DARMOWA PRZESYŁKA
 |
DLA ZAMÓWIEŃ OD 400PLN nettoOferta dotyczycałego asortymentu |
Tranzystor IGBT IKW30N60H3 Infineon – Wysoka Moc
i Niezawodność
Odkryj tranzystor IKW30N60H3 –
zaawansowany komponent z technologią IGBT (Insulated-Gate Bipolar Transistor) od
firmy Infineon. Ten tranzystor IGBT 600V 60A (moc 187W) został zaprojektowany z
myślą o najbardziej wymagających aplikacjach w
energoelektronice.
Jest to IGBT N-kanałowy w niezawodnej, przewlekanej
obudowie TO247AD THT, która ułatwia montaż w systemach wysokoprądowych i
efektywne odprowadzanie ciepła. Kluczową zaletą tego modelu jest wbudowana,
szybka dioda (K30H603), która minimalizuje straty przełączania
i zwiększa wydajność.
Tranzystor IKW30N60H3 to idealny wybór jako tranzystor IGBT do falowników, zasilaczy UPS, przetwornic rezonansowych oraz nowoczesnych spawarek inwerterowych. Jego parametry gwarantują stabilną i długotrwałą pracę w trudnych warunkach przemysłowych. Wybierz profesjonalny IGBT z diodą TO247, aby zapewnić najwyższą wydajność swoim projektom.
Załączniki
- IKW30N60H3 - Karta katalogowa (2.14 MB)
Produkty skojarzone
NIP: 622 010 59 74 REGON: 250432504 |
Informacja |
Wysyłka |
Bezpieczeństwo |
Dostępne metody wysyłki
Bezpieczeństwo płatności
