Powered by Smartsupp

Filtruj produkty

Nazwa

Symbol

Typ układu scalonego

Typ tranzystora

Kierunek przewodnictwa

Rezystancja

Liczba kanałów

Napięcie zasilania

Rodzaj układu scalonego

Prąd wyjściowy

Rodzaj wyjścia

Rezystancja w stanie przewodzenia

Obudowa

Montaż elektryczny

Montaż

Napięcie dren-źródło

Czas gotowości

Prąd drenu

Moc

Napięcie wyjściowe

Właściwości półprzewodników

Nazwa 2

Zastosowanie

Producent

Certyfikaty

DARMOWA PRZESYŁKA

DLA ZAMÓWIEŃ OD 400PLN netto

Oferta dotyczy
całego asortymentu

Tranzystory N-MOSFET

Sortuj według
Pokaż na stronie
Kod: STP44N80
Nazwa: Tranzystor
Symbol: STP44N80
Kierunek przewodnictwa: N-MOSFET
Typ tranzystora: unipolarny
Prąd drenu: 44A
Napięcie dren-źródło: 800V
Obudowa: TO220
Montaż: THT przewlekany
Producent: STMicroelectronics
Certyfikaty: RoHS
Niedostępny
4,07 PLN Cena netto
Kod: FQA9N90C
Nazwa: Tranzystor
Symbol: FQA9N90C
Kierunek przewodnictwa: N-MOSFET
Typ tranzystora: unipolarny
Prąd drenu: 5,7A
Moc: 280W
Napięcie dren-źródło: 900V
Rezystancja w stanie przewodzenia: 1,4Ohm
Obudowa: TO3P
Montaż: THT przewlekany
Producent: ONSEMI
Certyfikaty: RoHS
Niedostępny
17,05 PLN Cena netto
Kod: FQD19N10LTM
Nazwa: Tranzystor
Symbol: FQD19N10LTM
Kierunek przewodnictwa: N-MOSFET
Typ tranzystora: unipolarny
Prąd drenu: 15,6A
Moc: 50W
Napięcie dren-źródło: 100V
Rezystancja w stanie przewodzenia: 450mOhm
Obudowa: DPAK (TO252)
Montaż: SMD powierzchniowy
Producent: ON SEMICONDUCTOR
Certyfikaty: RoHS
W magazynie: 50 szt.
3,92 PLN Cena netto
Ilość:
Kod: WML11N80M3-CYG
Nazwa: Tranzystor
Symbol: WML11N80M3
Kierunek przewodnictwa: N-MOSFET
Typ tranzystora: unipolarny
Prąd drenu: 10,5A
Moc: 31W
Napięcie dren-źródło: 800V
Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,86Ohm
Obudowa: TO220FP
Montaż: THT przewlekany
Certyfikaty: RoHS
W magazynie: 24 szt.
4,51 PLN Cena netto
Ilość:
Kod: IRFBG30PBF
Nazwa: Tranzystor
Symbol: IRFBG30PBF
Kierunek przewodnictwa: N-MOSFET
Typ tranzystora: unipolarny
Prąd drenu: 2A
Moc: 125W
Napięcie dren-źródło: 1000V
Rezystancja w stanie przewodzenia: 5Ohm
Obudowa: TO220
Montaż: THT przewlekany
Producent: VISHAY
Certyfikaty: RoHS
W magazynie: 25 szt.
4,90 PLN Cena netto
Ilość:
Kod: AON7400A
Nazwa: Tranzystor
Symbol: AON7400A
Kierunek przewodnictwa: N-MOSFET
Typ tranzystora: unipolarny
Prąd drenu: 28A
Moc: 10W
Napięcie dren-źródło: 30V
Rezystancja w stanie przewodzenia: 7,5mOhm
Obudowa: DFN3x3 EP
Montaż: SMD powierzchniowy
Producent: ALPHA&OMEGA
Certyfikaty: RoHS
W magazynie: 57 szt.
3,01 PLN Cena netto
Ilość:
Kod: VN2406L-G
Nazwa: Tranzystor
Symbol: VN2406L-G
Kierunek przewodnictwa: N-MOSFET
Typ tranzystora: unipolarny
Prąd drenu: 1A
Moc: 1W
Napięcie dren-źródło: 240V
Rezystancja w stanie przewodzenia: 6Ohm
Obudowa: TO92
