Filtruj produkty

Nazwa

Symbol

Typ tranzystora

Kierunek przewodnictwa

Numer katalogowy producenta

Obudowa

Montaż

Prąd kolektora

Moc

Napięcie kolektor-emiter

Właściwości półprzewodników

Zastosowanie

Producent

Producent / Dystrybutor

Certyfikaty

DARMOWA PRZESYŁKA

DLA ZAMÓWIEŃ OD 400PLN brutto

Oferta dotyczy
całego asortymentu

Dołącz do nas

Tranzystory IGBT

Sortuj według
Pokaż na stronie
Kod: FGH40N60SMD
Nazwa: Tranzystor
Symbol: FGH40N60SMD
Typ tranzystora: IGBT
Prąd kolektora: 80A
Moc: 349W
Napięcie kolektor-emiter: 600V
Obudowa: TO247
Montaż: THT przewlekany
Producent: FAIRCHILD
Certyfikaty: RoHS
W magazynie: 7 szt.
24,88 PLN netto Cena brutto: 30,60 PLN
Ilość:
Kod: IHW20N135R3
Nazwa: Tranzystor
Symbol: IHW20N135R3
Typ tranzystora: IGBT
Prąd kolektora: 20A
Moc: 310W
Napięcie kolektor-emiter: 1350V
Obudowa: TO247
Montaż: THT przewlekany
Właściwości półprzewodników: +dioda
Producent: INFINEON
Certyfikaty: RoHS
W magazynie: 16 szt.
15,53 PLN netto Cena brutto: 19,10 PLN
Ilość:
Kod: IHW20N135R5XKSA1
Nazwa: Tranzystor
Symbol: IHW20N135R5XKSA1
Typ tranzystora: IGBT
Prąd kolektora: 20A
Moc: 288W
Napięcie kolektor-emiter: 1350V
Obudowa: TO247
Montaż: THT przewlekany
Właściwości półprzewodników: +dioda
Producent: INFINEON
Certyfikaty: RoHS
W magazynie: 5 szt.
15,50 PLN netto Cena brutto: 19,07 PLN
Ilość:
Kod: IGB10N60T
Nazwa: Tranzystor
Symbol: IGB10N60TATMA1
Typ tranzystora: IGBT
Prąd kolektora: 24A
Moc: 110W
Napięcie kolektor-emiter: 600V
Obudowa: D2PAK (TO263)
Montaż: SMD powierzchniowy
Producent: INFINEON
Certyfikaty: RoHS
W magazynie: 14 szt.
6,20 PLN netto Cena brutto: 7,63 PLN
Ilość:
Kod: GT40WR21
Nazwa: Tranzystor
Symbol: GT40WR21
Typ tranzystora: IGBT
Prąd kolektora: 40A
Moc: 375W
Napięcie kolektor-emiter: 1800V
Obudowa: TO3PN
Montaż: THT przewlekany
Właściwości półprzewodników: integrated anti-parallel diode
Producent: TOSHIBA
Certyfikaty: RoHS
W magazynie: 6 szt.
52,85 PLN netto Cena brutto: 65,01 PLN
Ilość:
Kod: ISL9V3040S3ST
Nazwa: Tranzystor
Symbol: ISL9V3040S3ST
Typ tranzystora: IGBT
Prąd kolektora: 17A
Moc: 150W
Napięcie kolektor-emiter: 450V
Obudowa: D2PAK (TO263)
Montaż: SMD powierzchniowy
Zastosowanie: motoryzacja; systemy zapłonowe
Producent: ONSEMI
Certyfikaty: RoHS
W magazynie: 11 szt.
13,86 PLN netto Cena brutto: 17,05 PLN
Ilość:
Kod: AOK60B60D1
Nazwa: Tranzystor
Typ tranzystora: IGBT
Obudowa: TO247
Montaż: THT przewlekany
Certyfikaty: RoHS
Niedostępny
22,32 PLN netto Cena brutto: 27,45 PLN
Kod: IGD06N60TATMA1
Nazwa: Tranzystor
Symbol: IGD06N60TATMA1
Typ tranzystora: IGBT
Prąd kolektora: 6A
Moc: 88W
Napięcie kolektor-emiter: 600V
Obudowa: DPAK (TO252)
Montaż: SMD powierzchniowy
Producent: INFINEON
Certyfikaty: RoHS
W magazynie: 19 szt.
3,66 PLN netto Cena brutto: 4,50 PLN
Ilość:
Kod: GT60J323
Nazwa: Tranzystor
Symbol: GT60J323
Typ tranzystora: IGBT
Prąd kolektora: 60A
Moc: 170W
Napięcie kolektor-emiter: 600V
Obudowa: TO3
Montaż: THT przewlekany
Producent: TOSHIBA
W magazynie: 3 szt.
69,11 PLN netto Cena brutto: 85,01 PLN
Ilość:
Pokaż na stronie

