DARMOWA PRZESYŁKA

DLA ZAMÓWIEŃ OD 400PLN brutto

Oferta dotyczy
całego asortymentu

Dołącz do nas

Szukaj

Znaleziono 442 wyniki dla "N-MOSFET".

Produkty

Kod: IRFR120PBF
Nazwa: Tranzystor
Symbol: IRFR120PBF
Kierunek przewodnictwa: N-MOSFET
Typ tranzystora: unipolarny
Prąd drenu: 4,9A
Moc: 42W
Napięcie dren-źródło: 100V
Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,27Ohm
Obudowa: DPAK (TO252)
Montaż: SMD powierzchniowy
Producent: VISHAY
Certyfikaty: RoHS
Niedostępny
2,15 PLN netto Cena brutto: 2,64 PLN
Kod: WMP04N70C2
Nazwa: Tranzystor
Symbol: WMP04N70C2
Kierunek przewodnictwa: N-MOSFET
Typ tranzystora: unipolarny
Prąd drenu: 2,6A
Moc: 29W
Napięcie dren-źródło: 700V
Rezystancja w stanie przewodzenia: 2,45Ohm
Obudowa: IPAK (TO251)
Montaż: THT przewlekany
Producent: WAYON
Certyfikaty: RoHS
W magazynie: 20 szt.
1,46 PLN netto Cena brutto: 1,80 PLN
Ilość:
Kod: F10NK60
Nazwa: Tranzystor
Symbol: F10NK60
Kierunek przewodnictwa: N-MOSFET
Typ tranzystora: unipolarny
Prąd drenu: 10A
Moc: 35W
Napięcie dren-źródło: 600V
Rezystancja w stanie przewodzenia: 750mOhm
Obudowa: TO220FP
Montaż: THT przewlekany
Producent: WXDH
Certyfikaty: RoHS
W magazynie: 22 szt.
3,66 PLN netto Cena brutto: 4,50 PLN
Ilość:
Kod: IRLR3114ZTRPBF
Nazwa: Tranzystor
Symbol: IRLR3114ZTRPBF
Kierunek przewodnictwa: N-MOSFET
Typ tranzystora: unipolarny
Prąd drenu: 130A
Moc: 140W
Napięcie dren-źródło: 40V
Rezystancja w stanie przewodzenia: 4,9mOhm
Obudowa: DPAK (TO252)
Montaż: SMD powierzchniowy
Właściwości półprzewodników: HEXFET; logic level
Producent: INFINEON
Certyfikaty: RoHS
Niedostępny
6,17 PLN netto Cena brutto: 7,59 PLN
Kod: FDD8896
Nazwa: Tranzystor
Symbol: FDD8896
Kierunek przewodnictwa: N-MOSFET
Typ tranzystora: unipolarny
Prąd drenu: 94A
Moc: 80W
Napięcie dren-źródło: 30V
Rezystancja w stanie przewodzenia: 9,2mOhm
Obudowa: DPAK (TO252)
Montaż: SMD powierzchniowy
Producent: ONSEMI
Certyfikaty: RoHS
W magazynie: 22 szt.
2,68 PLN netto Cena brutto: 3,30 PLN
Ilość:
Kod: ZXMN6A09GTA
Nazwa: Tranzystor
Symbol: ZXMN6A09GTA
Kierunek przewodnictwa: N-MOSFET
Typ tranzystora: unipolarny
Prąd drenu: 6,2A
Moc: 2W
Napięcie dren-źródło: 60V
Rezystancja w stanie przewodzenia: 60mOhm
Obudowa: SOT223
Montaż: SMD powierzchniowy
Producent: DIODES INCORPORATED
Certyfikaty: RoHS
W magazynie: 14 szt.
3,62 PLN netto Cena brutto: 4,45 PLN
Ilość:
Kod: AO3400
Nazwa: Tranzystor
Kierunek przewodnictwa: N-MOSFET
Typ tranzystora: unipolarny
Prąd drenu: 4,7A
Moc: 1,4W
Napięcie dren-źródło: 30V
Rezystancja w stanie przewodzenia: 26,5mOhm
Obudowa: SOT23
