Filtruj produkty

Nazwa

Symbol

Typ tranzystora

Kierunek przewodnictwa

Numer katalogowy producenta

Obudowa

Montaż

Prąd kolektora

Moc

Napięcie kolektor-emiter

Właściwości półprzewodników

Zastosowanie

Producent

Producent / Dystrybutor

Certyfikaty

DARMOWA PRZESYŁKA

DLA ZAMÓWIEŃ OD 400PLN brutto

Oferta dotyczy
całego asortymentu

Dołącz do nas

Tranzystory IGBT

Sortuj według
Pokaż na stronie
Kod: IRGP4063D
Nazwa: Tranzystor
Symbol: IRGP4063D
Typ tranzystora: IGBT
Prąd kolektora: 96A
Moc: 330W
Napięcie kolektor-emiter: 600V
Obudowa: TO247
Montaż: THT przewlekany
Certyfikaty: RoHS
W magazynie: 12 szt.
25,15 PLN netto Cena brutto: 30,93 PLN
Ilość:
Kod: NGD8201ANT4G
Nazwa: Tranzystor
Symbol: NGD8201ANT4G
Typ tranzystora: IGBT
Prąd kolektora: 20A
Moc: 125W
Napięcie kolektor-emiter: 440V
Obudowa: DPAK (TO252)
Montaż: SMD powierzchniowy
Producent: LITTELFUSE
Certyfikaty: RoHS
Niedostępny
5,27 PLN netto Cena brutto: 6,48 PLN
Kod: IRGP35B60PDPBF
Nazwa: Tranzystor
Symbol: IRGP35B60PDPBF
Typ tranzystora: IGBT
Prąd kolektora: 40A
Moc: 308W
Napięcie kolektor-emiter: 600V
Obudowa: TO247
Montaż: THT przewlekany
Certyfikaty: RoHS
W magazynie: 13 szt.
27,34 PLN netto Cena brutto: 33,63 PLN
Ilość:
Kod: IXXH80N65B4
Nazwa: Tranzystor
Symbol: IXXH80N65B4
Typ tranzystora: IGBT
Prąd kolektora: 80A
Moc: 625W
Napięcie kolektor-emiter: 650V
Obudowa: TO247
Montaż: THT przewlekany
Producent: IXYS
Certyfikaty: RoHS
Niedostępny
37,00 PLN netto Cena brutto: 45,51 PLN
Kod: IKW40N65H5FKSA1
Nazwa: Tranzystor
Symbol: IKW50N60H3
Typ tranzystora: IGBT
Prąd kolektora: 50A
Moc: 167W
Napięcie kolektor-emiter: 600V
Obudowa: TO247
Montaż: THT przewlekany
Certyfikaty: RoHS
Niedostępny
23,00 PLN netto Cena brutto: 28,29 PLN
Kod: IRG4PH40U
Nazwa: Tranzystor
Symbol: IRG4PH40UPBF
Typ tranzystora: IGBT
Prąd kolektora: 41A
Moc: 160W
Napięcie kolektor-emiter: 1200V
Obudowa: TO247
Montaż: THT przewlekany
Producent: IRF
Certyfikaty: RoHS
W magazynie: 2 szt.
20,13 PLN netto Cena brutto: 24,76 PLN
Ilość:
Kod: IRG4PH40UD
Nazwa: Tranzystor
Symbol: IRG4PH40UDPBF
Typ tranzystora: IGBT
Prąd kolektora: 41A
Moc: 160W
Napięcie kolektor-emiter: 1200V
Obudowa: TO247
Montaż: THT przewlekany
Właściwości półprzewodników: +dioda
Producent: IRF
Certyfikaty: RoHS
Niedostępny
21,55 PLN netto Cena brutto: 26,51 PLN
Kod: IHW30N120R5XKSA1
Nazwa: Tranzystor
Symbol: IHW30N120R5
Typ tranzystora: IGBT
Prąd kolektora: 30A
Moc: 312W
Napięcie kolektor-emiter: 1200V
Obudowa: TO247
Montaż: THT przewlekany
Producent: INFINEON
Certyfikaty: RoHS
W magazynie: 10 szt.
14,99 PLN netto Cena brutto: 18,44 PLN
Ilość:
Kod: IRG4PH50UDPBF
Nazwa: Tranzystor
Symbol: IRG4PH50UDPBF
Typ tranzystora: IGBT
Prąd kolektora: 45A
Moc: 200W
Napięcie kolektor-emiter: 1200V
Obudowa: TO247
Montaż: THT przewlekany
Właściwości półprzewodników: +dioda
Producent: INFINEON
Certyfikaty: RoHS
Niedostępny
29,00 PLN netto Cena brutto: 35,67 PLN
Pokaż na stronie

