Tranzystory N-MOSFET

Tranzystor; BSS138WH6327; N-MOSFET; 280mA; 500mW; 60V; logic level; unipolarny; SOT323; SMD; Markig SW; INFINEON TECHNOLOGIES; RoHS; opakowanie/100szt

Kod: BSS138WH6327

Nazwa: Tranzystor

Symbol: BSS138WH6327

Kierunek przewodnictwa: N-MOSFET

Typ tranzystora: unipolarny

Prąd drenu: 0,28A

Moc: 500mW

Napięcie dren-źródło: 60V

Rezystancja w stanie przewodzenia: 3,5Ohm

Obudowa: SOT323

Montaż: SMD powierzchniowy

Certyfikaty: RoHS

Bądź pierwszy i napisz opinię.

W magazynie: 55.8 opak.

Szczegółowy opis ›

30,89 PLN / opak. Cena netto

Tranzystor; BSS138NH6327; N-MOSFET; 230mA; 360mW; 60V; logic level; unipolarny; SOT23; SMD; Markig SK; INFINEON TECHNOLOGIES; RoHS; op/100szt

Kod: BSS138NH6327

Nazwa: Tranzystor

Symbol: BSS138NH6327

Kierunek przewodnictwa: N-MOSFET

Typ tranzystora: unipolarny

Prąd drenu: 0,23A

Moc: 360mW

Napięcie dren-źródło: 50V

Rezystancja w stanie przewodzenia: 3,5Ohm

Obudowa: SOT23

Montaż: SMD powierzchniowy

Certyfikaty: RoHS

Bądź pierwszy i napisz opinię.

W magazynie: 41.3 opak.

Szczegółowy opis ›

36,59 PLN / opak. Cena netto

Tranzystor; IRLL110TRPBF; N-MOSFET; 0,93A; 100V; 3,1W; unipolarny; 760mOhm; SOT223; SMD; RoHS; op/100szt

Kod: IRLL110TRPBF

Nazwa: Tranzystor

Symbol: IRLL110TR

Kierunek przewodnictwa: N-MOSFET

Typ tranzystora: unipolarny

Prąd drenu: 0,93A

Moc: 3,1W

Napięcie dren-źródło: 100V

Rezystancja w stanie przewodzenia: 760mOhm

Obudowa: SOT223

Montaż: SMD powierzchniowy

Certyfikaty: RoHS

Bądź pierwszy i napisz opinię.

W magazynie: 36 szt.

Szczegółowy opis ›

155,75 PLN / opak. Cena netto

Bestseller

Tranzystor; IRF3205ZSTRLPBF; N-MOSFET; HEXFET; 78A: 55V; 170W; 6,5mOhm; unipolarny; TO263; D2PAK; THT; RoHS

Kod: IRF3205ZS

Bądź pierwszy i napisz opinię.

W magazynie: 25 szt.

Szczegółowy opis ›

4,47 PLN Cena netto

Bestseller

Tranzystor; STP20NM60FP; N-MOSFET; 20A; 45W; 600V; 290mOhm; unipolarny; TO220Fi; THT; ST Microelectronics; RoHS

Kod: STP20NM60FP

Nazwa: Tranzystor

Symbol: STP20NM60FP

Kierunek przewodnictwa: N-MOSFET

Typ tranzystora: unipolarny

Prąd drenu: 20A

Moc: 45W

Napięcie dren-źródło: 600V

Rezystancja w stanie przewodzenia: 290mOhm

Obudowa: TO220FP

Montaż: THT przewlekany

Producent: STMicroelectronics

Certyfikaty: RoHS

Bądź pierwszy i napisz opinię.

W magazynie: 19 szt.

