Filtruj produkty

Nazwa

Symbol

Typ układu scalonego

Typ tranzystora

Kierunek przewodnictwa

Rezystancja

Liczba kanałów

Napięcie zasilania

Rodzaj układu scalonego

Prąd wyjściowy

Rodzaj wyjścia

Rezystancja w stanie przewodzenia

Obudowa

Montaż elektryczny

Montaż

Napięcie dren-źródło

Czas gotowości

Prąd drenu

Moc

Napięcie wyjściowe

Właściwości półprzewodników

Nazwa 2

Zastosowanie

Producent

Producent / Dystrybutor

Certyfikaty

DARMOWA PRZESYŁKA

DLA ZAMÓWIEŃ OD 400PLN brutto

Oferta dotyczy
całego asortymentu

Dołącz do nas

Tranzystor; TPH4R50ANH; N-MOSFET; 60A; 78W; 100V; 3,7mOhm; unipolarny; SOP8A; SMD; TPH4R50ANH,L1Q(M; TOSHIBA; RoHS

Kod: TPH4R50ANH
Nazwa: Tranzystor
Kierunek przewodnictwa: N-MOSFET
Typ tranzystora: unipolarny
Prąd drenu: 60A
Moc: 78W
Napięcie dren-źródło: 100V
Rezystancja w stanie przewodzenia: 3,7mOhm
Obudowa: SOP8A
Montaż: SMD powierzchniowy
Producent: TOSHIBA
Producent / Dystrybutor: TOSHIBA
Certyfikaty: RoHS
W magazynie: 16 szt.
15,80 PLN netto Cena brutto: 19,43 PLN
Ilość:

Tranzystor Toshiba TPH4R50ANH: Nowa definicja gęstości mocy


Gdy liczy się każda miliomowa sekunda i każdy milimetr kwadratowy na płytce PCB, tranzystor TPH4R50ANH marki Toshiba staje się wyborem bezkonkurencyjnym. Ten zaawansowany N-MOSFET w technologii U-MOS VIII-H oferuje potężny prąd drenu wynoszący aż 60A przy napięciu 100V, zamknięty w ultra-niskoprofilowej obudowie SOP-8 Advance.


Dlaczego TPH4R50ANH to fundament nowoczesnego zasilania?

  1. Ekstremalna wydajność ($R_{DS(on)}$): Dzięki rezystancji w stanie przewodzenia na poziomie zaledwie 3,7 mΩ (typ.), straty mocy na ciepło są zredukowane do minimum. To klucz do budowy urządzeń pracujących bez masywnych radiatorów.

  2. Szybkość przełączania: Niska pojemność wejściowa pozwala na pracę z wysokimi częstotliwościami, co jest niezbędne w wysokowydajnych zasilaczach impulsowych (SMPS) oraz nowoczesnych przetwornicach DC/DC.

  3. Termika i Wytrzymałość: Pomimo niewielkich rozmiarów SMD, tranzystor potrafi rozproszyć do 78W mocy (przy odpowiednim chłodzeniu), co czyni go idealnym komponentem do systemów zarządzania bateriami (BMS) w e-mobility.


Specyfikacja techniczna (Kluczowe dane)


Dla inżynierów i projektantów układów zasilania:

  • Typ kanału: N-MOSFET (Unipolarny)

  • Napięcie Dren-Źródło ($V_{DSS}$): 100 V

  • Ciągły prąd drenu ($I_{D}$): 60 A

  • Rezystancja włączenia ($R_{DS(on)}$): max 4,5 mΩ (przy $V_{GS}$ = 10V)

  • Moc rozproszona ($P_{D}$): 78 W

  • Obudowa: SOP-8 Advance (SMD)

  • Temperatura pracy: do 175°C (wyjątkowa odporność termiczna)


💡 Porady Projektowe


Tranzystor TPH4R50ANH wymaga precyzyjnego sterowania bramką. Przy prądach rzędu 60A kluczowe jest zapewnienie odpowiedniej grubości ścieżek prądowych oraz przelotek termicznych odprowadzających ciepło do warstw miedzi.

  • Komponenty towarzyszące: Do sterowania tym tranzystorem polecamy dedykowane drivery MOSFET, które zapewnią szybkie przeładowanie pojemności bramki.

  • Ochrona obwodu: Przy projektowaniu systemów mocy nie zapomnij o odpowiednim filtrowaniu. Sprawdź nasze kondensatory elektrolityczne Low ESR, które zredukują tętnienia w Twoim projekcie.

  • Standardy: Produkt w pełni zgodny z dyrektywą RoHS, dostarczany w oryginalnym opakowaniu Toshiba, co gwarantuje powtarzalność parametrów w produkcji seryjnej.


Projektujesz wysokoprądowy system BMS lub sterownik silnika? Jeśli potrzebujesz pełnej dokumentacji technicznej (Datasheet) lub wsparcia w doborze zamienników o wyższym napięciu, jesteśmy do Twojej dyspozycji. Nasz dział techniczny pomoże Ci zoptymalizować bilans cieplny Twojej płytki!