Zapraszamy również do naszej hurtowni stacjonarnej 8:00 - 17:00 ul. Południowa 72, 63-400 Ostrów Wlkp. |
![]() |
![]() |
DLA ZAMÓWIEŃ OD 400PLN nettoOferta dotyczycałego asortymentu |
Tranzystor IGBT LGEGW15N120TS 15A/1200V TO-247 | Moc 40W
Zapewnij niezawodną pracę Twoich układów
energoelektronicznych z wysokowydajnym tranzystorem IGBT LGEGW15N120TS od LGE.
Jest to zaawansowany tranzystor bipolarny z izolowaną bramką przeznaczony do
zastosowań wymagających dużych mocy i wysokich napięć.
Ten tranzystor IGBT 1200V charakteryzuje się
imponującym prądem kolektora IC
wynoszącym 15A oraz napięciem kolektor-emiter VCES
do 1200V. Dzięki maksymalnej mocy strat wynoszącej 40W, idealnie nadaje się do
stosowania w urządzeniach takich jak falowniki, przemienniki DC/AC, zasilacze
impulsowe i systemy UPS.
LGEGW15N120TS
został zamknięty w standardowej, łatwej do montażu obudowie TO-247 THT (montaż
przewlekany), co ułatwia jego integrację w płytkach drukowanych. Wybór tego
tranzystora mocy TO-247 gwarantuje wysoką jakość i zgodność z dyrektywą
RoHS.
Jeśli szukasz stabilnego i wydajnego elementu mocy 1200V, który sprosta wymaganiom Twojego projektu, ten model LGE jest doskonałym wyborem. Sprawdź datasheet LGEGW15N120TS, aby uzyskać szczegółowe parametry.
Specyfikacja:
Typ elementu: Tranzystor IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor)
Oznaczenie: LGEGW15N120TS
Prąd kolektora (IC): 15A
Napięcie kolektor-emiter (VCES): 1200V
Moc strat (PD): 40W
Obudowa: TO-247 (THT)
Producent: LGE
Zgodność: RoHS
![]()
NIP: 622 010 59 74 REGON: 250432504 |
Informacja |
Wysyłka |
Bezpieczeństwo |