Zapraszamy również do naszej hurtowni stacjonarnej 8:00 - 17:00 ul. Południowa 72, 63-400 Ostrów Wlkp. |
![]() |
![]() |
DLA ZAMÓWIEŃ OD 400PLN nettoOferta dotyczycałego asortymentu |
Dzięki obudowie TO-247 i montażowi THT (przewlekanemu), tranzystor zapewnia nie tylko efektywne odprowadzanie ciepła, ale także stabilność mechaniczną i łatwość integracji z klasycznymi płytkami PCB.
Produkt należy do serii H3, co gwarantuje wysoką niezawodność, szybkie czasy przełączania i niskie straty przejściowe – idealne dla aplikacji wymagających wysokiej sprawności energetycznej.
🔋 Najważniejsze cechy:
Typ: Tranzystor IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor)
Model: IKW40N120H3
Producent: Infineon Technologies
Maks. prąd kolektora: 80 A
Napięcie U<sub>CE</sub>: 1200 V
Moc strat: 483 W
Obudowa: TO-247, montaż THT
Seria: H3
Zgodność z normą RoHS
💡 Zastosowanie:
Przemysłowe układy zasilające
Falowniki i przekształtniki
Elektronika energetyczna
Zasilacze UPS
Sterowniki silników
![]()
NIP: 622 010 59 74 REGON: 250432504 |
Informacja |
Wysyłka |
Bezpieczeństwo |