Tranzystory P-MOSFET

Bestseller

Tranzystor; NXV65UP; P-MOSFET; Trench; unipolarny; -20V; -2,1A; 340mW; SOT23; NEXPERIA; opakowanie/100szt

Kod: NXV65UP

Nazwa: Tranzystor

Symbol: NXV65UP

Kierunek przewodnictwa: P-MOSFET

Prąd drenu: 2,1A

Moc: 340mW

Napięcie dren-źródło: 20V

Obudowa: SOT23

Producent: NEXPERIA

Certyfikaty: RoHS

Bądź pierwszy i napisz opinię.

W magazynie: 29.7 opak.

Szczegółowy opis ›

19,51 PLN Cena netto

Tranzystor; IRLML6302TR; P-MOSFET; unipolarny; 20V; 780mA; 540mW; SOT23; SMD; Infineon; RoHS

Kod: IRLML6302TR

Bądź pierwszy i napisz opinię.

W magazynie: 585 szt.

Szczegółowy opis ›

0,62 PLN Cena netto

Tranzystor; AOD407; P-MOSFET; unipolarny; -60V; -10A; 25W; TO252; SMD; 115mOhm; ALPHA & OMEGA; RoHS

Kod: AOD407

Nazwa: Tranzystor

Symbol: AOD407

Kierunek przewodnictwa: P-MOSFET

Typ tranzystora: unipolarny

Prąd drenu: 10A

Moc: 25W

Napięcie dren-źródło: 60V

Rezystancja w stanie przewodzenia: 115mOhm

Obudowa: DPAK (TO252)

Montaż: SMD powierzchniowy

Producent: ALPHA&OMEGA

Certyfikaty: RoHS

Bądź pierwszy i napisz opinię.

W magazynie: 18 szt.

Szczegółowy opis ›

1,78 PLN Cena netto

Tranzystor; BSP92PH6327; P-MOSFET; 250V; 0,26A; 1,8W; unipolarny; SOT223; SMD; INFINEON; RoHS; opakowanie/100szt

Kod: BSP92PH6327

Nazwa: Tranzystor

Symbol: BSP92PH6327

Kierunek przewodnictwa: P-MOSFET

Typ tranzystora: unipolarny

Moc: 1,8W

Napięcie dren-źródło: 250V

Rezystancja w stanie przewodzenia: 12Ohm

Obudowa: SOT223

Montaż: SMD powierzchniowy

Producent: INFINEON

Certyfikaty: RoHS

Bądź pierwszy i napisz opinię.

W magazynie: 19.9 opak.

Szczegółowy opis ›

61,79 PLN / opak. Cena netto

Tranzystor; SQ2315ES-T1_GE3; P-MOSFET; Trench; unipolarny; 12V; 5A; 670mW; 75mOhm; SOT23; SMD; VISHAY; opakowanie/100szt

Kod: SQ2315ES-T1_GE3

Nazwa: Tranzystor

Symbol: SQ2315ES-T1_GE3

Kierunek przewodnictwa: P-MOSFET

Typ tranzystora: unipolarny

Prąd drenu: 5A

Moc: 670mW

Napięcie dren-źródło: 12V

Rezystancja w stanie przewodzenia: 75mOhm

Obudowa: SOT23

Montaż: SMD powierzchniowy

Zastosowanie: motoryzacja

Producent: VISHAY

Certyfikaty: RoHS

Bądź pierwszy i napisz opinię.

W magazynie: 29.5 opak.

Szczegółowy opis ›

40,65 PLN Cena netto

Tranzystor; ZXMP6A17E6QTA; P-MOSFET; 3A; 60V; 1,92W; 120mOhm; SOT26-6; SMD; Diodes Incorporated; RoHS

Kod: ZXMP6A17E6QTA

Nazwa: Tranzystor

Symbol: ZXMP6A17E6QTA

Kierunek przewodnictwa: P-MOSFET

Typ tranzystora: unipolarny

Prąd drenu: 3A

Moc: 1,92W

Napięcie dren-źródło: 60V

Rezystancja w stanie przewodzenia: 120mOhm

Obudowa: SOT26-6

Montaż: SMD powierzchniowy

Producent: DIODES INCORPORATED

Certyfikaty: RoHS

Bądź pierwszy i napisz opinię.

W magazynie: 1500 szt.

Szczegółowy opis ›

1,30 PLN Cena netto

Tranzystor; BSP316P H6327; P-MOSFET; 680mA; 100V;1,8W; 1,8Ohm; unipolarny; SOT223; SMD; INFINEON; RoHS; opakowanie/100szt

Kod: BSP316PH6327

Nazwa: Tranzystor

Symbol: BSP316PH6327

Kierunek przewodnictwa: P-MOSFET

Typ tranzystora: unipolarny

Prąd drenu: 680mA

Moc: 1,8W

Napięcie dren-źródło: 100V

Rezystancja w stanie przewodzenia: 1,8Ohm

Obudowa: SOT223

Montaż: SMD powierzchniowy

Producent: INFINEON

Certyfikaty: RoHS

Bądź pierwszy i napisz opinię.

W magazynie: 9.4 opak.

Szczegółowy opis ›

48,78 PLN / opak. Cena netto

Bestseller

Tranzystor; IRF9630SPBF; P-MOSFET; 4A; 200V; 74W; unipolarny; SMD; TO263 (D2PAK); VISHAY; RoHS

Kod: IRF9630S

Nazwa: Tranzystor

Symbol: IRF9630S

Kierunek przewodnictwa: P-MOSFET

Typ tranzystora: unipolarny

Prąd drenu: 4A

Moc: 74W

Napięcie dren-źródło: 200V

Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,8Ohm

Obudowa: D2PAK (TO263)

Montaż: SMD powierzchniowy

Certyfikaty: RoHS

Bądź pierwszy i napisz opinię.

W magazynie: 37 szt.

Szczegółowy opis ›

2,76 PLN Cena netto