DARMOWA PRZESYŁKA
 |
DLA ZAMÓWIEŃ OD 400PLN nettoOferta dotyczycałego asortymentu |
Tranzystor IGBT YGW40N65F1 40A/650V TO-247 | Moc 250W Luxin Semi
Zwiększ wydajność swoich systemów zasilania dzięki
nowemu tranzystorowi IGBT YGW40N65F1 od Luxin Semi. Ten
wysokowydajny tranzystor bipolarny z izolowaną bramką został zaprojektowany z
myślą o wymagających aplikacjach energoelektronicznych.
To idealny tranzystor IGBT 650V, zapewniający szybkie przełączanie i niskie straty mocy, co czyni go doskonałym wyborem do falowników, zasilaczy rezonansowych, systemów UPS oraz przetwornic DC/DC. Kluczowe parametry to maksymalny prąd kolektora wynoszący 40A oraz napięcie kolektor-emiter do 650V. Zdolność do rozproszenia mocy 250W podkreśla jego przeznaczenie do pracy w trudnych warunkach.
IGBT YGW40N65F1 zamknięty jest w
wytrzymałej obudowie TO-247 THT (montaż przewlekany), co jest standardem w
aplikacjach dużej mocy i ułatwia efektywne odprowadzanie ciepła. Wybierając ten
tranzystor mocy TO-247, inwestujesz w komponent zgodny z dyrektywą RoHS i
gwarantujący stabilną, długotrwałą pracę.
Sprawdź datasheet YGW40N65F1 i przekonaj się o jego niezawodności w Twoim projekcie.
Specyfikacja Techniczna:
-
Typ elementu: Tranzystor IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor)
-
Oznaczenie: YGW40N65F1
-
Prąd kolektora (): 40A
-
Napięcie kolektor-emiter (): 650V
-
Moc strat (): 250W
-
Obudowa: TO-247 (THT)
-
Producent: Luxin Semi
-
Zgodność: RoHS
Załączniki
- YGW40N65F1 LUXIN-SEMI - Karta katalogowa (645.05 KB)
Akcesoria i dodatki
Produkty skojarzone
NIP: 622 010 59 74 REGON: 250432504 |
Informacja |
Wysyłka |
Bezpieczeństwo |
Dostępne metody wysyłki
Bezpieczeństwo płatności
