Tranzystor; IPD031N03LGATMA1; N-MOSFET; unipolarny; 30V; 79A; 94W; DPAK; TO252; SMD; INFINEON TECHNOLOGIES; RoHS

Jesteś tutaj:
Strona główna
›
Produkty
›
Półprzewodniki
›
Tranzystory
›
Tranzystory N-MOSFET
›
Tranzystor; IPD031N03LGATMA1; N-MOSFET; unipolarny; 30V; 79A; 94W; DPAK; TO252; SMD; INFINEON TECHNOLOGIES; RoHS

Kod: IPD031N03LGATMA1

Nazwa: Tranzystor

Symbol: IPD031N03LGATMA1

Kierunek przewodnictwa: N-MOSFET

Typ tranzystora: bipolarny

Prąd drenu: 79A

Moc: 97W

Napięcie dren-źródło: 30V

Obudowa: DPAK (TO252)

Montaż: SMD powierzchniowy

Producent: INFINEON

Certyfikaty: RoHS

Bądź pierwszy i napisz opinię.

W magazynie: 1240 szt.

3,24 PLN Cena netto

Tranzystor IPD031N03LGATMA1, produkowany przez renomowanego producenta INFINEON, to doskonałe rozwiązanie dla zaawansowanych aplikacji elektronicznych. Ten MOSFET z kanałem niskiego napięcia oferuje wyjątkową wydajność i niezawodność, co sprawia, że jest idealnym wyborem dla profesjonalistów zajmujących się projektowaniem układów elektronicznych.
Dzięki niskiemu oporowi przewodzenia i wysokiej sprawności, tranzystor IPD031N03LGATMA1 zapewnia efektywne zarządzanie energią oraz minimalizuje straty cieplne. Ponadto, jego zaawansowana konstrukcja sprawia, że doskonale sprawdza się w aplikacjach wymagających wysokiej wydajności i precyzji.
Dzięki wysokiej jakości materiałom i precyzyjnemu wykonaniu, tranzystor INFINEON IPD031N03LGATMA1 charakteryzuje się niezawodnością i długą żywotnością, co pozwala na bezproblemową pracę przez wiele lat.
Wnioski:
- Tranzystor IPD031N03LGATMA1 jest idealnym rozwiązaniem dla zaawansowanych aplikacji elektronicznych
- Zapewnia doskonałą wydajność, efektywne zarządzanie energią i minimalne straty cieplne
- Dzięki wysokiej jakości materiałom i precyzyjnemu wykonaniu, gwarantuje niezawodną pracę przez wiele lat
Dlatego jeśli szukasz tranzystora, który sprosta najbardziej wymagającym zadaniom, to tranzystor INFINEON IPD031N03LGATMA1 powinien być Twoim pierwszym wyborem.

Załączniki

IPD031N03LGATMA1.pdf (671.03 KB)