: STW13NK60Z
W magazynie: 14 szt.
12,96 PLN Cena netto
Kod: STD3NK80Z-1
W magazynie: 12 szt.
3,09 PLN Cena netto
Kod: FDMS8320L
W magazynie: 2969 szt.
6,50 PLN Cena netto
Kod: BSP129H6327
W magazynie: 9.95 opak.
105,69 PLN / opak. Cena netto
Kod: BSP318SH6327
Nazwa: Tranzystor
Symbol: BSP318SH6327
Kierunek przewodnictwa: N-MOSFET
Typ tranzystora: unipolarny
Prąd drenu: 2,6A
Moc: 1,8W
Napięcie dren-źródło: 60V
Rezystancja w stanie przewodzenia: 120mOhm
Obudowa: SOT223
Montaż: SMD powierzchniowy
Producent: INFINEON
Certyfikaty: RoHS
W magazynie: 9.05 opak.
137,95 PLN / opak. Cena netto
Kod: IRFB3307ZPBF
Nazwa: Tranzystor
Symbol: IRFB3307ZPBF
Kierunek przewodnictwa: N-MOSFET
Typ tranzystora: unipolarny
Prąd drenu: 120A
Moc: 230W
Napięcie dren-źródło: 75V
Rezystancja w stanie przewodzenia: 5,8mOhm
Obudowa: TO220
Montaż: THT przewlekany
Właściwości półprzewodników: HEXFET
Producent: INFINEON
Certyfikaty: RoHS
W magazynie: 33 szt.
9,60 PLN Cena netto
Kod: IPA086N10N3GXKSA1
Nazwa: Tranzystor
Symbol: IPA086N10N3GXKSA1
Kierunek przewodnictwa: N-MOSFET
Typ tranzystora: unipolarny
Prąd drenu: 45A
Moc: 37,5W
Napięcie dren-źródło: 100V
Rezystancja w stanie przewodzenia: 8,6mOhm
Obudowa: TO220FP
Montaż: THT przewlekany
Producent: INFINEON
Certyfikaty: RoHS
W magazynie: 27 szt.
7,66 PLN Cena netto
Kod: BSC026N08NS5A
Nazwa: Tranzystor
Symbol: BSC026N08NS5A
Kierunek przewodnictwa: N-MOSFET
Typ tranzystora: unipolarny
Prąd drenu: 100A
Moc: 156W
Napięcie dren-źródło: 80V
Rezystancja w stanie przewodzenia: 2,6mOhm
Obudowa: PG-TDSON-8
Montaż: SMD powierzchniowy
Producent: INFINEON
Certyfikaty: RoHS
W magazynie: 4970 szt.
6,50 PLN Cena netto
Kod: HUF75345G3
Nazwa: Tranzystor
Symbol: HUF75345G3
Kierunek przewodnictwa: N-MOSFET
Typ tranzystora: unipolarny
Prąd drenu: 75A
Moc: 325W
Napięcie dren-źródło: 55V
Rezystancja w stanie przewodzenia: 7mOhm
Obudowa: TO247
Montaż: THT przewlekany
Producent: ON SEMICONDUCTOR
Certyfikaty: RoHS
W magazynie: 3 szt.
12,31 PLN Cena netto
Kod: SQJ158EP-T1-GE3
Nazwa: Tranzystor
Symbol: SQJ158EP-T1-GE3
Kierunek przewodnictwa: N-MOSFET
Typ tranzystora: unipolarny
Prąd drenu: 13A
Moc: 45W
Napięcie dren-źródło: 30V
Rezystancja w stanie przewodzenia: 33mOhm
Obudowa: PowerPAK-SO-8
Montaż: SMD powierzchniowy
Producent: VISHAY
Certyfikaty: RoHS
W magazynie: 2973 szt.
2,91 PLN Cena netto
Kod: STW70N60M2
W magazynie: 3 szt.
