Powered by Smartsupp

Filtruj produkty

Nazwa

Symbol

Typ układu scalonego

Typ tranzystora

Kierunek przewodnictwa

Rezystancja

Liczba kanałów

Napięcie zasilania

Rodzaj układu scalonego

Prąd wyjściowy

Rodzaj wyjścia

Rezystancja w stanie przewodzenia

Obudowa

Montaż elektryczny

Montaż

Napięcie dren-źródło

Czas gotowości

Prąd drenu

Moc

Napięcie wyjściowe

Właściwości półprzewodników

Nazwa 2

Zastosowanie

Producent

Certyfikaty

DARMOWA PRZESYŁKA

DLA ZAMÓWIEŃ OD 400PLN netto

Oferta dotyczy
całego asortymentu

Tranzystory N-MOSFET

Sortuj według
Pokaż na stronie
Kod: IXFA110N15T2
Nazwa: Tranzystor
Symbol: IXFA110N15T2
Kierunek przewodnictwa: N-MOSFET
Typ tranzystora: unipolarny
Prąd drenu: 110A
Moc: 480W
Napięcie dren-źródło: 150V
Rezystancja w stanie przewodzenia: 13mOhm
Obudowa: D2PAK (TO263)
Montaż: SMD powierzchniowy
Czas gotowości: 85ns
Producent: IXYS
Certyfikaty: RoHS
W magazynie: 16 szt.
20,62 PLN Cena netto
Ilość:
Kod: IRFR4105TRPBF
Nazwa: Tranzystor
Symbol: IRFR4105TRPBF
Kierunek przewodnictwa: N-MOSFET
Typ tranzystora: unipolarny
Prąd drenu: 27A
Moc: 48W
Napięcie dren-źródło: 55V
Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,045Ohm
Obudowa: DPAK (TO252)
Montaż: SMD powierzchniowy
Właściwości półprzewodników: HEXFET
Producent: INFINEON
Certyfikaty: RoHS
W magazynie: 3778 szt.
1,55 PLN Cena netto
Ilość:
Kod: IRFR4510TRPBF
Nazwa: Tranzystor
Symbol: IRFR4510TRPBF
Kierunek przewodnictwa: N-MOSFET
Typ tranzystora: unipolarny
Prąd drenu: 63A
Moc: 143W
Napięcie dren-źródło: 100V
Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,0139Ohm
Obudowa: DPAK (TO252)
Montaż: SMD powierzchniowy
Właściwości półprzewodników: HEXFET
Producent: INFINEON
Certyfikaty: RoHS
W magazynie: 1924 szt.
3,66 PLN Cena netto
Ilość:
Kod: DMG3414UQ-7
Nazwa: Tranzystor
Symbol: DMG3414UQ-7
Kierunek przewodnictwa: N-MOSFET
Typ tranzystora: unipolarny
Prąd drenu: 4,2A
Moc: 0,7W
Napięcie dren-źródło: 20V
Obudowa: SOT23
Montaż: SMD powierzchniowy
Właściwości półprzewodników: logic level
Producent: DIODES INCORPORATED
Certyfikaty: RoHS
W magazynie: 58.4 opak.
53,81 PLN / opak. Cena netto
Ilość:
Kod: BSP149H6327
Nazwa: Tranzystor
Symbol: BSP149H6327
Kierunek przewodnictwa: N-MOSFET
Typ tranzystora: unipolarny
Prąd drenu: 0,53A
Moc: 1,8W
Napięcie dren-źródło: 200V
Obudowa: SOT223
Montaż: SMD powierzchniowy
Producent: INFINEON
Certyfikaty: RoHS
W magazynie: 15.8 opak.
141,67 PLN / opak. Cena netto
Ilość:
Kod: NTTFS4821NTAG
Nazwa: Tranzystor
Symbol: NTTFS4821NTAG
Kierunek przewodnictwa: N-MOSFET
Typ tranzystora: unipolarny
Prąd drenu: 57A
Moc: 4,1W
Napięcie dren-źródło: 30V
Obudowa: WDFN-8
Montaż: SMD powierzchniowy
Producent: ON SEMICONDUCTOR
Certyfikaty: RoHS
W magazynie: 1460 szt.
2,20 PLN Cena netto
Ilość:
Kod: BSS159NH6327
Nazwa: Tranzystor
Symbol: BSS159NH6327
Kierunek przewodnictwa: N-MOSFET
Typ tranzystora: unipolarny
Prąd drenu: 230mA
Moc: 360mW
Napięcie dren-źródło: 60V
Rezystancja w stanie przewodzenia: 8Ohm
Obudowa: SOT23
Montaż: SMD powierzchniowy
Certyfikaty: RoHS
W magazynie: 29.2 opak.
36,59 PLN / opak. Cena netto
Ilość:
Kod: SI4124DY-T1-GE3
Nazwa: Tranzystor
Symbol: SI4124DY-T1-GE3
Kierunek przewodnictwa: N-MOSFET
Typ tranzystora: unipolarny
Prąd drenu: 17A
Moc: 5W
Napięcie dren-źródło: 30V
Rezystancja w stanie przewodzenia: 9,5mOhm
Obudowa: SO8
Montaż: SMD powierzchniowy
Producent: VISHAY
Certyfikaty: RoHS
W magazynie: 14.31 opak.
162,60 PLN / opak. Cena netto
Ilość:
Pokaż na stronie