Tranzystory N-MOSFET

Tranzystor; IRF9952TRPBF; N/P-MOSFET; unipolarny; 30/-30V; 3,5/-2,3A; 2W; 0,1/0,25Ohm; SO8; SMD; INFINEON; RoHS

Kod: IRF9952TRPBF

Nazwa: Tranzystor

Symbol: IRF9952TRPBF

Kierunek przewodnictwa: N/P-MOSFET

Typ tranzystora: unipolarny

Prąd drenu: 3,5/-2,3A

Moc: 2W

Napięcie dren-źródło: 30/-30V

Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,1/0,25Ohm

Obudowa: SO8

Montaż: SMD powierzchniowy

Właściwości półprzewodników: HEXFET

Producent: INFINEON

Certyfikaty: RoHS

Bądź pierwszy i napisz opinię.

W magazynie: 22 szt.

Szczegółowy opis ›

4,73 PLN Cena netto

Tranzystor; FQPF19N20C; N-MOSFET; unipolarny; 12,1A; 43W; 200V; 170mOhm; TO220FP; THT; ONSEMI; RoHS

Kod: FQPF19N20C

Nazwa: Tranzystor

Symbol: FQPF19N20C

Kierunek przewodnictwa: N-MOSFET

Typ tranzystora: unipolarny

Prąd drenu: 12,1A

Moc: 43W

Napięcie dren-źródło: 200V

Rezystancja w stanie przewodzenia: 170mOhm

Obudowa: TO220FP

Montaż: THT przewlekany

Producent: ONSEMI

Certyfikaty: RoHS

Bądź pierwszy i napisz opinię.

W magazynie: 10 szt.

Szczegółowy opis ›

4,96 PLN Cena netto

Tranzystor; FQD13N10TM; N-MOSFET; 10A; 40W; 100V; 180mOhm; TO252 (DPAK); SMD; ON-Semiconductor; RoHS

Kod: FQD13N10TM

Nazwa: Tranzystor

Symbol: FQD13N10TM

Kierunek przewodnictwa: N-MOSFET

Typ tranzystora: unipolarny

Prąd drenu: 10A

Moc: 40W

Napięcie dren-źródło: 100V

Rezystancja w stanie przewodzenia: 450mOhm

Obudowa: DPAK (TO252)

Montaż: SMD powierzchniowy

Producent: ON SEMICONDUCTOR

Certyfikaty: RoHS

Bądź pierwszy i napisz opinię.

W magazynie: 12 szt.

Szczegółowy opis ›

2,03 PLN Cena netto

Tranzystor; AOTF12N60; N-MOSFET; 8A; 600V; 50W; unipolarny; 650mOhm; TO220; THT; ALPHA & OMEGA; RoHS

Kod: AOTF12N60

Bądź pierwszy i napisz opinię.

W magazynie: 2 szt.

Szczegółowy opis ›

8,54 PLN Cena netto

Tranzystor; STW13NK60Z; N-MOSFET; 13A; 600V; 150W; 0,55R; TO247; THT; RoHS

Kod: STW13NK60Z

Bądź pierwszy i napisz opinię.

W magazynie: 14 szt.

Szczegółowy opis ›

12,96 PLN Cena netto

Tranzystor; STD3NK80Z-1; N-MOSFET; 1,57A; 800V; 70W; I2PAK; TO251; SMD; ST Microelectronics; RoHS

Kod: STD3NK80Z-1

Bądź pierwszy i napisz opinię.

W magazynie: 12 szt.

Szczegółowy opis ›

3,09 PLN Cena netto

Tranzystor; N-MOSFET; FDMS8320L; 192A; 40V; 125W; FDN8; SMD; ON SEMICONDUCTOR RoHS

Kod: FDMS8320L

Bądź pierwszy i napisz opinię.

W magazynie: 2969 szt.

Szczegółowy opis ›

6,50 PLN Cena netto

Tranzystor; BSP129H6327; N-MOSFET; 240V; 0,350A; 1,8W; unipolarny; SOT223; SMD; Infineon; RoHS; opakowanie/100szt

Kod: BSP129H6327

Bądź pierwszy i napisz opinię.

W magazynie: 9.95 opak.

Szczegółowy opis ›

105,69 PLN / opak. Cena netto

Bestseller

Tranzystor; BSP318S H6327; N-MOSFET; 60V; 2,6A; 1,8W; unipolarny; SOT223; SMD; Infineon; RoHS; opakowanie/100szt

Kod: BSP318SH6327

Nazwa: Tranzystor

Symbol: BSP318SH6327

Kierunek przewodnictwa: N-MOSFET

Typ tranzystora: unipolarny

Prąd drenu: 2,6A

Moc: 1,8W

Napięcie dren-źródło: 60V

Rezystancja w stanie przewodzenia: 120mOhm

Obudowa: SOT223

Montaż: SMD powierzchniowy

Producent: INFINEON

Certyfikaty: RoHS

Bądź pierwszy i napisz opinię.

W magazynie: 9.05 opak.

Szczegółowy opis ›

137,95 PLN / opak. Cena netto

Bestseller

Tranzystor; IRFB3307ZPBF; N-MOSFET; unipolarny; 75V; 120A; 230W; 5,8mOhm; TO220AB; THT; INFINEON; RoHS

Kod: IRFB3307ZPBF

Nazwa: Tranzystor

Symbol: IRFB3307ZPBF

Kierunek przewodnictwa: N-MOSFET

Typ tranzystora: unipolarny

Prąd drenu: 120A

Moc: 230W

Napięcie dren-źródło: 75V

Rezystancja w stanie przewodzenia: 5,8mOhm

Obudowa: TO220

Montaż: THT przewlekany

Właściwości półprzewodników: HEXFET

Producent: INFINEON

Certyfikaty: RoHS

Bądź pierwszy i napisz opinię.

W magazynie: 33 szt.

Szczegółowy opis ›

9,60 PLN Cena netto