Montaż: SMD powierzchniowy
Producent: ALPHA&OMEGA
Certyfikaty: RoHS
Niedostępny
0,3252 PLN netto /szt. Cena brutto: 0,40 PLN
Kod: IRF7301PBF
Nazwa: Tranzystor
Symbol: IRF7301PBF
Kierunek przewodnictwa: 2x N-MOSFET
Typ tranzystora: unipolarny
Prąd drenu: 5,2A
Moc: 2W
Napięcie dren-źródło: 20V
Rezystancja w stanie przewodzenia: 70mOhm
Obudowa: SO8
Montaż: SMD powierzchniowy
Właściwości półprzewodników: HEXFET
Producent: INFINEON
Certyfikaty: RoHS
W magazynie: 37 szt.
2,54 PLN netto Cena brutto: 3,12 PLN
Ilość:
Kod: IXFH50N60P3
Nazwa: Tranzystor
Symbol: IXFH50N60P3
Kierunek przewodnictwa: N-MOSFET
Typ tranzystora: unipolarny
Prąd drenu: 50A
Moc: 1040W
Napięcie dren-źródło: 600V
Obudowa: TO247
Montaż: THT przewlekany
Producent: IXYS
Certyfikaty: RoHS
W magazynie: 14 szt.
39,96 PLN netto Cena brutto: 49,15 PLN
Ilość:
Kod: IPA60R190P6XKSA1
Nazwa: Tranzystor
Symbol: IPA60R190P6XKSA1
Kierunek przewodnictwa: N-MOSFET
Typ tranzystora: unipolarny
Prąd drenu: 20,2A
Moc: 34W
Napięcie dren-źródło: 600V
Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,19Ohm
Obudowa: TO220FP
Montaż: THT przewlekany
Producent: INFINEON
Certyfikaty: RoHS
W magazynie: 28 szt.
9,05 PLN netto Cena brutto: 11,13 PLN
Ilość:
Kod: 2SK1643
Nazwa: Tranzystor
Symbol: 2SK1643
Kierunek przewodnictwa: N-MOSFET
Typ tranzystora: unipolarny
Prąd drenu: 5A
Moc: 125W
Napięcie dren-źródło: 900V
Rezystancja w stanie przewodzenia: 2,5Ohm
Obudowa: TO220
Montaż: THT przewlekany
W magazynie: 8 szt.
9,62 PLN netto Cena brutto: 11,83 PLN
Ilość:
Kod: STP150N10F7
Nazwa: Tranzystor
Symbol: STP150N10F7
Kierunek przewodnictwa: N-MOSFET
Typ tranzystora: unipolarny
Prąd drenu: 110A
Moc: 250W
Napięcie dren-źródło: 100V
Rezystancja w stanie przewodzenia: 4,2mOhm
Obudowa: TO220
Montaż: THT przewlekany
Właściwości półprzewodników: STripFET
Producent: STMicroelectronics
Certyfikaty: RoHS
W magazynie: 28 szt.
10,91 PLN netto Cena brutto: 13,42 PLN
Ilość:
Kod: 12N65
Nazwa: Tranzystor
Symbol: 12N65
Kierunek przewodnictwa: N-MOSFET
Typ tranzystora: unipolarny
Prąd drenu: 12A
Moc: 33,2W
Napięcie dren-źródło: 650V
Rezystancja w stanie przewodzenia: 540mOhm
Obudowa: TO220FP
Montaż: THT przewlekany
Producent: LGE
Certyfikaty: RoHS
W magazynie: 30 szt.
2,50 PLN netto Cena brutto: 3,08 PLN
Ilość:
Kod: SUD50N06-09L-E3
Nazwa: Tranzystor
Symbol: SUD50N06-09L-E3
Kierunek przewodnictwa: N-MOSFET
Typ tranzystora: unipolarny
Prąd drenu: 50A
Moc: 136W
Napięcie dren-źródło: 60V
Rezystancja w stanie przewodzenia: 9,3mOhm
Obudowa: DPAK (TO252)
Montaż: SMD powierzchniowy
Producent: VISHAY
Certyfikaty: RoHS
