Powered by Smartsupp

Filtruj produkty

Nazwa

Symbol

Typ tranzystora

Kierunek przewodnictwa

Rezystancja w stanie przewodzenia

Obudowa

Montaż

Napięcie dren-źródło

Prąd drenu

Moc

Właściwości półprzewodników

Zastosowanie

Producent

Certyfikaty

DARMOWA PRZESYŁKA

DLA ZAMÓWIEŃ OD 400PLN netto

Oferta dotyczy
całego asortymentu

Tranzystory P-MOSFET

Sortuj według
Pokaż na stronie
Kod: IRF9Z34NPBF
Nazwa: Tranzystor
Symbol: IRF9Z34N
Kierunek przewodnictwa: P-MOSFET
Typ tranzystora: unipolarny
Prąd drenu: 19A
Moc: 68W
Napięcie dren-źródło: 55V
Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,1Ohm
Obudowa: TO220
Montaż: THT przewlekany
Właściwości półprzewodników: HEXFET
Certyfikaty: RoHS
W magazynie: 55 szt.
2,84 PLN Cena netto
Ilość:
Kod: ZVP0120A
Nazwa: Tranzystor
Symbol: ZVP0120A
Kierunek przewodnictwa: P-MOSFET
Typ tranzystora: unipolarny
Prąd drenu: 110mA
Moc: 700mW
Napięcie dren-źródło: 200V
Rezystancja w stanie przewodzenia: 32Ohm
Obudowa: TO92
Montaż: THT przewlekany
Producent: ZETEX
Niedostępny
0,41 PLN Cena netto
Kod: IRF5305S
Nazwa: Tranzystor
Symbol: IRF5305S
Kierunek przewodnictwa: P-MOSFET
Typ tranzystora: unipolarny
Prąd drenu: 31A
Moc: 110W
Napięcie dren-źródło: 55V
Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,06Ohm
Obudowa: D2PAK (TO263)
Producent: INFINEON
Certyfikaty: RoHS
Niedostępny
3,98 PLN Cena netto
Kod: BSP171
Nazwa: Tranzystor
Symbol: BSP171P
Kierunek przewodnictwa: P-MOSFET
Typ tranzystora: unipolarny
Prąd drenu: 1,9A
Moc: 1,8W
Napięcie dren-źródło: 60V
Rezystancja w stanie przewodzenia: 300mOhm
Obudowa: SOT223
Montaż: SMD powierzchniowy
Właściwości półprzewodników: SIPMOS™
Certyfikaty: RoHS
Niedostępny
161,70 PLN / opak. Cena netto
Kod: AO4409
Nazwa: Tranzystor
Symbol: AO4409
Kierunek przewodnictwa: P-MOSFET
Typ tranzystora: bipolarny
Prąd drenu: 15A
Napięcie dren-źródło: 30V
Obudowa: SO8
Montaż: SMD powierzchniowy
Producent: ALPHA&OMEGA
Certyfikaty: RoHS
W magazynie: 0.45 opak.
432,45 PLN Cena netto
Ilość (opak.):
Kod: IRF7406
Nazwa: Tranzystor
Symbol: IRF7406TRPBF
Kierunek przewodnictwa: P-MOSFET
Typ tranzystora: unipolarny
Prąd drenu: 5,8A
Moc: 2,5W
Napięcie dren-źródło: 30V
Obudowa: SO8
Montaż: SMD powierzchniowy
Właściwości półprzewodników: HEXFET
Producent: INFINEON
Certyfikaty: RoHS
W magazynie: 17 szt.
2,95 PLN Cena netto
Ilość:
Kod: FDC638APZ
Nazwa: Tranzystor
Symbol: FDC638APZ
Kierunek przewodnictwa: P-MOSFET
Typ tranzystora: unipolarny
Prąd drenu: 4,5A
Moc: 1,6W
Napięcie dren-źródło: 20V
Rezystancja w stanie przewodzenia: 72mOhm
Obudowa: SuperSOT6
Montaż: SMD powierzchniowy
Właściwości półprzewodników: PowerTrench®
Producent: ON SEMICONDUCTOR
Certyfikaty: RoHS
Niedostępny
56,10 PLN / opak. Cena netto
Kod: FDC638P
Nazwa: Tranzystor
Symbol: FDC638P
Kierunek przewodnictwa: P-MOSFET
Typ tranzystora: unipolarny
Prąd drenu: 4,5A
Moc: 1,6W
Napięcie dren-źródło: 20V
Rezystancja w stanie przewodzenia: 72mOhm
Obudowa: SuperSOT6
Montaż: SMD powierzchniowy
Właściwości półprzewodników: PowerTrench®
Producent: ON SEMICONDUCTOR
Certyfikaty: RoHS
Niedostępny
62,79 PLN / opak. Cena netto
Kod: IRF4905LPBF
Nazwa: Tranzystor
Symbol: IRF4905LPBF
Kierunek przewodnictwa: P-MOSFET
Typ tranzystora: unipolarny
Prąd drenu: 74A
Moc: 200W
Napięcie dren-źródło: 55V
Obudowa: TO262
Montaż: THT przewlekany
Producent: IRF
Certyfikaty: RoHS
W magazynie: 62 szt.
9,89 PLN Cena netto
Ilość:
Pokaż na stronie