DARMOWA PRZESYŁKA
 |
DLA ZAMÓWIEŃ OD 400PLN nettoOferta dotyczycałego asortymentu |
Kod: IPW60R199CPFKSA1
W magazynie: 5 szt.
25,20 PLN Cena netto
Bestseller
Kod: FQP20N06L
Nazwa: Tranzystor
Symbol: FQP20N06L
Kierunek przewodnictwa: N-MOSFET
Typ tranzystora: unipolarny
Prąd drenu: 21A
Moc: 53W
Napięcie dren-źródło: 60V
Rezystancja w stanie przewodzenia: 7mOhm
Obudowa: TO220
Montaż: THT przewlekany
Właściwości półprzewodników: QFET
Producent: FAIRCHILD
Certyfikaty: RoHS
W magazynie: 11 szt.
3,08 PLN Cena netto
Kod: FDP3632
W magazynie: 10 szt.
15,00 PLN Cena netto
Kod: FDB14N30TM
Niedostępny
8,13 PLN Cena netto
Kod: CF739
W magazynie: 18.1 opak.
292,68 PLN / opak. Cena netto
Kod: BTS244ZE3062AATM
W magazynie: 14 szt.
22,77 PLN Cena netto
Kod: BTS244ZE3043AKSA2
W magazynie: 3 szt.
22,77 PLN Cena netto
Bestseller
Kod: IRF7319PBF
Nazwa: Tranzystor
Symbol: IRF7319PBF
Kierunek przewodnictwa: N/P-MOSFET
Typ tranzystora: unipolarny
Prąd drenu: 6,5/-4,9A
Moc: 2W
Napięcie dren-źródło: 30/-30V
Rezystancja w stanie przewodzenia: 29/58mOhm
Obudowa: SO8
Montaż: SMD powierzchniowy
Właściwości półprzewodników: HEXFET
Producent: INFINEON
Certyfikaty: RoHS
W magazynie: 16 szt.
2,54 PLN Cena netto
Bestseller
Kod: IRF1010EZPBF
Nazwa: Tranzystor
Symbol: IRF1010EZPBF
Kierunek przewodnictwa: N-MOSFET
Typ tranzystora: unipolarny
Prąd drenu: 84A
Moc: 140W
Napięcie dren-źródło: 60V
Rezystancja w stanie przewodzenia: 8,5mOhm
Obudowa: TO220
Montaż: THT przewlekany
Właściwości półprzewodników: HEXFET
Producent: INFINEON
Certyfikaty: RoHS
W magazynie: 29 szt.
5,54 PLN Cena netto
Kod: AUIRF1405ZS
Niedostępny
11,94 PLN Cena netto
Bestseller
Kod: BTS6133D
W magazynie: 11 szt.
10,49 PLN Cena netto
Bestseller
Kod: IRF3808S
Nazwa: Tranzystor
Symbol: IRF3808S
Kierunek przewodnictwa: N-MOSFET
Typ tranzystora: unipolarny
Prąd drenu: 106A
Moc: 200W
Napięcie dren-źródło: 75V
Rezystancja w stanie przewodzenia: 7mOhm
Obudowa: D2PAK (TO263)
Montaż: SMD powierzchniowy
Właściwości półprzewodników: HEXFET
Producent: INFINEON
Certyfikaty: RoHS
Niedostępny
6,18 PLN Cena netto
Bestseller
Kod: IPP045N10N3GXKSA1
W magazynie: 20 szt.
14,21 PLN Cena netto
Kod: IRF7478PBF
W magazynie: 33 szt.
5,28 PLN Cena netto
Bestseller
Kod: IRFPS40N50LPBF
Nazwa: Tranzystor
Symbol: IRFPS40N50LPBF
Kierunek przewodnictwa: N-MOSFET
Typ tranzystora: unipolarny
Prąd drenu: 29A
Moc: 540W
Napięcie dren-źródło: 500V
Rezystancja w stanie przewodzenia: 100mOhm
Obudowa: SUPER247
Montaż: THT przewlekany
Producent: VISHAY SILICONIX
Certyfikaty: RoHS
W magazynie: 1 szt.
32,83 PLN Cena netto
Bestseller
Kod: IRF610
Nazwa: Tranzystor
Symbol: IRF610
Kierunek przewodnictwa: N-MOSFET
Typ tranzystora: unipolarny
Prąd drenu: 2,1A
Moc: 36W
Napięcie dren-źródło: 200V
Rezystancja w stanie przewodzenia: 1,5Ohm
Obudowa: TO220
Montaż: THT przewlekany
Certyfikaty: RoHS
W magazynie: 51 szt.
1,53 PLN Cena netto
Kod: IRFPS40N60KPBF
Nazwa: Tranzystor
Symbol: IRFPS40N60K
Kierunek przewodnictwa: N-MOSFET
Typ tranzystora: unipolarny
Prąd drenu: 24A
Moc: 570W
Napięcie dren-źródło: 600V
Rezystancja w stanie przewodzenia: 130mOhm
Obudowa: SUPER247
Montaż: THT przewlekany
Certyfikaty: RoHS
W magazynie: 9 szt.
32,00 PLN Cena netto
Kod: 2SK2996
Niedostępny
10,85 PLN Cena netto
Kod: 2SK2843
Niedostępny
11,20 PLN Cena netto
Bestseller
Kod: FDS8958A
Nazwa: Tranzystor
Symbol: FDS8958A
Kierunek przewodnictwa: N/P-MOSFET
Typ tranzystora: unipolarny
Prąd drenu: 7/-5A
Napięcie dren-źródło: 30/-30V
Rezystancja w stanie przewodzenia: 40/80mOhm
Obudowa: SO8
Montaż: SMD powierzchniowy
Certyfikaty: RoHS
W magazynie: 50 szt.
3,24 PLN Cena netto
Bestseller
Kod: LGE2300
Nazwa: Tranzystor
Kierunek przewodnictwa: N-MOSFET
Typ tranzystora: unipolarny
Prąd drenu: 4A
Moc: 1,25W
Napięcie dren-źródło: 20V
Rezystancja w stanie przewodzenia: 32mOhm
Obudowa: SOT23
Montaż: SMD powierzchniowy
W magazynie: 5.14 opak.
23,11 PLN / opak. Cena netto
Bestseller
Kod: IRLR8726PBF
Nazwa: Tranzystor
Kierunek przewodnictwa: N-MOSFET
Typ tranzystora: unipolarny
Prąd drenu: 86A
Moc: 75W
Napięcie dren-źródło: 30V
Rezystancja w stanie przewodzenia: 5,8mOhm
Obudowa: DPAK (TO252)
Montaż: SMD powierzchniowy
Certyfikaty: RoHS
W magazynie: 107 szt.
2,39 PLN Cena netto
Bestseller
Kod: MMBF170LT1G
Nazwa: Tranzystor
Symbol: MMBF170LT1G
Kierunek przewodnictwa: N-MOSFET
Typ tranzystora: unipolarny
Prąd drenu: 500mA
Moc: 225mW
Napięcie dren-źródło: 60V
Rezystancja w stanie przewodzenia: 5Ohm
Obudowa: SOT23
Montaż: SMD powierzchniowy
Certyfikaty: RoHS
W magazynie: 17.9 opak.
15,67 PLN / opak. Cena netto
Kod: INK0003AC1
W magazynie: 1.3 opak.
27,64 PLN / opak. Cena netto
Bestseller
Kod: STP62NS04Z
Niedostępny
6,50 PLN Cena netto
NIP: 622 010 59 74, REGON: 250432504 |
Informacja |
Wysyłka |
Bezpieczeństwo |