W magazynie: 10 szt.
5,78 PLN netto Cena brutto: 7,11 PLN
Ilość:
Kod: BSS123-7-F
Nazwa: Tranzystor
Symbol: BSS123-7-F
Kierunek przewodnictwa: N-MOSFET
Typ tranzystora: unipolarny
Prąd drenu: 170mA
Moc: 300mW
Napięcie dren-źródło: 100V
Rezystancja w stanie przewodzenia: 6Ohm
Obudowa: SOT23
Montaż: SMD powierzchniowy
Producent: DIODES INCORPORATED
Certyfikaty: RoHS
W magazynie: 30 opak.
16,26 PLN netto / opak. Cena brutto: 20,00 PLN
Ilość:
Kod: DMG1012TQ-7
Nazwa: Tranzystor
Symbol: DMG1012TQ-7
Kierunek przewodnictwa: N-MOSFET
Typ tranzystora: unipolarny
Prąd drenu: 0,45A
Moc: 0,28W
Napięcie dren-źródło: 20V
Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,3Ohm
Obudowa: SOT523
Montaż: SMD powierzchniowy
Właściwości półprzewodników: ESD
Producent: DIODES
Certyfikaty: RoHS
W magazynie: 29.8 opak.
26,03 PLN netto / opak. Cena brutto: 32,02 PLN
Ilość:
Kod: STP11NM60FD
Nazwa: Tranzystor
Symbol: STP11NM60FD
Kierunek przewodnictwa: N-MOSFET
Typ tranzystora: unipolarny
Prąd drenu: 7A
Moc: 160W
Napięcie dren-źródło: 600V
Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,45Ohm
Obudowa: TO220
Montaż: THT przewlekany
Producent: STMicroelectronics
Certyfikaty: RoHS
W magazynie: 6 szt.
9,00 PLN netto Cena brutto: 11,07 PLN
Ilość:
Kod: IRFP150
Nazwa: Tranzystor
Symbol: IRFP150
Kierunek przewodnictwa: N-MOSFET
Typ tranzystora: unipolarny
Prąd drenu: 41A
Moc: 230W
Napięcie dren-źródło: 100V
Rezystancja w stanie przewodzenia: 55mOhm
Obudowa: TO247
Montaż: THT przewlekany
Producent: SILICONIX
Certyfikaty: RoHS
W magazynie: 4 szt.
7,50 PLN netto Cena brutto: 9,23 PLN
Ilość:
Kod: DMN3404L-7
Nazwa: Tranzystor
Symbol: DMN3404L-7
Kierunek przewodnictwa: N-MOSFET
Typ tranzystora: unipolarny
Prąd drenu: 3A
Moc: 0,72W
Napięcie dren-źródło: 20V
Rezystancja w stanie przewodzenia: 82mOhm
Obudowa: SOT23
Montaż: SMD powierzchniowy
Producent: DIODES INCORPORATED
Certyfikaty: RoHS
W magazynie: 9.4 opak.
25,20 PLN netto / opak. Cena brutto: 31,00 PLN
Ilość:
Kod: IRFB4020PBF
Nazwa: Tranzystor
Symbol: IRFB4020PBF
Kierunek przewodnictwa: N-MOSFET
Typ tranzystora: unipolarny
Prąd drenu: 18A
Moc: 100W
Napięcie dren-źródło: 200V
Rezystancja w stanie przewodzenia: 100mOhm
Obudowa: TO220
Montaż: THT przewlekany
Właściwości półprzewodników: HEXFET
Producent: INFINEON
Certyfikaty: RoHS
W magazynie: 25 szt.
3,75 PLN netto Cena brutto: 4,61 PLN
Ilość:
8,20 PLN netto Cena brutto: 10,09 PLN
Ilość:
Kod: STF9N60M2
Nazwa: Tranzystor
Symbol: STF9N60M2
Kierunek przewodnictwa: N-MOSFET
Typ tranzystora: unipolarny
Prąd drenu: 5,5A
Moc: 20W
