DARMOWA PRZESYŁKA
 |
DLA ZAMÓWIEŃ OD 400PLN nettoOferta dotyczycałego asortymentu |
Bestseller
Kod: IRF7389PBF
Nazwa: Tranzystor
Symbol: IRF7389PBF
Kierunek przewodnictwa: N/P-MOSFET
Typ tranzystora: unipolarny
Prąd drenu: 7,3/-5,3A
Moc: 2,5W
Napięcie dren-źródło: 30/-30V
Rezystancja w stanie przewodzenia: 29/58mOhm
Obudowa: SO8
Montaż: SMD powierzchniowy
Właściwości półprzewodników: HEXFET
Producent: INFINEON
Certyfikaty: RoHS
W magazynie: 61 szt.
3,22 PLN Cena netto
Bestseller
Kod: IRF7319PBF
Nazwa: Tranzystor
Symbol: IRF7319PBF
Kierunek przewodnictwa: N/P-MOSFET
Typ tranzystora: unipolarny
Prąd drenu: 6,5/-4,9A
Moc: 2W
Napięcie dren-źródło: 30/-30V
Rezystancja w stanie przewodzenia: 29/58mOhm
Obudowa: SO8
Montaż: SMD powierzchniowy
Właściwości półprzewodników: HEXFET
Producent: INFINEON
Certyfikaty: RoHS
W magazynie: 12 szt.
2,54 PLN Cena netto
Bestseller
Kod: FDS8958A
Nazwa: Tranzystor
Symbol: FDS8958A
Kierunek przewodnictwa: N/P-MOSFET
Typ tranzystora: unipolarny
Prąd drenu: 7/-5A
Napięcie dren-źródło: 30/-30V
Rezystancja w stanie przewodzenia: 40/80mOhm
Obudowa: SO8
Montaż: SMD powierzchniowy
Certyfikaty: RoHS
W magazynie: 43 szt.
1,98 PLN Cena netto
Kod: IRF9952TRPBF
Nazwa: Tranzystor
Symbol: IRF9952TRPBF
Kierunek przewodnictwa: N/P-MOSFET
Typ tranzystora: unipolarny
Prąd drenu: 3,5/-2,3A
Moc: 2W
Napięcie dren-źródło: 30/-30V
Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,1/0,25Ohm
Obudowa: SO8
Montaż: SMD powierzchniowy
Właściwości półprzewodników: HEXFET
Producent: INFINEON
Certyfikaty: RoHS
W magazynie: 22 szt.
4,73 PLN Cena netto
Bestseller
Kod: IRF7205
Nazwa: Tranzystor
Symbol: IRF7205PBF
Kierunek przewodnictwa: P-MOSFET
Typ tranzystora: unipolarny
Prąd drenu: 4,6A
Moc: 2,5W
Napięcie dren-źródło: 30V
Rezystancja w stanie przewodzenia: 70mOhm
Obudowa: SO8
Montaż: SMD powierzchniowy
Właściwości półprzewodników: HEXFET
Certyfikaty: RoHS
W magazynie: 47 szt.
2,36 PLN Cena netto
Bestseller
Kod: IRLML5203TR
Nazwa: Tranzystor
Symbol: IRLML5203TR
Kierunek przewodnictwa: P-MOSFET
Typ tranzystora: unipolarny
Prąd drenu: 3A
Moc: 1,25W
Napięcie dren-źródło: 30V
Rezystancja w stanie przewodzenia: 98mOhm
Obudowa: SOT23
Montaż: SMD powierzchniowy
Właściwości półprzewodników: logic level
Certyfikaty: RoHS
W magazynie: 7.57 opak.
52,85 PLN / opak. Cena netto
Bestseller
Kod: IRFR5305PBF
Nazwa: Tranzystor
Symbol: IRFR5305
Kierunek przewodnictwa: P-MOSFET
Typ tranzystora: unipolarny
Prąd drenu: 31A
Moc: 110W
Napięcie dren-źródło: 55V
Rezystancja w stanie przewodzenia: 65mOhm
Obudowa: DPAK (TO252)
Montaż: SMD powierzchniowy
Certyfikaty: RoHS
W magazynie: 15643 szt.
1,62 PLN Cena netto
Kod: IRFR9024N
Nazwa: Tranzystor
Symbol: IRFR9024
Kierunek przewodnictwa: P-MOSFET
Typ tranzystora: unipolarny
Prąd drenu: 11A
Moc: 38W
Napięcie dren-źródło: 55V
Obudowa: DPAK (TO252)
Montaż: SMD powierzchniowy
Właściwości półprzewodników: HEXFET
Producent: INFINEON
Certyfikaty: RoHS
W magazynie: 49 szt.
1,78 PLN Cena netto
Kod: IRF7314PBF
Nazwa: Tranzystor
Symbol: IRF7314PBF
Kierunek przewodnictwa: 2x P-MOSFET
Typ tranzystora: unipolarny
Prąd drenu: 5,3A
Moc: 2W
Napięcie dren-źródło: 20V
Rezystancja w stanie przewodzenia: 58mOhm
Obudowa: SO8
Montaż: SMD powierzchniowy
Producent: INFINEON
Certyfikaty: RoHS
W magazynie: 42 szt.
2,64 PLN Cena netto
Bestseller
Kod: IRF9520N
W magazynie: 81 szt.
2,82 PLN Cena netto
NIP: 622 010 59 74, REGON: 250432504 |
Informacja |
Wysyłka |
Bezpieczeństwo |