Montaż: THT przewlekany
Producent: MICROCHIP
W magazynie: 1 szt.
4,14 PLN Cena netto
Ilość:
Kod: IRFR120NPBF
Nazwa: Tranzystor
Symbol: IRFR120NPBF
Kierunek przewodnictwa: N-MOSFET
Typ tranzystora: unipolarny
Prąd drenu: 9,4A
Moc: 48W
Napięcie dren-źródło: 100V
Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,21Ohm
Obudowa: DPAK (TO252)
Montaż: SMD powierzchniowy
Producent: INFINEON
Certyfikaty: RoHS
W magazynie: 50 szt.
1,79 PLN Cena netto
Ilość:
Kod: BSS138PW
Nazwa: Tranzystor
Symbol: BSS138PW
Kierunek przewodnictwa: N-MOSFET
Typ tranzystora: unipolarny
Prąd drenu: 0,22A
Moc: 360mW
Napięcie dren-źródło: 50V
Rezystancja w stanie przewodzenia: 3,5Ohm
Obudowa: SOT323
Montaż: SMD powierzchniowy
Certyfikaty: RoHS
W magazynie: 26.3 opak.
36,59 PLN / opak. Cena netto
Ilość:
Kod: STP30NF10
Nazwa: Tranzystor
Symbol: STP30NF10
Kierunek przewodnictwa: N-MOSFET
Typ tranzystora: unipolarny
Prąd drenu: 25A
Moc: 115W
Napięcie dren-źródło: 100V
Rezystancja w stanie przewodzenia: 45mOhm
Obudowa: TO220
Montaż: THT przewlekany
Certyfikaty: RoHS
Niedostępny
3,35 PLN Cena netto
Kod: IRLR8743PBF
Nazwa: Tranzystor
Symbol: IRLR8743PBF
Kierunek przewodnictwa: N-MOSFET
Typ tranzystora: unipolarny
Prąd drenu: 160A
Moc: 135W
Napięcie dren-źródło: 30V
Rezystancja w stanie przewodzenia: 5,8mOhm
Obudowa: DPAK (TO252)
Montaż: SMD powierzchniowy
Certyfikaty: RoHS
Niedostępny
6,30 PLN Cena netto
Kod: IRFB4110PBF
Nazwa: Tranzystor
Symbol: IRFB4110PBF
Kierunek przewodnictwa: N-MOSFET
Typ tranzystora: unipolarny
Prąd drenu: 130A
Moc: 370W
Napięcie dren-źródło: 100V
Rezystancja w stanie przewodzenia: 4,5mOhm
Obudowa: TO220AB
Montaż: THT przewlekany
Certyfikaty: RoHS
W magazynie: 37 szt.
15,19 PLN Cena netto
Ilość:
Kod: IRFB3207PBF
Nazwa: Tranzystor
Symbol: IRFB3207PBF
Kierunek przewodnictwa: N-MOSFET
Typ tranzystora: unipolarny
Prąd drenu: 170A
Moc: 300W
Napięcie dren-źródło: 75V
Rezystancja w stanie przewodzenia: 3mOhm
Obudowa: TO220
Montaż: THT przewlekany
Właściwości półprzewodników: HEXFET
Certyfikaty: RoHS
W magazynie: 47 szt.
12,81 PLN Cena netto
Ilość:
Kod: BSS138WH6327
Nazwa: Tranzystor
Symbol: BSS138WH6327
Kierunek przewodnictwa: N-MOSFET
Typ tranzystora: unipolarny
Prąd drenu: 0,28A
Moc: 500mW
Napięcie dren-źródło: 60V
Rezystancja w stanie przewodzenia: 3,5Ohm
Obudowa: SOT323
Montaż: SMD powierzchniowy
Certyfikaty: RoHS
W magazynie: 56.6 opak.
36,59 PLN / opak. Cena netto
Ilość:
Kod: BSS138NH6327
Nazwa: Tranzystor
Symbol: BSS138NH6327
Kierunek przewodnictwa: N-MOSFET
Typ tranzystora: unipolarny
Prąd drenu: 0,23A
Moc: 360mW
Napięcie dren-źródło: 50V
Rezystancja w stanie przewodzenia: 3,5Ohm
Obudowa: SOT23
Montaż: SMD powierzchniowy
Certyfikaty: RoHS
W magazynie: 56.8 opak.
36,59 PLN / opak. Cena netto
Ilość:
Pokaż na stronie