Powered by Smartsupp

Filtruj produkty

Nazwa

Symbol

Typ układu scalonego

Typ tranzystora

Kierunek przewodnictwa

Rezystancja

Liczba kanałów

Napięcie zasilania

Rodzaj układu scalonego

Prąd wyjściowy

Rodzaj wyjścia

Rezystancja w stanie przewodzenia

Obudowa

Montaż elektryczny

Montaż

Napięcie dren-źródło

Czas gotowości

Prąd drenu

Moc

Napięcie wyjściowe

Właściwości półprzewodników

Nazwa 2

Zastosowanie

Producent

Certyfikaty

DARMOWA PRZESYŁKA

DLA ZAMÓWIEŃ OD 400PLN netto

Oferta dotyczy
całego asortymentu

Tranzystory N-MOSFET

Sortuj według
Pokaż na stronie
Kod: IRFP264PBF
Nazwa: Tranzystor
Symbol: IRFP264PBF
Kierunek przewodnictwa: N-MOSFET
Typ tranzystora: unipolarny
Prąd drenu: 24A
Moc: 280W
Napięcie dren-źródło: 250V
Rezystancja w stanie przewodzenia: 750mOhm
Obudowa: TO247
Montaż: THT przewlekany
Producent: VISHAY
Certyfikaty: RoHS
W magazynie: 20 szt.
15,30 PLN Cena netto
Ilość:
Kod: IRFB4710PBF
Nazwa: Tranzystor
Symbol: IRFB4710PBF
Kierunek przewodnictwa: N-MOSFET
Typ tranzystora: unipolarny
Prąd drenu: 75A
Moc: 200W
Napięcie dren-źródło: 100V
Rezystancja w stanie przewodzenia: 14mOhm
Obudowa: TO220
Montaż: THT przewlekany
Właściwości półprzewodników: HEXFET
Producent: INFINEON
Certyfikaty: RoHS
W magazynie: 21 szt.
13,82 PLN Cena netto
Ilość:
Kod: IRF1010NS
Nazwa: Tranzystor
Symbol: IRF1010NS
Kierunek przewodnictwa: N-MOSFET
Typ tranzystora: unipolarny
Prąd drenu: 84A
Moc: 180W
Napięcie dren-źródło: 55V
Obudowa: D2PAK (TO263)
Montaż: SMD powierzchniowy
Producent: INFINEON
Certyfikaty: RoHS
W magazynie: 7 szt.
7,49 PLN Cena netto
Ilość:
Kod: IRF1310NPBF
Nazwa: Tranzystor
Symbol: IRF1310NPBF
Kierunek przewodnictwa: N-MOSFET
Typ tranzystora: unipolarny
Prąd drenu: 42A
Moc: 160W
Napięcie dren-źródło: 100V
Rezystancja w stanie przewodzenia: 36mOhm
Obudowa: TO220
Montaż: THT przewlekany
Producent: INFINEON
Certyfikaty: RoHS
W magazynie: 25 szt.
4,49 PLN Cena netto
Ilość:
Kod: IRF540NSTRRPBF
Nazwa: Tranzystor
Symbol: IRF540NS
Kierunek przewodnictwa: N-MOSFET
Typ tranzystora: unipolarny
Prąd drenu: 33A
Moc: 3,8W
Napięcie dren-źródło: 100V
Rezystancja w stanie przewodzenia: 44mOhm
Obudowa: D2PAK (TO263)
Montaż: SMD powierzchniowy
Właściwości półprzewodników: HEXFET
Producent: INFINEON
Certyfikaty: RoHS
W magazynie: 23 szt.
4,20 PLN Cena netto
Ilość:
Pokaż na stronie