Powered by Smartsupp

Filtruj produkty

Nazwa

Symbol

Typ układu scalonego

Typ tranzystora

Kierunek przewodnictwa

Rezystancja

Liczba kanałów

Napięcie zasilania

Rodzaj układu scalonego

Prąd wyjściowy

Rodzaj wyjścia

Rezystancja w stanie przewodzenia

Obudowa

Montaż elektryczny

Montaż

Napięcie dren-źródło

Czas gotowości

Prąd drenu

Moc

Napięcie wyjściowe

Właściwości półprzewodników

Nazwa 2

Zastosowanie

Producent

Certyfikaty

DARMOWA PRZESYŁKA

DLA ZAMÓWIEŃ OD 400PLN netto

Oferta dotyczy
całego asortymentu

Tranzystory N-MOSFET

Sortuj według
Pokaż na stronie
Kod: STP10NK80Z
Nazwa: Tranzystor
Symbol: STP10NK80Z
Kierunek przewodnictwa: N-MOSFET
Typ tranzystora: unipolarny
Prąd drenu: 9A
Moc: 160W
Napięcie dren-źródło: 800V
Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,9Ohm
Obudowa: TO220
Montaż: THT przewlekany
Producent: STMicroelectronics
Certyfikaty: RoHS
W magazynie: 5 szt.
9,95 PLN Cena netto
Ilość:
Kod: IRFR120PBF
Nazwa: Tranzystor
Symbol: IRFR120PBF
Kierunek przewodnictwa: N-MOSFET
Typ tranzystora: unipolarny
Prąd drenu: 4,9A
Moc: 42W
Napięcie dren-źródło: 100V
Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,27Ohm
Obudowa: DPAK (TO252)
Montaż: SMD powierzchniowy
Producent: VISHAY
Certyfikaty: RoHS
Niedostępny
2,15 PLN Cena netto
Kod: WMP04N70C2
Nazwa: Tranzystor
Symbol: WMP04N70C2
Kierunek przewodnictwa: N-MOSFET
Typ tranzystora: unipolarny
Prąd drenu: 2,6A
Moc: 29W
Napięcie dren-źródło: 700V
Rezystancja w stanie przewodzenia: 2,45Ohm
Obudowa: IPAK (TO251)
Montaż: THT przewlekany
Producent: WAYON
Certyfikaty: RoHS
W magazynie: 20 szt.
1,46 PLN Cena netto
Ilość:
Kod: F10NK60
Nazwa: Tranzystor
Symbol: F10NK60
Kierunek przewodnictwa: N-MOSFET
Typ tranzystora: unipolarny
Prąd drenu: 10A
Moc: 35W
Napięcie dren-źródło: 600V
Rezystancja w stanie przewodzenia: 750mOhm
Obudowa: TO220FP
Montaż: THT przewlekany
Producent: WXDH
Certyfikaty: RoHS
W magazynie: 24 szt.
2,82 PLN Cena netto
Ilość:
Kod: IRLR3114ZTRPBF
Nazwa: Tranzystor
Symbol: IRLR3114ZTRPBF
Kierunek przewodnictwa: N-MOSFET
Typ tranzystora: unipolarny
Prąd drenu: 130A
Moc: 140W
Napięcie dren-źródło: 40V
Rezystancja w stanie przewodzenia: 4,9mOhm
Obudowa: DPAK (TO252)
Montaż: SMD powierzchniowy
Właściwości półprzewodników: HEXFET; logic level
Producent: INFINEON
Certyfikaty: RoHS
Niedostępny
6,17 PLN Cena netto
Kod: FDD8896
Nazwa: Tranzystor
Symbol: FDD8896
Kierunek przewodnictwa: N-MOSFET
Typ tranzystora: unipolarny
Prąd drenu: 94A
Moc: 80W
Napięcie dren-źródło: 30V
Rezystancja w stanie przewodzenia: 9,2mOhm
Obudowa: DPAK (TO252)
Montaż: SMD powierzchniowy
Producent: ONSEMI
Certyfikaty: RoHS
W magazynie: 22 szt.
2,68 PLN Cena netto
Ilość:
Kod: ZXMN6A09GTA
Nazwa: Tranzystor
Symbol: ZXMN6A09GTA
Kierunek przewodnictwa: N-MOSFET
Typ tranzystora: unipolarny
Prąd drenu: 6,2A
Moc: 2W
Napięcie dren-źródło: 60V
Rezystancja w stanie przewodzenia: 60mOhm
Obudowa: SOT223
Montaż: SMD powierzchniowy
Producent: DIODES INCORPORATED
Certyfikaty: RoHS
W magazynie: 16 szt.
3,62 PLN Cena netto
Ilość:
Kod: AO3400
Nazwa: Tranzystor
Kierunek przewodnictwa: N-MOSFET
Typ tranzystora: unipolarny
Prąd drenu: 4,7A
Moc: 1,4W
Napięcie dren-źródło: 30V
Rezystancja w stanie przewodzenia: 26,5mOhm
Obudowa: SOT23
Montaż: SMD powierzchniowy
Producent: ALPHA&OMEGA
Certyfikaty: RoHS
Niedostępny
32,52 PLN / opak. Cena netto
Pokaż na stronie