Tranzystory IGBT – Wydajność i Precyzja w Elektronice Mocy

W asortymencie sklepu EiE24.pl (Elektronik s.c.) z siedzibą w Ostrowie Wielkopolskim znajdziesz bogaty wybór zaawansowanych półprzewodników, wśród których kluczowe miejsce zajmują tranzystory IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor). Są to tranzystory bipolarne z izolowaną bramką, które stanowią genialne połączenie najlepszych cech dwóch technologii: łatwości sterowania właściwej dla tranzystorów MOSFET (wejście) oraz wysokiej obciążalności prądowej charakterystycznej dla tranzystorów bipolarnych (wyjście).

Dlaczego warto wybrać tranzystory typu IGBT?

Tranzystory IGBT są cenione przede wszystkim za niskie napięcie w stanie załączenia, co czyni je bardziej ekonomiczną alternatywą dla tradycyjnych modeli MOSFET w aplikacjach wysokiej mocy.

Kluczowe zalety technologii IGBT:

  • Zwiększona przewodność: Dzięki wstrzykiwaniu nośników dziurowych, rezystancja w obszarze dryftu jest znacznie niższa niż w standardowych układach.

  • Redukcja strat energii: Zastosowanie tranzystora IGBT pozwala ograniczyć straty energii nawet o 60%, co przekłada się na wyższą sprawność całego urządzenia.

  • Szeroki zakres regulacji: Zapewniają lepsze parametry sterowania i szersze spektrum możliwości w projektowaniu układów.

  • Praca z wysokim napięciem: Idealnie sprawdzają się w wymagających instalacjach, gdzie tradycyjne podzespoły mogą okazać się niewystarczające.


Zastosowanie i parametry techniczne

Tranzystory IGBT z naszej oferty znajdują zastosowanie głównie w przemiennikach częstotliwości (falownikach) o mocach sięgających nawet kilkuset watów, a także w spawarkach inwertorowych, systemach zasilania UPS oraz sterownikach silników elektrycznych.

Na jakie parametry zwrócić uwagę?

W EiE24.pl w Ostrowie Wielkopolskim oferujemy modele różniące się kluczowymi parametrami:

  • Napięcie kolektor-emiter oraz bramka-emiter,

  • Maksymalny prąd kolektora (ciągły i w impulsie),

  • Maksymalna moc rozpraszania,

  • Napięcie przewodzenia i ładunek bramki,

  • Typ obudowy i zakres temperatur pracy.

Profesjonalne wsparcie w EiE24.pl Ostrów Wielkopolski

Wybór odpowiedniego tranzystora mocy jest kluczowy dla trwałości Twojego projektu. Jeśli nie jesteś pewien, który model wybrać, nasi pracownicy w biurze w Ostrowie Wielkopolskim służą fachową wiedzą i pomogą dopasować podzespół do konkretnej aplikacji.

Każdy tranzystor IGBT dostępny w naszej ofercie to urządzenie najwyższej jakości od renomowanych producentów, co gwarantuje niezawodną pracę i bezpieczeństwo Twoich układów.

Sprawdź pełną ofertę półprzewodników:

Zapraszamy do zapoznania się z naszym pełnym asortymentem na stronie: eie24.pl/tranzystory/.

e-mail: sklep@eie24.pl  Telefon: 62 735-13-10  Adres: ul. Południowa 72, 63-400 Ostrów Wielkopolski