Tranzystory bipolarne, unipolarne i IGBT - Ceny, Opinie - ELEKTRONIKSC

Jesteś tutaj:
Strona główna
›
Produkty
›
Półprzewodniki
›
Tranzystory

Tranzystory to małe, ale niezwykle ważne elementy w elektronice. Są odpowiedzialne za kontrolę przepływu prądu w układach elektronicznych. Dzięki nim możliwe jest wzmacnianie sygnałów, przełączanie stanów logicznych oraz regulacja mocy. Tranzystory składają się z trzech warstw półprzewodnikowych - emitera, bazy i kolektora. Ich działanie opiera się na sterowaniu przepływem prądu za pomocą napięcia przyłożonego do bazy. Tranzystory są niezbędnym elementem w budowie wszelkich urządzeń elektronicznych, od prostych lamp do zaawansowanych komputerów. Ich rola w dzisiejszej technologii nie może być przeceniona.

Potrzebujesz tranzystorów do swoich projektów elektronicznych? Zajrzyj do naszego sklepu internetowego, gdzie znajdziesz szeroką ofertę tranzystorów w różnych rodzajach i parametrach. Dostarczamy tranzystory o wysokiej jakości i wydajności, które sprawdzą się doskonale w Twoich aplikacjach elektronicznych. Nie czekaj, zamów już teraz i ciesz się stabilnym oraz niezawodnym działaniem swoich urządzeń!

Bestseller

Tranzystor; STP30NF10; N-MOSFET; 25A; 100V; 115W; 45mOhm; unipolarny; THT; RoHS

Kod: STP30NF10

Nazwa: Tranzystor

Symbol: STP30NF10

Kierunek przewodnictwa: N-MOSFET

Typ tranzystora: unipolarny

Prąd drenu: 25A

Moc: 115W

Napięcie dren-źródło: 100V

Rezystancja w stanie przewodzenia: 45mOhm

Obudowa: TO220

Montaż: THT przewlekany

Certyfikaty: RoHS

Bądź pierwszy i napisz opinię.

Niedostępny

Szczegółowy opis ›

3,35 PLN Cena netto

Zadaj pytanie

Bestseller

Tranzystor; IRLR8743; N-MOSFET; 160A; 135W; 30V; unipolarny; DPAK; TO252; SMD; Infineon (IRF); IRLR8743PBF; = 30H10K; RoHS

Kod: IRLR8743PBF

Nazwa: Tranzystor

Symbol: IRLR8743PBF

Kierunek przewodnictwa: N-MOSFET

Typ tranzystora: unipolarny

Prąd drenu: 160A

Moc: 135W

Napięcie dren-źródło: 30V

Rezystancja w stanie przewodzenia: 5,8mOhm

Obudowa: DPAK (TO252)

Montaż: SMD powierzchniowy

Certyfikaty: RoHS

Bądź pierwszy i napisz opinię.

W magazynie: 29 szt.

Szczegółowy opis ›

6,30 PLN Cena netto

Bestseller

Tranzystor; IRFB4110; N-MOSFET; 130A; 100V; 370W; 4,5mOhm; unipolarny; TO220; THT; IRFB4110PBF; RoHS

Kod: IRFB4110PBF

Nazwa: Tranzystor

Symbol: IRFB4110PBF

Kierunek przewodnictwa: N-MOSFET

Typ tranzystora: unipolarny

Prąd drenu: 130A

Moc: 370W

Napięcie dren-źródło: 100V

Rezystancja w stanie przewodzenia: 4,5mOhm

Obudowa: TO220AB

Montaż: THT przewlekany

Certyfikaty: RoHS

Bądź pierwszy i napisz opinię.

W magazynie: 3 szt.

Szczegółowy opis ›

15,19 PLN Cena netto

Bestseller

Tranzystor; IRFB3207PBF; N-MOSFET; 170A; 300W; 75V; 3,6mOhm; unipolarny; TO220; THT; IR; RoHS

Kod: IRFB3207PBF

Nazwa: Tranzystor

Symbol: IRFB3207PBF

Kierunek przewodnictwa: N-MOSFET

Typ tranzystora: unipolarny

Prąd drenu: 170A

Moc: 300W

Napięcie dren-źródło: 75V

Rezystancja w stanie przewodzenia: 3,6mOhm

Obudowa: TO220

Montaż: THT przewlekany

Właściwości półprzewodników: HEXFET

Certyfikaty: RoHS

Bądź pierwszy i napisz opinię.

W magazynie: 38 szt.

Szczegółowy opis ›

12,17 PLN Cena netto

Tranzystor; BSS138WH6327; N-MOSFET; 280mA; 500mW; 60V; logic level; unipolarny; SOT323; SMD; Markig SW; INFINEON TECHNOLOGIES; RoHS; opakowanie/100szt

Kod: BSS138WH6327

Nazwa: Tranzystor

Symbol: BSS138WH6327

Kierunek przewodnictwa: N-MOSFET

Typ tranzystora: unipolarny

Prąd drenu: 0,28A

Moc: 500mW

Napięcie dren-źródło: 60V

Rezystancja w stanie przewodzenia: 3,5Ohm

Obudowa: SOT323

Montaż: SMD powierzchniowy

Certyfikaty: RoHS

Bądź pierwszy i napisz opinię.

W magazynie: 40.8 opak.

Szczegółowy opis ›

30,89 PLN / opak. Cena netto

Tranzystor; BSS138NH6327; N-MOSFET; 230mA; 360mW; 60V; logic level; unipolarny; SOT23; SMD; Markig SK; INFINEON TECHNOLOGIES; RoHS; op/100szt

Kod: BSS138NH6327

Nazwa: Tranzystor

Symbol: BSS138NH6327

Kierunek przewodnictwa: N-MOSFET

Typ tranzystora: unipolarny

Prąd drenu: 0,23A

Moc: 360mW

Napięcie dren-źródło: 50V

Rezystancja w stanie przewodzenia: 3,5Ohm

Obudowa: SOT23

Montaż: SMD powierzchniowy

Certyfikaty: RoHS

Bądź pierwszy i napisz opinię.

W magazynie: 25.9 opak.

Szczegółowy opis ›

34,15 PLN / opak. Cena netto

Tranzystor; IRLL110TRPBF; N-MOSFET; 0,93A; 100V; 3,1W; unipolarny; 760mOhm; SOT223; SMD; RoHS; op/100szt

Kod: IRLL110TRPBF

Nazwa: Tranzystor

Symbol: IRLL110TR

Kierunek przewodnictwa: N-MOSFET

Typ tranzystora: unipolarny

Prąd drenu: 0,93A

Moc: 3,1W

Napięcie dren-źródło: 100V

Rezystancja w stanie przewodzenia: 760mOhm

Obudowa: SOT223

Montaż: SMD powierzchniowy

Certyfikaty: RoHS

Bądź pierwszy i napisz opinię.

W magazynie: 36 szt.

Szczegółowy opis ›

155,75 PLN / opak. Cena netto

Bestseller

Tranzystor; IRF3205ZSTRLPBF; N-MOSFET; HEXFET; 78A: 55V; 170W; 6,5mOhm; unipolarny; TO263; D2PAK; THT; RoHS

Kod: IRF3205ZS

Bądź pierwszy i napisz opinię.

W magazynie: 19 szt.

Szczegółowy opis ›

4,47 PLN Cena netto

Bestseller

Tranzystor; STP20NM60FP; N-MOSFET; 20A; 45W; 600V; 290mOhm; unipolarny; TO220Fi; THT; ST Microelectronics; RoHS

Kod: STP20NM60FP

Nazwa: Tranzystor

Symbol: STP20NM60FP

Kierunek przewodnictwa: N-MOSFET

Typ tranzystora: unipolarny

Prąd drenu: 20A

Moc: 45W

Napięcie dren-źródło: 600V

Rezystancja w stanie przewodzenia: 290mOhm

Obudowa: TO220FP

Montaż: THT przewlekany

Producent: STMicroelectronics

Certyfikaty: RoHS

Bądź pierwszy i napisz opinię.

W magazynie: 19 szt.

Szczegółowy opis ›

17,05 PLN Cena netto

Bestseller

Tranzystor; YJB150N06BQ; N-MOSFET; 105A; 94W; 60V; 5,5mOhm; TRENCH POWER MV; unipolarny; D2PAK; TO263; SMD; YANGJIE TECHNOLOGY; RoHS

Kod: YJB150N06BQ

Nazwa: Tranzystor

Symbol: YJB150N06BQ

Kierunek przewodnictwa: N-MOSFET

Typ tranzystora: unipolarny

Prąd drenu: 105A

Moc: 94W

Napięcie dren-źródło: 60V

Rezystancja w stanie przewodzenia: 5,5mOhm

Obudowa: D2PAK (TO263)

Montaż: SMD powierzchniowy

Właściwości półprzewodników: trench power mv

Producent: YANGJIE TECHNOLOGY

Certyfikaty: RoHS

Bądź pierwszy i napisz opinię.

W magazynie: 21 szt.

Szczegółowy opis ›

6,70 PLN Cena netto