DARMOWA PRZESYŁKA
 |
DLA ZAMÓWIEŃ OD 400PLN nettoOferta dotyczycałego asortymentu |
Tranzystor IGBT IHW25N120E1XKSA1 25A/1200V | Technologia TrenchStop RC | Infineon
Postaw na innowację i wydajność z tranzystorem
IGBT IHW25N120E1XKSA1 od Infineon Technologies. Jest to
zaawansowany tranzystor IGBT 1200V oparty na rewolucyjnej technologii
TrenchStop RC (Reverse Conducting), co oznacza, że w jednym module zintegrowano
szybki tranzystor IGBT oraz zoptymalizowaną diodę przeciwsobną
(antyrównoległą).
Ten IGBT TrenchStop RC to idealne
rozwiązanie do aplikacji z miękkim przełączaniem (soft switching), takich jak
zasilacze rezonansowe, przetwornice LLC, systemy grzewcze indukcyjne oraz
falowniki. Kluczowe parametry to wysoki prąd kolektora
wynoszący 25A oraz napięcie kolektor-emiter
aż do 1200V.
Tranzystor, o maksymalnej mocy strat 92.4W, jest zamknięty
w standardowej obudowie TO-247-3 THT (montaż przewlekany), co gwarantuje
doskonałe odprowadzanie ciepła i ułatwia montaż w układach mocy. Model
Infineon IHW25N120E1XKSA1 zapewnia ekstremalnie niskie straty
przełączania i przewodzenia.
Jeśli potrzebujesz niezawodnego IGBT 25A 1200V o najwyższej efektywności energetycznej, wybierz technologię Infineon. Produkt jest zgodny z dyrektywą RoHS.
Specyfikacja Techniczna:
-
Typ elementu: Tranzystor IGBT z diodą przeciwsobną (RC – Reverse Conducting)
-
Technologia: TrenchStop™
-
Oznaczenie: IHW25N120E1XKSA1
-
Prąd kolektora (): 25A
-
Napięcie kolektor-emiter (): 1200V
-
Moc strat (): 92.4W
-
Obudowa: TO-247-3 (THT)
-
Producent: Infineon Technologies
Załączniki
Produkty skojarzone
NIP: 622 010 59 74 REGON: 250432504 |
Informacja |
Wysyłka |
Bezpieczeństwo |
Dostępne metody wysyłki
Bezpieczeństwo płatności