50,22 PLN Cena netto
Kod: CS1N80A1H
Nazwa: Tranzystor
Symbol: CS1N80A1H
Kierunek przewodnictwa: N-MOSFET
Typ tranzystora: unipolarny
Prąd drenu: 1A
Moc: 3W
Napięcie dren-źródło: 800V
Rezystancja w stanie przewodzenia: 12Ohm
Obudowa: TO92
Montaż: THT przewlekany
Producent: HUAJING
Certyfikaty: RoHS
Niedostępny
33,00 PLN Cena netto
Kod: AOD4184
Nazwa: Tranzystor
Symbol: AOD4184
Kierunek przewodnictwa: N-MOSFET
Typ tranzystora: unipolarny
Prąd drenu: 40A
Moc: 25W
Napięcie dren-źródło: 40V
Rezystancja w stanie przewodzenia: 12mOhm
Obudowa: DPAK (TO252)
Montaż: SMD powierzchniowy
Producent: ALPHA&OMEGA
Certyfikaty: RoHS
W magazynie: 18 szt.
1,51 PLN Cena netto
Kod: BSP295
Nazwa: Tranzystor
Symbol: BSP295
Kierunek przewodnictwa: N-MOSFET
Typ tranzystora: unipolarny
Prąd drenu: 1,8A
Moc: 1,8W
Napięcie dren-źródło: 60V
Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,3Ohm
Obudowa: SOT223
Producent: INFINEON
Certyfikaty: RoHS
W magazynie: 11 szt.
2,03 PLN Cena netto
Kod: STP75NF75
Nazwa: Tranzystor
Symbol: STP75NF75
Kierunek przewodnictwa: N-MOSFET
Typ tranzystora: unipolarny
Prąd drenu: 70A
Moc: 300W
Napięcie dren-źródło: 75V
Rezystancja w stanie przewodzenia: 11mOhm
Obudowa: TO220
Montaż: THT przewlekany
Producent: STMicroelectronics
Certyfikaty: RoHS
W magazynie: 12 szt.
6,14 PLN Cena netto
Kod: CPC3703CTR
Nazwa: Tranzystor
Symbol: CPC3703CTR
Kierunek przewodnictwa: N-MOSFET
Typ tranzystora: unipolarny
Prąd drenu: 0,36A
Moc: 1,1W
Napięcie dren-źródło: 250V
Rezystancja w stanie przewodzenia: 4Ohm
Obudowa: SOT89
Montaż: SMD powierzchniowy
Producent: IXYS
Certyfikaty: RoHS
W magazynie: 10 opak.
81,30 PLN Cena netto
Kod: CPC5603CTR
Nazwa: Tranzystor
Symbol: CPC5603CTR
Kierunek przewodnictwa: N-MOSFET
Typ tranzystora: unipolarny
Prąd drenu: 0,13A
Moc: 2,5W
Napięcie dren-źródło: 415V
Rezystancja w stanie przewodzenia: 14Ohm
Obudowa: SOT223
Montaż: SMD powierzchniowy
Producent: IXYS
Certyfikaty: RoHS
W magazynie: 19.8 opak.
81,30 PLN Cena netto
Kod: STP80NF10FP
Nazwa: Tranzystor
Symbol: STP80NF10FP
Kierunek przewodnictwa: N-MOSFET
Typ tranzystora: unipolarny
Prąd drenu: 27A
Moc: 45W
Napięcie dren-źródło: 100V
Rezystancja w stanie przewodzenia: 15mOhm
Obudowa: TO220FP
Montaż: THT przewlekany
Producent: STMicroelectronics
Certyfikaty: RoHS
W magazynie: 5 szt.
9,18 PLN Cena netto
Kod: STF34NM60ND
Niedostępny
23,00 PLN Cena netto
Kod: IRFP048N
Nazwa: Tranzystor
Symbol: IRFP048N
Kierunek przewodnictwa: N-MOSFET
Typ tranzystora: unipolarny
Prąd drenu: 64A
Moc: 140W
Napięcie dren-źródło: 55V
Rezystancja w stanie przewodzenia: 16mOhm
Obudowa: TO247
Montaż: THT przewlekany
Producent: IRF
Certyfikaty: RoHS
W magazynie: 25 szt.
4,16 PLN Cena netto
Kod: IRFI3205PBF
Nazwa: Tranzystor
Symbol: IRFI3205PBF
Kierunek przewodnictwa: N-MOSFET
Typ tranzystora: unipolarny
Prąd drenu: 56A
Moc: 48W
Napięcie dren-źródło: 55V
Rezystancja w stanie przewodzenia: 8mOhm
Obudowa: TO220FP
Montaż: THT przewlekany
Certyfikaty: RoHS
W magazynie: 3 szt.
