Katalog

Filtruj produkty

Nazwa

Symbol

Pokaż wszystkie

Typ układu scalonego

Typ tranzystora

Kierunek przewodnictwa

Rezystancja

Liczba kanałów

Napięcie zasilania

Rodzaj układu scalonego

Prąd wyjściowy

Pokaż wszystkie

Rodzaj wyjścia

Rezystancja w stanie przewodzenia

Pokaż wszystkie

Obudowa

Pokaż wszystkie

Montaż elektryczny

Montaż

Napięcie dren-źródło

Pokaż wszystkie

Czas gotowości

Prąd drenu

Pokaż wszystkie

Moc

Pokaż wszystkie

Napięcie wyjściowe

Właściwości półprzewodników

Pokaż wszystkie

Nazwa 2

Zastosowanie

Producent

Pokaż wszystkie

Producent / Dystrybutor

Pokaż wszystkie

Certyfikaty

DARMOWA PRZESYŁKA

DLA ZAMÓWIEŃ OD 400PLN brutto

Oferta dotyczy
całego asortymentu

Dołącz do nas

Tranzystory N-MOSFET – Nowoczesne klucze mocy

Strona 38 z 46
« Poprzednia1...343536373839404142Następna »
Sortuj według
Pokaż na stronie
TO252.jpg

Kod: STD8N65M5
Nazwa: Tranzystor
Symbol: STD8N65M5
Kierunek przewodnictwa: N-MOSFET
Typ tranzystora: unipolarny
Prąd drenu: 7A
Moc: 70W
Napięcie dren-źródło: 650V
Rezystancja w stanie przewodzenia: 6mOhm
Obudowa: DPAK (TO252)
Montaż: SMD powierzchniowy
Certyfikaty: RoHS
Bądź pierwszy i napisz opinię.
W magazynie: 16 szt.
Szczegółowy opis ›
10,88 PLN netto Cena brutto: 13,38 PLN
Ilość:
Pokaż szczegóły
TO252.jpg Bestseller

Kod: STD18N65M5
Nazwa: Tranzystor
Symbol: STD18N55M5
Kierunek przewodnictwa: N-MOSFET
Typ tranzystora: unipolarny
Prąd drenu: 15A
Moc: 110W
Napięcie dren-źródło: 650V
Rezystancja w stanie przewodzenia: 220mOhm
Obudowa: DPAK (TO252)
Montaż: SMD powierzchniowy
Producent: STMicroelectronics
Certyfikaty: RoHS
Bądź pierwszy i napisz opinię.
W magazynie: 8 szt.
Szczegółowy opis ›
15,84 PLN netto Cena brutto: 19,48 PLN
Ilość:
Pokaż szczegóły
TO220.jpg

Kod: IRLB4030PBF
Nazwa: Tranzystor
Symbol: IRLB4030PBF
Kierunek przewodnictwa: N-MOSFET
Typ tranzystora: unipolarny
Prąd drenu: 180A
Moc: 370W
Napięcie dren-źródło: 100V
Rezystancja w stanie przewodzenia: 4,3mOhm
Obudowa: TO220
Montaż: THT przewlekany
Właściwości półprzewodników: logic level
Producent: INFINEON
Certyfikaty: RoHS
Bądź pierwszy i napisz opinię.
Niedostępny
Szczegółowy opis ›
14,00 PLN netto Cena brutto: 17,22 PLN
Zadaj pytanie
Pokaż szczegóły
SOT89.jpg

Kod: 2SK3065T100
Bądź pierwszy i napisz opinię.
W magazynie: 980 szt.
Szczegółowy opis ›
1,22 PLN netto Cena brutto: 1,50 PLN
Ilość:
Pokaż szczegóły
TO263-5.JPG

