Katalog

Filtruj produkty

Nazwa

Symbol

Pokaż wszystkie

Typ tranzystora

Kierunek przewodnictwa

Rezystancja w stanie przewodzenia

Pokaż wszystkie

Obudowa

Pokaż wszystkie

Montaż

Napięcie dren-źródło

Pokaż wszystkie

Prąd drenu

Pokaż wszystkie

Moc

Pokaż wszystkie

Właściwości półprzewodników

Zastosowanie

Producent

Pokaż wszystkie

Certyfikaty

DARMOWA PRZESYŁKA

DLA ZAMÓWIEŃ OD 400PLN netto

Oferta dotyczy
całego asortymentu

Dołącz do nas

Tranzystor; WMO80P04TS; P-MOSFET; unipolarny; - 40V; - 80A; Idm: - 320A; 81,16W; 8,2mOhm; DPAK (TO252); SMD; = ME85P03; WMO80P04TS-CYG; WAYON; RoHS

WMO80P04TS.jpeg
Nowość
Kod: WMO80P04TS
Nazwa: Tranzystor
Symbol: WMO80P04TS
Kierunek przewodnictwa: P-MOSFET
Typ tranzystora: unipolarny
Prąd drenu: 80A
Moc: 81,16W
Napięcie dren-źródło: 40V
Rezystancja w stanie przewodzenia: 8,2mOhm
Obudowa: DPAK (TO252)
Montaż: SMD powierzchniowy
Producent: WAYON
Certyfikaty: RoHS
Bądź pierwszy i napisz opinię.
Niedostępny
3,50 PLN Cena netto
Zadaj pytanie

WMO80P04TS to wydajny tranzystor P-MOSFET typu unipolarnego, zaprojektowany z myślą o aplikacjach wymagających wysokiej mocy i niezawodności. Dzięki technologii Trench i obudowie DPAK (TO-252), idealnie sprawdza się w systemach zasilania, przetwornicach DC/DC oraz układach sterowania silnikami.

✅ Kluczowe parametry:

  • Typ tranzystora: P-MOSFET (unipolarny)

  • Napięcie dren–źródło (V<sub>DS</sub>): -40 V

  • Prąd drenu (I<sub>D</sub>): -80 A

  • Prąd impulsowy (I<sub>DM</sub>): -320 A

  • Moc strat (P<sub>D</sub>): 81,16 W

  • Rezystancja w stanie przewodzenia (R<sub>DS(on)</sub>): 8,2 mΩ

  • Obudowa: DPAK (TO-252), montaż SMD

  • Zgodność z RoHS: Tak

🛠️ Zastosowanie:

WMO80P04TS znajduje zastosowanie w:

  • Zasilaczach impulsowych

  • Przetwornicach DC/DC

  • Systemach zarządzania energią

  • Układach sterowania silnikami

  • Aplikacjach automotive

⚙️ Zalety:

  • Wysoka wydajność prądowa

  • Niska rezystancja R<sub>DS(on)</sub>

  • Kompaktowa obudowa DPAK

  • Zgodność z normami RoHS


    WMO80P04TS     to niezawodny wybór dla projektantów poszukujących efektywnego tranzystora P-MOSFET do zastosowań wymagających wysokiej mocy i precyzyjnego sterowania.

Załączniki

Produkty skojarzone