Filtruj produkty

Nazwa

Symbol

Typ układu scalonego

Typ tranzystora

Kierunek przewodnictwa

Rezystancja

Liczba kanałów

Napięcie zasilania

Rodzaj układu scalonego

Prąd wyjściowy

Rodzaj wyjścia

Rezystancja w stanie przewodzenia

Obudowa

Montaż elektryczny

Montaż

Napięcie dren-źródło

Czas gotowości

Prąd drenu

Moc

Napięcie wyjściowe

Właściwości półprzewodników

Nazwa 2

Zastosowanie

Producent

Producent / Dystrybutor

Certyfikaty

DARMOWA PRZESYŁKA

DLA ZAMÓWIEŃ OD 400PLN brutto

Oferta dotyczy
całego asortymentu

Dołącz do nas

Tranzystory N-MOSFET

Sortuj według
Pokaż na stronie
Kod: BSS138NH6327
Nazwa: Tranzystor
Symbol: BSS138NH6327
Kierunek przewodnictwa: N-MOSFET
Typ tranzystora: unipolarny
Prąd drenu: 0,23A
Moc: 360mW
Napięcie dren-źródło: 50V
Rezystancja w stanie przewodzenia: 3,5Ohm
Obudowa: SOT23
Montaż: SMD powierzchniowy
Certyfikaty: RoHS
W magazynie: 25.9 opak.
34,15 PLN netto / opak. Cena brutto: 42,00 PLN
Ilość:
Kod: IRLL110TRPBF
Nazwa: Tranzystor
Symbol: IRLL110TR
Kierunek przewodnictwa: N-MOSFET
Typ tranzystora: unipolarny
Prąd drenu: 0,93A
Moc: 3,1W
Napięcie dren-źródło: 100V
Rezystancja w stanie przewodzenia: 760mOhm
Obudowa: SOT223
Montaż: SMD powierzchniowy
Certyfikaty: RoHS
W magazynie: 36 szt.
155,75 PLN netto / opak. Cena brutto: 191,57 PLN
Ilość:
szt.
Kod: STP20NM60FP
Nazwa: Tranzystor
Symbol: STP20NM60FP
Kierunek przewodnictwa: N-MOSFET
Typ tranzystora: unipolarny
Prąd drenu: 20A
Moc: 45W
Napięcie dren-źródło: 600V
Rezystancja w stanie przewodzenia: 290mOhm
Obudowa: TO220FP
Montaż: THT przewlekany
Producent: STMicroelectronics
Certyfikaty: RoHS
W magazynie: 18 szt.
17,05 PLN netto Cena brutto: 20,97 PLN
Ilość:
Kod: YJB150N06BQ
Nazwa: Tranzystor
Symbol: YJB150N06BQ
Kierunek przewodnictwa: N-MOSFET
Typ tranzystora: unipolarny
Prąd drenu: 105A
Moc: 94W
Napięcie dren-źródło: 60V
Rezystancja w stanie przewodzenia: 5,5mOhm
Obudowa: D2PAK (TO263)
Montaż: SMD powierzchniowy
Właściwości półprzewodników: trench power mv
Producent: YANGJIE TECHNOLOGY
Certyfikaty: RoHS
Niedostępny
4,07 PLN netto Cena brutto: 5,01 PLN
Kod: IPD031N03LGATMA1
Nazwa: Tranzystor
Symbol: IPD031N03LGATMA1
Kierunek przewodnictwa: N-MOSFET
Typ tranzystora: bipolarny
Prąd drenu: 79A
Moc: 97W
Napięcie dren-źródło: 30V
Obudowa: DPAK (TO252)
Montaż: SMD powierzchniowy
Producent: INFINEON
Certyfikaty: RoHS
W magazynie: 1240 szt.
2,03 PLN netto Cena brutto: 2,50 PLN
Ilość:
Kod: SSM6N15FU
Nazwa: Tranzystor
Symbol: SSM6N15FU(T5LFT)
Kierunek przewodnictwa: 2x N-MOSFET
Typ tranzystora: unipolarny
Prąd drenu: 0,1A
Napięcie dren-źródło: 30V
Rezystancja w stanie przewodzenia: 6Ohm
Obudowa: SOT363
Montaż: SMD powierzchniowy
Producent: TOSHIBA
Certyfikaty: RoHS
W magazynie: 13.95 opak.
21,95 PLN netto / opak. Cena brutto: 27,00 PLN
Ilość:
Kod: IRF740LCPBF
Nazwa: Tranzystor
Symbol: IRF740LCPBF
Kierunek przewodnictwa: N-MOSFET
Typ tranzystora: unipolarny
Prąd drenu: 10A
Moc: 125W
Napięcie dren-źródło: 400V
Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,55Ohm
Obudowa: TO220
Montaż: THT przewlekany
Certyfikaty: RoHS
W magazynie: 25 szt.
4,03 PLN netto Cena brutto: 4,96 PLN
Ilość:
Kod: WMK10N80M3-CYG
Nazwa: Tranzystor
Symbol: WMK10N80M3
Kierunek przewodnictwa: N-MOSFET
Typ tranzystora: unipolarny
Prąd drenu: 10A
Moc: 85W
Napięcie dren-źródło: 800V
Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,86Ohm
Obudowa: TO220
Montaż: THT przewlekany
Właściwości półprzewodników: WMOS™ M3
Producent: CYG WAYON
Certyfikaty: RoHS
Niedostępny
4,46 PLN netto Cena brutto: 5,49 PLN
Kod: IXFA110N15T2
Nazwa: Tranzystor
Symbol: IXFA110N15T2
Kierunek przewodnictwa: N-MOSFET
Typ tranzystora: unipolarny
Prąd drenu: 110A
Moc: 480W
Napięcie dren-źródło: 150V
Rezystancja w stanie przewodzenia: 13mOhm
Obudowa: D2PAK (TO263)
Montaż: SMD powierzchniowy
Czas gotowości: 85ns
Producent: IXYS
Certyfikaty: RoHS
W magazynie: 16 szt.
20,62 PLN netto Cena brutto: 25,36 PLN
Ilość:
Pokaż na stronie