Filtruj produkty

Nazwa

Symbol

Typ układu scalonego

Typ tranzystora

Kierunek przewodnictwa

Rezystancja

Liczba kanałów

Napięcie zasilania

Rodzaj układu scalonego

Prąd wyjściowy

Rodzaj wyjścia

Rezystancja w stanie przewodzenia

Obudowa

Montaż elektryczny

Montaż

Napięcie dren-źródło

Czas gotowości

Prąd drenu

Moc

Napięcie wyjściowe

Właściwości półprzewodników

Nazwa 2

Zastosowanie

Producent

Producent / Dystrybutor

Certyfikaty

DARMOWA PRZESYŁKA

DLA ZAMÓWIEŃ OD 400PLN netto

Oferta dotyczy
całego asortymentu

Dołącz do nas

Tranzystory N-MOSFET

Sortuj według
Pokaż na stronie
Kod: BUK98150-55A/CUF
Nazwa: Tranzystor
Symbol: BUK98150-55A/CUF
Kierunek przewodnictwa: N-MOSFET
Typ tranzystora: unipolarny
Prąd drenu: 3A
Moc: 8W
Napięcie dren-źródło: 55V
Rezystancja w stanie przewodzenia: 276mOhm
Obudowa: SOT223
Montaż: SMD powierzchniowy
Zastosowanie: motoryzacja
Producent: NEXPERIA
Certyfikaty: RoHS
W magazynie: 1 szt.
1,32 PLN Cena netto
Ilość:
Kod: NTMFS4C024NT1G
Nazwa: Tranzystor
Symbol: NTMFS4C024NT1G
Kierunek przewodnictwa: N-MOSFET
Typ tranzystora: unipolarny
Prąd drenu: 21,7A
Moc: 2,57W
Napięcie dren-źródło: 30V
Rezystancja w stanie przewodzenia: 2,8mOhm
Obudowa: DFN5
Montaż: SMD powierzchniowy
Producent: ONSEMI
Producent / Dystrybutor: ONSEMI
Certyfikaty: RoHS
W magazynie: 2 szt.
2,76 PLN Cena netto
Ilość:
Kod: FCH47N60-F133
Nazwa: Tranzystor
Symbol: FCH47N60-F133
Kierunek przewodnictwa: N-MOSFET
Typ tranzystora: unipolarny
Prąd drenu: 47A
Moc: 417W
Napięcie dren-źródło: 600V
Rezystancja w stanie przewodzenia: 70mOhm
Obudowa: TO247
Montaż: THT przewlekany
Właściwości półprzewodników: SuperFET®
Producent: ONSEMI
Producent / Dystrybutor: ONSEMI
Certyfikaty: RoHS
W magazynie: 1 szt.
48,00 PLN Cena netto
Ilość:
Kod: IRF3710STRLPBF
Nazwa: Tranzystor
Symbol: IRF3710STRLPBF
Kierunek przewodnictwa: N-MOSFET
Typ tranzystora: unipolarny
Prąd drenu: 57A
Moc: 200W
Napięcie dren-źródło: 100V
Rezystancja w stanie przewodzenia: 23mOhm
Obudowa: D2PAK (TO263)
Montaż: SMD powierzchniowy
Właściwości półprzewodników: HEXFET
Producent: INFINEON
Producent / Dystrybutor: INFINEON
Certyfikaty: RoHS
W magazynie: 39 szt.
5,40 PLN Cena netto
Ilość:
Kod: WMP09N90C2-CYG
Nazwa: Tranzystor
Symbol: WMP09N90C2
Kierunek przewodnictwa: N-MOSFET
Typ tranzystora: unipolarny
Prąd drenu: 4,8A
Moc: 85W
Napięcie dren-źródło: 900V
Rezystancja w stanie przewodzenia: 1,37Ohm
Obudowa: IPAK (TO251)
Montaż: THT przewlekany
Właściwości półprzewodników: WMOS™ C2
Producent: WAYON
Certyfikaty: RoHS
W magazynie: 8 szt.
3,45 PLN Cena netto
Ilość:
Kod: IRF630N
Nazwa: Tranzystor
Symbol: IRF630N
Kierunek przewodnictwa: N-MOSFET
Typ tranzystora: unipolarny
Prąd drenu: 9,5A
Moc: 82W
Napięcie dren-źródło: 200V
Rezystancja w stanie przewodzenia: 300mOhm
Obudowa: TO220
Montaż: THT przewlekany
Certyfikaty: RoHS
W magazynie: 24 szt.
2,63 PLN Cena netto
Ilość:
Pokaż na stronie