Kod: BTS307E3062ABUMA1
Nazwa: Układ scalony
Symbol: BTS307E3062ABUMA1
Typ układu scalonego: power switch
Prąd wyjściowy: 1,7A
Moc: 50W
Napięcie zasilania: 65V
Rodzaj układu scalonego: high-side
Rodzaj wyjścia: N-Channel
Rezystancja w stanie przewodzenia: 250mOhm
Obudowa: D2PAK (TO263-5)
Montaż: SMD powierzchniowy
Nazwa 2: Tranzystor
Producent: INFINEON
Certyfikaty: RoHS
Bądź pierwszy i napisz opinię.
W magazynie: 9 szt.
Szczegółowy opis ›
20,51 PLN netto Cena brutto: 25,23 PLN
Ilość:
Pokaż szczegóły
SOT669-5.jpg Bestseller

Kod: BUK7Y102-100B
Nazwa: Tranzystor
Symbol: BUK7Y102-100B
Kierunek przewodnictwa: N-MOSFET
Typ tranzystora: unipolarny
Prąd drenu: 15A
Moc: 60W
Napięcie dren-źródło: 100V
Rezystancja w stanie przewodzenia: 102mOhm
Obudowa: SOT669-5
Montaż: SMD powierzchniowy
Producent: NEXPERIA
Certyfikaty: RoHS
Bądź pierwszy i napisz opinię.
W magazynie: 3285 szt.
Szczegółowy opis ›
1,22 PLN netto Cena brutto: 1,50 PLN
Ilość:
Pokaż szczegóły
TO263.jpg

Kod: STB55NF06T4
Nazwa: Tranzystor
Symbol: STB55NF06T4
Kierunek przewodnictwa: N-MOSFET
Typ tranzystora: unipolarny
Prąd drenu: 35A
Moc: 110W
Napięcie dren-źródło: 60V
Rezystancja w stanie przewodzenia: 18mOhm
Obudowa: D2PAK (TO263)
Montaż: SMD powierzchniowy
Właściwości półprzewodników: SuperMesh™
Producent: STMicroelectronics
Certyfikaty: RoHS
Bądź pierwszy i napisz opinię.
W magazynie: 30 szt.
Szczegółowy opis ›
3,98 PLN netto Cena brutto: 4,90 PLN
Ilość:
Pokaż szczegóły
DFN3x3.jpg Bestseller

Kod: AON7401
Nazwa: Tranzystor
Symbol: AON7401
Kierunek przewodnictwa: N-MOSFET
Typ tranzystora: unipolarny
Prąd drenu: 23A
Moc: 10W
Napięcie dren-źródło: 30V
Rezystancja w stanie przewodzenia: 14mOhm
Obudowa: DFN3x3 EP
Montaż: SMD powierzchniowy
Producent: ALPHA&OMEGA
Certyfikaty: RoHS
Bądź pierwszy i napisz opinię.
W magazynie: 16 szt.
Szczegółowy opis ›
5,41 PLN netto Cena brutto: 6,65 PLN
Ilość:
Pokaż szczegóły
TO252.jpg

Kod: FQD7N20LTM
Nazwa: Tranzystor
Symbol: FQD7N20LTM
Kierunek przewodnictwa: N-MOSFET
Typ tranzystora: unipolarny
Prąd drenu: 5,5A
Moc: 45W
Napięcie dren-źródło: 200V
Rezystancja w stanie przewodzenia: 450mOhm
Obudowa: DPAK (TO252)
Montaż: SMD powierzchniowy
Producent: ON SEMICONDUCTOR
Certyfikaty: RoHS
Bądź pierwszy i napisz opinię.
W magazynie: 2498 szt.
Szczegółowy opis ›
2,68 PLN netto Cena brutto: 3,30 PLN
Ilość:
Pokaż szczegóły
SA555DR.jpg