9,57 PLN Cena netto
Kod: FCB20N60FTM
Nazwa: Tranzystor
Symbol: FCB20N60FTM
Kierunek przewodnictwa: N-MOSFET
Typ tranzystora: unipolarny
Prąd drenu: 12,5A
Moc: 208W
Napięcie dren-źródło: 600V
Rezystancja w stanie przewodzenia: 190mOhm
Obudowa: D2PAK (TO263)
Montaż: SMD powierzchniowy
Certyfikaty: RoHS
W magazynie: 9 szt.
22,30 PLN Cena netto
Kod: IRFB5620PBF
Nazwa: Tranzystor
Symbol: IRFB5620PBF
Kierunek przewodnictwa: N-MOSFET
Typ tranzystora: unipolarny
Prąd drenu: 25A
Moc: 144W
Napięcie dren-źródło: 200V
Rezystancja w stanie przewodzenia: 72,5mOhm
Obudowa: TO220
Montaż: THT przewlekany
Producent: INFINEON
W magazynie: 19 szt.
8,91 PLN Cena netto
Kod: BSP135H6327
Nazwa: Tranzystor
Symbol: BSP135H6327
Kierunek przewodnictwa: N-MOSFET
Typ tranzystora: unipolarny
Prąd drenu: 0,12A
Moc: 1,8W
Napięcie dren-źródło: 600V
Rezystancja w stanie przewodzenia: 60Ohm
Obudowa: SOT223
Montaż: SMD powierzchniowy
Producent: INFINEON
Certyfikaty: RoHS
W magazynie: 9.9 opak.
154,47 PLN / opak. Cena netto
Kod: STP6NK60Z
Nazwa: Tranzystor
Symbol: STP6NK60Z
Kierunek przewodnictwa: N-MOSFET
Typ tranzystora: unipolarny
Prąd drenu: 6A
Moc: 110W
Napięcie dren-źródło: 600V
Obudowa: TO220
Montaż: THT przewlekany
Certyfikaty: RoHS
W magazynie: 22 szt.
5,20 PLN Cena netto
Kod: FQD1N80TM
Nazwa: Tranzystor
Symbol: FQD1N80TM
Kierunek przewodnictwa: N-MOSFET
Typ tranzystora: unipolarny
Prąd drenu: 630mA
Moc: 45W
Napięcie dren-źródło: 800V
Rezystancja w stanie przewodzenia: 20Ohm
Obudowa: DPAK (TO252)
Montaż: SMD powierzchniowy
Producent: ON SEMICONDUCTOR
Certyfikaty: RoHS
W magazynie: 2488 szt.
1,95 PLN Cena netto
Kod: STP10NK80Z
Nazwa: Tranzystor
Symbol: STP10NK80Z
Kierunek przewodnictwa: N-MOSFET
Typ tranzystora: unipolarny
Prąd drenu: 9A
Moc: 160W
Napięcie dren-źródło: 800V
Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,9Ohm
Obudowa: TO220
Montaż: THT przewlekany
Producent: STMicroelectronics
Certyfikaty: RoHS
W magazynie: 5 szt.
9,95 PLN Cena netto
Kod: IRFR120PBF
Nazwa: Tranzystor
Symbol: IRFR120PBF
Kierunek przewodnictwa: N-MOSFET
Typ tranzystora: unipolarny
Prąd drenu: 4,9A
Moc: 42W
Napięcie dren-źródło: 100V
Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,27Ohm
Obudowa: DPAK (TO252)
Montaż: SMD powierzchniowy
Producent: VISHAY
Certyfikaty: RoHS
Niedostępny
2,15 PLN Cena netto
Kod: WMP04N70C2
Nazwa: Tranzystor
Symbol: WMP04N70C2
Kierunek przewodnictwa: N-MOSFET
Typ tranzystora: unipolarny
Prąd drenu: 2,6A
Moc: 29W
Napięcie dren-źródło: 700V
Rezystancja w stanie przewodzenia: 2,45Ohm
Obudowa: IPAK (TO251)
Montaż: THT przewlekany
Producent: WAYON
Certyfikaty: RoHS
W magazynie: 20 szt.
1,46 PLN Cena netto
