Filtruj produkty

Nazwa

Symbol

Typ układu scalonego

Typ tranzystora

Kierunek przewodnictwa

Rezystancja

Liczba kanałów

Napięcie zasilania

Rodzaj układu scalonego

Prąd wyjściowy

Rodzaj wyjścia

Rezystancja w stanie przewodzenia

Obudowa

Montaż elektryczny

Montaż

Napięcie dren-źródło

Czas gotowości

Prąd drenu

Moc

Napięcie wyjściowe

Właściwości półprzewodników

Nazwa 2

Zastosowanie

Producent

Producent / Dystrybutor

Certyfikaty

DARMOWA PRZESYŁKA

DLA ZAMÓWIEŃ OD 400PLN netto

Oferta dotyczy
całego asortymentu

Dołącz do nas

Tranzystory N-MOSFET

Sortuj według
Pokaż na stronie
Kod: DMG1012TQ-7
Nazwa: Tranzystor
Symbol: DMG1012TQ-7
Kierunek przewodnictwa: N-MOSFET
Typ tranzystora: unipolarny
Prąd drenu: 0,45A
Moc: 0,28W
Napięcie dren-źródło: 20V
Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,3Ohm
Obudowa: SOT523
Montaż: SMD powierzchniowy
Właściwości półprzewodników: ESD
Producent: DIODES
Certyfikaty: RoHS
W magazynie: 29.8 opak.
26,03 PLN / opak. Cena netto
Ilość:
Kod: UPA2791M
Nazwa: Tranzystor
Symbol: UPA2791M
Kierunek przewodnictwa: N/P-MOSFET
Typ tranzystora: unipolarny
Prąd drenu: 5A
Moc: 2W
Napięcie dren-źródło: 30V
Rezystancja w stanie przewodzenia: 36/82mOhm
Obudowa: SO8
Montaż: SMD powierzchniowy
Certyfikaty: RoHS
W magazynie: 189 szt.
2,00 PLN Cena netto
Ilość:
Kod: STP11NM60FD
Nazwa: Tranzystor
Symbol: STP11NM60FD
Kierunek przewodnictwa: N-MOSFET
Typ tranzystora: unipolarny
Prąd drenu: 7A
Moc: 160W
Napięcie dren-źródło: 600V
Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,45Ohm
Obudowa: TO220
Montaż: THT przewlekany
Producent: STMicroelectronics
Certyfikaty: RoHS
W magazynie: 12 szt.
9,00 PLN Cena netto
Ilość:
Kod: IRFP150
Nazwa: Tranzystor
Symbol: IRFP150
Kierunek przewodnictwa: N-MOSFET
Typ tranzystora: unipolarny
Prąd drenu: 41A
Moc: 230W
Napięcie dren-źródło: 100V
Rezystancja w stanie przewodzenia: 55mOhm
Obudowa: TO247
Montaż: THT przewlekany
Producent: SILICONIX
Certyfikaty: RoHS
W magazynie: 4 szt.
7,50 PLN Cena netto
Ilość:
Kod: DMN3404L-7
Nazwa: Tranzystor
Symbol: DMN3404L-7
Kierunek przewodnictwa: N-MOSFET
Typ tranzystora: unipolarny
Prąd drenu: 3A
Moc: 0,72W
Napięcie dren-źródło: 20V
Rezystancja w stanie przewodzenia: 82mOhm
Obudowa: SOT23
Montaż: SMD powierzchniowy
Producent: DIODES INCORPORATED
Certyfikaty: RoHS
W magazynie: 11.4 opak.
25,20 PLN / opak. Cena netto
Ilość:
Kod: IRFB4020PBF
Nazwa: Tranzystor
Symbol: IRFB4020PBF
Kierunek przewodnictwa: N-MOSFET
Typ tranzystora: unipolarny
Prąd drenu: 18A
Moc: 100W
Napięcie dren-źródło: 200V
Rezystancja w stanie przewodzenia: 100mOhm
Obudowa: TO220
Montaż: THT przewlekany
Właściwości półprzewodników: HEXFET
Producent: INFINEON
Certyfikaty: RoHS
W magazynie: 25 szt.
3,75 PLN Cena netto
Ilość:
Kod: STF9N60M2
Nazwa: Tranzystor
Symbol: STF9N60M2
Kierunek przewodnictwa: N-MOSFET
Typ tranzystora: unipolarny
Prąd drenu: 5,5A
Moc: 20W
Napięcie dren-źródło: 650V
Rezystancja w stanie przewodzenia: 720mOhm
Obudowa: TO220FP
Montaż: THT przewlekany
Producent: STMicroelectronics
Certyfikaty: RoHS
W magazynie: 7 szt.
7,01 PLN Cena netto
Ilość:
Pokaż na stronie