Napięcie dren-źródło: 650V
Rezystancja w stanie przewodzenia: 720mOhm
Obudowa: TO220FP
Montaż: THT przewlekany
Producent: STMicroelectronics
Certyfikaty: RoHS
W magazynie: 7 szt.
7,01 PLN netto Cena brutto: 8,62 PLN
Ilość:
Kod: BUK98150-55A/CUF
Nazwa: Tranzystor
Symbol: BUK98150-55A/CUF
Kierunek przewodnictwa: N-MOSFET
Typ tranzystora: unipolarny
Prąd drenu: 3A
Moc: 8W
Napięcie dren-źródło: 55V
Rezystancja w stanie przewodzenia: 276mOhm
Obudowa: SOT223
Montaż: SMD powierzchniowy
Zastosowanie: motoryzacja
Producent: NEXPERIA
Certyfikaty: RoHS
Niedostępny
1,32 PLN netto Cena brutto: 1,62 PLN
Kod: NTMFS4C024NT1G
Nazwa: Tranzystor
Symbol: NTMFS4C024NT1G
Kierunek przewodnictwa: N-MOSFET
Typ tranzystora: unipolarny
Prąd drenu: 21,7A
Moc: 2,57W
Napięcie dren-źródło: 30V
Rezystancja w stanie przewodzenia: 2,8mOhm
Obudowa: DFN5
Montaż: SMD powierzchniowy
Producent: ONSEMI
Producent / Dystrybutor: ONSEMI
Certyfikaty: RoHS
Niedostępny
2,76 PLN netto Cena brutto: 3,39 PLN
Kod: FCH47N60-F133
Nazwa: Tranzystor
Symbol: FCH47N60-F133
Kierunek przewodnictwa: N-MOSFET
Typ tranzystora: unipolarny
Prąd drenu: 47A
Moc: 417W
Napięcie dren-źródło: 600V
Rezystancja w stanie przewodzenia: 70mOhm
Obudowa: TO247
Montaż: THT przewlekany
Właściwości półprzewodników: SuperFET®
Producent: ONSEMI
Producent / Dystrybutor: ONSEMI
Certyfikaty: RoHS
W magazynie: 1 szt.
48,00 PLN netto Cena brutto: 59,04 PLN
Ilość:
Kod: IRF3710STRLPBF
Nazwa: Tranzystor
Symbol: IRF3710STRLPBF
Kierunek przewodnictwa: N-MOSFET
Typ tranzystora: unipolarny
Prąd drenu: 57A
Moc: 200W
Napięcie dren-źródło: 100V
Rezystancja w stanie przewodzenia: 23mOhm
Obudowa: D2PAK (TO263)
Montaż: SMD powierzchniowy
Właściwości półprzewodników: HEXFET
Producent: INFINEON
Producent / Dystrybutor: INFINEON
Certyfikaty: RoHS
W magazynie: 12 szt.
5,40 PLN netto Cena brutto: 6,64 PLN
Ilość:
Kod: WMP09N90C2-CYG
Nazwa: Tranzystor
Symbol: WMP09N90C2
Kierunek przewodnictwa: N-MOSFET
Typ tranzystora: unipolarny
Prąd drenu: 4,8A
Moc: 85W
Napięcie dren-źródło: 900V
Rezystancja w stanie przewodzenia: 1,37Ohm
Obudowa: IPAK (TO251)
Montaż: THT przewlekany
Właściwości półprzewodników: WMOS™ C2
Producent: WAYON
Certyfikaty: RoHS
W magazynie: 8 szt.
3,45 PLN netto Cena brutto: 4,24 PLN
Ilość:
Kod: IRF630N
Nazwa: Tranzystor
Symbol: IRF630N
Kierunek przewodnictwa: N-MOSFET
Typ tranzystora: unipolarny
Prąd drenu: 9,5A
Moc: 82W
Napięcie dren-źródło: 200V
Rezystancja w stanie przewodzenia: 300mOhm
Obudowa: TO220
Montaż: THT przewlekany
Certyfikaty: RoHS
W magazynie: 21 szt.
2,63 PLN netto Cena brutto: 3,23 PLN
Ilość: