Jesteś tutaj:
Strona główna
›
Produkty
›
Półprzewodniki
›
Tranzystory
›
Tranzystory IGBT
›
Tranzystor; IGBT; 23A; 450V; 150W; DPAK (TO252); SMD; właściwości: logic level; FGD3245G2-F085; ONSEMI; RoHS

Kod: FGD3245G2-F085

Nazwa: Tranzystor

Symbol: FGD3245G2-F085

Kierunek przewodnictwa: IGBT

Typ tranzystora: IGBT

Prąd kolektora: 23A

Moc: 150W

Napięcie kolektor-emiter: 450V

Obudowa: DPAK (TO252)

Montaż: SMD powierzchniowy

Właściwości półprzewodników: logic level

Zastosowanie: motoryzacja; układy zapłonowe

Producent: ONSEMI

Producent / Dystrybutor: ONSEMI

Bądź pierwszy i napisz opinię.

W magazynie: 16 szt.

7,80 PLN netto Cena brutto: 9,59 PLN

Tranzystor IGBT onsemi FGD3245G2-F085: Precyzja Zapłonu w Standardzie Automotive

W świecie elektroniki pojazdowej nie ma miejsca na błędy. FGD3245G2-F085 to tranzystor IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor), który łączy w sobie najlepsze cechy dwóch światów: łatwość sterowania charakterystyczną dla tranzystorów MOSFET oraz niskie straty przewodzenia typowe dla tranzystorów bipolarnych (BJT).

Model ten, pochodzący od światowego lidera – firmy onsemi, został zaprojektowany specjalnie z myślą o cewkach zapłonowych i systemach sterowania silnikiem, gdzie wymagana jest niezawodność potwierdzona rygorystycznymi testami.

Dlaczego FGD3245G2-F085 to wybór klasy Premium?

Właściwości Logic Level: To funkcja, która zmienia zasady gry. Tranzystor może być wysterowany bezpośrednio z wyjść logicznych mikrokontrolera $5text{ V}$ , co eliminuje konieczność stosowania skomplikowanych układów sterujących bramką (Gate Drivers) i upraszcza architekturę PCB.
Certyfikacja Automotive (F085): Sufiks F085 oznacza, że komponent przeszedł rygorystyczne testy jakościowe i jest w pełni zgodny ze standardami branży motoryzacyjnej, takimi jak AEC-Q101. Jest odporny na ekstremalne temperatury i wibracje panujące pod maską pojazdu.
Wbudowane Zabezpieczenia: Układ posiada zintegrowane zaciski (clamping) bramka-emiter oraz kolektor-bramka, które chronią tranzystor przed przepięciami indukowanymi przez cewki – co jest krytyczne w aplikacjach zapłonowych.
Kompaktowa Obudowa DPAK (TO-252): Montaż powierzchniowy (SMD) pozwala na gęstą zabudowę i efektywne odprowadzanie ciepła do laminatu, co przy mocy strat rzędu $150text{ W}$ jest kluczowe dla żywotności układu.

Parametr	Wartość
Producent	onsemi (Fairchild)
Typ tranzystora	IGBT (N-Channel)
Prąd kolektora ( $I_C$ )	$23text{ A}$ (przy $T_C = 110^circtext{C}$ )
Napięcie Kolektor-Emiter ( $V_{CES}$ )	$450text{ V}$
Moc rozpraszana (P $P_{tot}$ )	$150text{ W}$
Napięcie nasycenia ( $V_{CE(sat)}$ )	ok. $1,15text{ V}$ – $1,35text{ V}$
Typ obudowy	DPAK (TO-252)
Zakres temp. pracy	$-55^circtext{C}$ do $+175^circtext{C}$

Załączniki

FGD3245G2-F085 - Karta katalogowa (324.99 KB)

Nasze opinie