Szczegółowy opis ›

17,05 PLN Cena netto

Bestseller

Tranzystor; YJB150N06BQ; N-MOSFET; 105A; 94W; 60V; 5,5mOhm; TRENCH POWER MV; unipolarny; D2PAK; TO263; SMD; YANGJIE TECHNOLOGY; RoHS

Kod: YJB150N06BQ

Nazwa: Tranzystor

Symbol: YJB150N06BQ

Kierunek przewodnictwa: N-MOSFET

Typ tranzystora: unipolarny

Prąd drenu: 105A

Moc: 94W

Napięcie dren-źródło: 60V

Rezystancja w stanie przewodzenia: 5,5mOhm

Obudowa: D2PAK (TO263)

Montaż: SMD powierzchniowy

Właściwości półprzewodników: trench power mv

Producent: YANGJIE TECHNOLOGY

Certyfikaty: RoHS

Bądź pierwszy i napisz opinię.

W magazynie: 29 szt.

Szczegółowy opis ›

6,70 PLN Cena netto

Tranzystor; IPD031N03LGATMA1; N-MOSFET; unipolarny; 30V; 79A; 94W; DPAK; TO252; SMD; INFINEON TECHNOLOGIES; RoHS

Kod: IPD031N03LGATMA1

Nazwa: Tranzystor

Symbol: IPD031N03LGATMA1

Kierunek przewodnictwa: N-MOSFET

Typ tranzystora: bipolarny

Prąd drenu: 79A

Moc: 97W

Napięcie dren-źródło: 30V

Obudowa: DPAK (TO252)

Montaż: SMD powierzchniowy

Producent: INFINEON

Certyfikaty: RoHS

Bądź pierwszy i napisz opinię.

W magazynie: 1240 szt.

Szczegółowy opis ›

2,03 PLN Cena netto

Tranzystor; SSM6N15FU(T5LFT); N-MOSFET x2; unipolarny; 30V; 0,1A; 0,3W; 6Ohm; SOT363; SMD; TOSHIBA; RoHS; op/100szt

Kod: SSM6N15FU

Nazwa: Tranzystor

Symbol: SSM6N15FU(T5LFT)

Kierunek przewodnictwa: 2x N-MOSFET

Typ tranzystora: unipolarny

Prąd drenu: 0,1A

Napięcie dren-źródło: 30V

Rezystancja w stanie przewodzenia: 6Ohm

Obudowa: SOT363

Montaż: SMD powierzchniowy

Producent: TOSHIBA

Certyfikaty: RoHS

Bądź pierwszy i napisz opinię.

W magazynie: 16.75 opak.

Szczegółowy opis ›

21,95 PLN / opak. Cena netto

Tranzystor; IRF740LCPBF; N-MOSFET; 10A; 400V; 125W; 0,55Ohm; TO220; unipolarny; THT; VISHAY; RoHS

Kod: IRF740LCPBF

Nazwa: Tranzystor

Symbol: IRF740LCPBF

Kierunek przewodnictwa: N-MOSFET

Typ tranzystora: unipolarny

Prąd drenu: 10A

Moc: 125W

Napięcie dren-źródło: 400V

Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,55Ohm

Obudowa: TO220

Montaż: THT przewlekany

Certyfikaty: RoHS

Bądź pierwszy i napisz opinię.

W magazynie: 10 szt.

Szczegółowy opis ›

3,96 PLN Cena netto

Bestseller

Tranzystor; WMK10N80M3-CYG; N-MOSFET; 10A; 85W; 800V; 1,03Ohm; unipolarny; WMOS M3; TO220; THT; RoHS

Kod: WMK10N80M3-CYG

Nazwa: Tranzystor

Symbol: WMK10N80M3

Kierunek przewodnictwa: N-MOSFET

Typ tranzystora: unipolarny

Prąd drenu: 10A

Moc: 85W

Napięcie dren-źródło: 800V

Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,86Ohm

Obudowa: TO220

Montaż: THT przewlekany

Właściwości półprzewodników: WMOS™ M3

Producent: CYG WAYON

Certyfikaty: RoHS

Bądź pierwszy i napisz opinię.

W magazynie: 9 szt.

Szczegółowy opis ›

4,46 PLN Cena netto