Zapraszamy również do naszej hurtowni stacjonarnej 8:00 - 17:00 ul. Południowa 72, 63-400 Ostrów Wlkp. |
![]() |
![]() |
DLA ZAMÓWIEŃ OD 400PLN nettoOferta dotyczycałego asortymentu |
STF9N60M2 – MOSFET N‑kanał 650 V 5,5 A TO‑220FP MDmesh II Plus™
STMicroelectronics STF9N60M2 – N‑kanałowy MOSFET 650 V, 5,5 A, 20 W, TO‑220FP (MDmesh II Plus™). Ten wysokiego napięcia MOSFET z serii MDmesh II Plus™ oferuje niski opór włączenia RDS(on) (~0,72 Ω przy VGS=10 V) oraz bardzo niską pojemność bramki (Qg=10 nC), co zapewnia szybkie przełączanie i wysoką sprawność przy pracy w przełącznikach, zasilaczach i przetwornicach.
VDSS: 600 V typowo, do 650 V
Id ciągły: 5,5 A (przy TC=25 °C; 3,6 A przy 100 °C),
ID pulsowany: maks. 22 A
RDS(on): typ. 0,72 Ω (max 0,78 Ω) przy 3 A/VGS=10 V
P(dissipation): 20 W (TC=25 °C)
Q: 10 nC @ VDS=480 V & ID=5,5 A
C: typ. 320 pF (VDS=100 V)
VGSmax: ±25 V
VGS(th): ok. 3 V @ 250 µA
Czas przełączania: td ~8,8 ns, tr ~7,5 ns, td(off) ~22 ns, tf ~13,5 ns
Temperatura pracy: od −55 °C do +150 °C (Tj), Rth(j‑case) 6,25 °C/W
Zabezpieczenia: pełny test awaryjny (100 % avalanche), ochrona Zener, izolacja VISO 2,5 kVAC
Obudowa: TO‑220FP – montaż przewlekany, bardzo efektywne odprowadzanie ciepła
Zgodność RoHS / Ecopack2 i typ jakości: industrial
Typowe
zastosowania:
Przetwornice
impulsowe, sterowniki silników, falowniki PV, zasilacze wysokiego napięcia,
elektronika przemysłowa i automatyka.
![]()
NIP: 622 010 59 74 REGON: 250432504 |
Informacja |
Wysyłka |
Bezpieczeństwo |