Kod: IRF9952TRPBF
Nazwa: Tranzystor
Symbol: IRF9952TRPBF
Kierunek przewodnictwa: N/P-MOSFET
Typ tranzystora: unipolarny
Prąd drenu: 3,5/-2,3A
Moc: 2W
Napięcie dren-źródło: 30/-30V
Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,1/0,25Ohm
Obudowa: SO8
Montaż: SMD powierzchniowy
Właściwości półprzewodników: HEXFET
Producent: INFINEON
Certyfikaty: RoHS
Bądź pierwszy i napisz opinię.
W magazynie: 22 szt.
Szczegółowy opis ›
4,73 PLN netto Cena brutto: 5,82 PLN
Ilość:
Pokaż szczegóły
Strona 38 z 46
« Poprzednia1...343536373839404142Następna »
Pokaż na stronie

Tranzystory N-MOSFET – Wydajność i precyzja w sterowaniu energią

Tranzystory polowe z kanałem wzbogacanym typu N, znane jako N-MOSFET, to fundament współczesnych układów energoelektronicznych. Dzięki swojej zdolności do błyskawicznego przełączania przy minimalnym poborze prądu przez bramkę, są one niezastąpione w systemach wymagających wysokiej sprawności.

W Elektronik S.C. (eie24.pl) oferujemy bogaty wybór tranzystorów N-MOSFET, od miniaturowych elementów sygnałowych po potężne tranzystory mocy. Jako lokalny lider w branży z siedzibą w Ostrowie Wielkopolskim, dostarczamy podzespoły charakteryzujące się niską rezystancją włączenia, co przekłada się na mniejsze straty ciepła i dłuższą żywotność Twoich urządzeń.

Dlaczego warto wybrać tranzystory N-MOSFET z naszej oferty?

Tranzystory z kanałem typu N są najczęściej wybieranymi tranzystorami polowymi ze względu na ich doskonałe parametry przewodzenia:

  • Wysoka sprawność energetyczna: Idealne do układów zasilania bateryjnego i urządzeń typu „Green Energy”.

  • Szybkość przełączania: Doskonale sprawdzają się w układach z modulacją szerokości impulsu (PWM) oraz w wysokoczęstotliwościowych przetwornicach DC-DC.

  • Szeroki zakres napięć: Posiadamy modele dedykowane do niskonapięciowej elektroniki użytkowej oraz wysokonapięciowe komponenty przemysłowe.

  • Łatwość sterowania: Wiele modeli z naszej oferty to wersje typu Logic Level, które mogą być sterowane bezpośrednio z mikrokontrolerów pracujących na napięciu 3.3V lub 5V.

Zastosowanie tranzystorów N-MOSFET

Nasza hurtownia w Ostrowie Wielkopolskim przy ul. Południowej 72 zaopatruje profesjonalne serwisy i konstruktorów wykorzystujących N-MOSFET-y w:

  1. Zasilaczach impulsowych i ładowarkach: Jako główne elementy kluczujące.

  2. Sterownikach silników: W układach mostkowych do sterowania obrotami silników DC i krokowych.

  3. Systemach oświetlenia LED: Do precyzyjnego ściemniania i sterowania listwami RGB.

  4. Naprawach płyt głównych: Niezbędne w sekcjach zasilania procesorów (VRM) w laptopach i komputerach PC.

Elektronik – Twój partner w Ostrowie Wielkopolskim

Szukasz konkretnego modelu, takiego jak IRFZ44N, IRF540 czy nowoczesne wersje w obudowach SMD? A może potrzebujesz porady przy wyborze zamiennika o odpowiednim prądzie drenu? Zapraszamy do naszego punktu stacjonarnego w Ostrowie Wielkopolskim.
Nasz zespół ekspertów pomoże Ci dobrać komponent o parametrach idealnie dopasowanych do Twojego projektu.

Dla klientów z całej Polski zapewniamy błyskawiczną wysyłkę zamówień złożonych przez portal eie24.pl. Wszystkie nasze tranzystory N-MOSFET są przechowywane w bezpiecznych warunkach antystatycznych (ESD), co gwarantuje ich pełną sprawność i niezawodność.

Postaw na sprawdzone komponenty półprzewodnikowe. Sprawdź ofertę tranzystorów N-MOSFET w Elektronik S.C. i odwiedź nas osobiście w Ostrowie!