Tranzystory N-MOSFET

Bestseller

Tranzystor; IRFR120NPBF; N-MOSFET; 9,4A; 100V; 48W; unipolarny; HEXFET; DPAK; TO252; SMD; INFINEON; RoHS

Kod: IRFR120NPBF

Nazwa: Tranzystor

Symbol: IRFR120NPBF

Kierunek przewodnictwa: N-MOSFET

Typ tranzystora: unipolarny

Prąd drenu: 9,4A

Moc: 48W

Napięcie dren-źródło: 100V

Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,21Ohm

Obudowa: DPAK (TO252)

Montaż: SMD powierzchniowy

Producent: INFINEON

Certyfikaty: RoHS

Bądź pierwszy i napisz opinię.

W magazynie: 27 szt.

Szczegółowy opis ›

1,73 PLN netto Cena brutto: 2,13 PLN

Bestseller

Tranzystor; BSS138PW; N-MOSFET; 220mA; 300mW; 50V; logic level; unipolarny; SOT323; SMD; RoHS; op/100szt

Kod: BSS138PW

Nazwa: Tranzystor

Symbol: BSS138PW

Kierunek przewodnictwa: N-MOSFET

Typ tranzystora: unipolarny

Prąd drenu: 0,22A

Moc: 360mW

Napięcie dren-źródło: 50V

Rezystancja w stanie przewodzenia: 3,5Ohm

Obudowa: SOT323

Montaż: SMD powierzchniowy

Certyfikaty: RoHS

Bądź pierwszy i napisz opinię.

W magazynie: 15.7 opak.

Szczegółowy opis ›

32,52 PLN netto / opak. Cena brutto: 40,00 PLN

Bestseller

Tranzystor; IRF644SPBF; N-MOSFET; 250V; 8,5A; 125W; 280mOhm; unipolarny; D2PAK (TO263); SMD; VISHAY; RoHS

Kod: IRF644SPBF

Bądź pierwszy i napisz opinię.

W magazynie: 27 szt.

Szczegółowy opis ›

9,15 PLN netto Cena brutto: 11,25 PLN

Bestseller

Tranzystor; STP80NF06; N-MOSFET; 80A; 60V; 300W; 8mOhm; unipolarny; TO220; THT; ST Microelectronics; RoHS

Kod: STP80NF06

Bądź pierwszy i napisz opinię.

Niedostępny

Szczegółowy opis ›

4,42 PLN netto Cena brutto: 5,44 PLN

Zadaj pytanie

Tranzystor; IRF644PBF; N-MOSFET; 250V; 8,5A; 125W; 280mOhm; unipolarny; TO220; THT; VISHAY; RoHS

Kod: IRF644PBF

Bądź pierwszy i napisz opinię.

W magazynie: 27 szt.

Szczegółowy opis ›

4,80 PLN netto Cena brutto: 5,90 PLN

Bestseller

Tranzystor; STP30NF10; N-MOSFET; 25A; 100V; 115W; 45mOhm; unipolarny; THT; RoHS

Kod: STP30NF10

Nazwa: Tranzystor

Symbol: STP30NF10

Kierunek przewodnictwa: N-MOSFET

Typ tranzystora: unipolarny

Prąd drenu: 25A

Moc: 115W

Napięcie dren-źródło: 100V

Rezystancja w stanie przewodzenia: 45mOhm

Obudowa: TO220

Montaż: THT przewlekany

Certyfikaty: RoHS

Bądź pierwszy i napisz opinię.

Niedostępny

Szczegółowy opis ›

3,35 PLN netto Cena brutto: 4,12 PLN

Zadaj pytanie

Bestseller

Tranzystor; IRLR8743; N-MOSFET; 160A; 135W; 30V; unipolarny; DPAK; TO252; SMD; Infineon (IRF); IRLR8743PBF; = 30H10K; RoHS

Kod: IRLR8743PBF

Nazwa: Tranzystor

Symbol: IRLR8743PBF

Kierunek przewodnictwa: N-MOSFET

Typ tranzystora: unipolarny

Prąd drenu: 160A

Moc: 135W

Napięcie dren-źródło: 30V

Rezystancja w stanie przewodzenia: 5,8mOhm

Obudowa: DPAK (TO252)

Montaż: SMD powierzchniowy

Certyfikaty: RoHS

Bądź pierwszy i napisz opinię.

W magazynie: 24 szt.

Szczegółowy opis ›

6,30 PLN netto Cena brutto: 7,75 PLN

Bestseller

Tranzystor; IRFB4110; N-MOSFET; 130A; 100V; 370W; 4,5mOhm; unipolarny; TO220; THT; IRFB4110PBF; RoHS

Kod: IRFB4110PBF

Nazwa: Tranzystor

Symbol: IRFB4110PBF

Kierunek przewodnictwa: N-MOSFET

Typ tranzystora: unipolarny

Prąd drenu: 130A

Moc: 370W

Napięcie dren-źródło: 100V

Rezystancja w stanie przewodzenia: 4,5mOhm

Obudowa: TO220AB

Montaż: THT przewlekany

Certyfikaty: RoHS

Bądź pierwszy i napisz opinię.

W magazynie: 6 szt.

Szczegółowy opis ›

14,11 PLN netto Cena brutto: 17,36 PLN

Bestseller

Tranzystor; IRFB3207PBF; N-MOSFET; 170A; 300W; 75V; 3,6mOhm; unipolarny; TO220; THT; IR; RoHS

Kod: IRFB3207PBF

Nazwa: Tranzystor

Symbol: IRFB3207PBF

Kierunek przewodnictwa: N-MOSFET

Typ tranzystora: unipolarny

Prąd drenu: 170A

Moc: 300W

Napięcie dren-źródło: 75V

Rezystancja w stanie przewodzenia: 3,6mOhm

Obudowa: TO220

Montaż: THT przewlekany

Właściwości półprzewodników: HEXFET

Certyfikaty: RoHS

Bądź pierwszy i napisz opinię.

W magazynie: 23 szt.

Szczegółowy opis ›

12,17 PLN netto Cena brutto: 14,97 PLN

Tranzystor; BSS138WH6327; N-MOSFET; 280mA; 500mW; 60V; logic level; unipolarny; SOT323; SMD; Markig SW; INFINEON TECHNOLOGIES; RoHS; opakowanie/100szt

Kod: BSS138WH6327

Nazwa: Tranzystor

Symbol: BSS138WH6327

Kierunek przewodnictwa: N-MOSFET

Typ tranzystora: unipolarny

Prąd drenu: 0,28A

Moc: 500mW

Napięcie dren-źródło: 60V

Rezystancja w stanie przewodzenia: 3,5Ohm

Obudowa: SOT323

Montaż: SMD powierzchniowy

Certyfikaty: RoHS

Bądź pierwszy i napisz opinię.

W magazynie: 40.8 opak.

Szczegółowy opis ›

30,89 PLN netto / opak. Cena brutto: 37,99 PLN