Tranzystory IGBT – Wydajność i Precyzja w Elektronice Mocy

W asortymencie sklepu EiE24.pl (Elektronik s.c.) z siedzibą w Ostrowie Wielkopolskim znajdziesz bogaty wybór zaawansowanych półprzewodników, wśród których kluczowe miejsce zajmują tranzystory IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor). Są to tranzystory bipolarne z izolowaną bramką, które stanowią genialne połączenie najlepszych cech dwóch technologii: łatwości sterowania właściwej dla tranzystorów MOSFET (wejście) oraz wysokiej obciążalności prądowej charakterystycznej dla tranzystorów bipolarnych (wyjście).

Dlaczego warto wybrać tranzystory typu IGBT?

Tranzystory IGBT są cenione przede wszystkim za niskie napięcie w stanie załączenia, co czyni je bardziej ekonomiczną alternatywą dla tradycyjnych modeli MOSFET w aplikacjach wysokiej mocy.

Kluczowe zalety technologii IGBT:

  • Zwiększona przewodność: Dzięki wstrzykiwaniu nośników dziurowych, rezystancja w obszarze dryftu jest znacznie niższa niż w standardowych układach.

  • Redukcja strat energii: Zastosowanie tranzystora IGBT pozwala ograniczyć straty energii nawet o 60%, co przekłada się na wyższą sprawność całego urządzenia.

  • Szeroki zakres regulacji: Zapewniają lepsze parametry sterowania i szersze spektrum możliwości w projektowaniu układów.

  • Praca z wysokim napięciem: Idealnie sprawdzają się w wymagających instalacjach, gdzie tradycyjne podzespoły mogą okazać się niewystarczające.


Zastosowanie i parametry techniczne

Tranzystory IGBT z naszej oferty znajdują zastosowanie głównie w przemiennikach częstotliwości (falownikach) o mocach sięgających nawet kilkuset watów, a także w spawarkach inwertorowych, systemach zasilania UPS oraz sterownikach silników elektrycznych.

Na jakie parametry zwrócić uwagę?

W EiE24.pl w Ostrowie Wielkopolskim oferujemy modele różniące się kluczowymi parametrami:

  • Napięcie kolektor-emiter oraz bramka-emiter,

  • Maksymalny prąd kolektora (ciągły i w impulsie),

  • Maksymalna moc rozpraszania,

  • Napięcie przewodzenia i ładunek bramki,

  • Typ obudowy i zakres temperatur pracy.

Profesjonalne wsparcie w EiE24.pl Ostrów Wielkopolski

Wybór odpowiedniego tranzystora mocy jest kluczowy dla trwałości Twojego projektu. Jeśli nie jesteś pewien, który model wybrać, nasi pracownicy w biurze w Ostrowie Wielkopolskim służą fachową wiedzą i pomogą dopasować podzespół do konkretnej aplikacji.

Każdy tranzystor IGBT dostępny w naszej ofercie to urządzenie najwyższej jakości od renomowanych producentów, co gwarantuje niezawodną pracę i bezpieczeństwo Twoich układów.

Sprawdź pełną ofertę półprzewodników:

Zapraszamy do zapoznania się z naszym pełnym asortymentem na stronie: eie24.pl/tranzystory/.

e-mail: sklep@eie24.pl  Telefon: 62 735-13-10  Adres: ul. Południowa 72, 63-400 Ostrów Wielkopolski