Powered by Smartsupp

Filtruj produkty

Nazwa

Symbol

Typ układu scalonego

Typ tranzystora

Kierunek przewodnictwa

Rezystancja

Liczba kanałów

Napięcie zasilania

Rodzaj układu scalonego

Prąd wyjściowy

Rodzaj wyjścia

Rezystancja w stanie przewodzenia

Obudowa

Montaż elektryczny

Montaż

Napięcie dren-źródło

Czas gotowości

Prąd drenu

Moc

Napięcie wyjściowe

Właściwości półprzewodników

Nazwa 2

Zastosowanie

Producent

Certyfikaty

DARMOWA PRZESYŁKA

DLA ZAMÓWIEŃ OD 400PLN netto

Oferta dotyczy
całego asortymentu

Tranzystory N-MOSFET

Sortuj według
Pokaż na stronie
Kod: AO3418
Nazwa: Tranzystor
Symbol: AO3418
Kierunek przewodnictwa: N-MOSFET
Typ tranzystora: unipolarny
Prąd drenu: 3,1A
Moc: 1,4W
Napięcie dren-źródło: 30V
Rezystancja w stanie przewodzenia: 55mOhm
Obudowa: SOT23
Montaż: SMD powierzchniowy
Certyfikaty: RoHS
W magazynie: 90 szt.
54,45 PLN / opak. Cena netto
Ilość:
szt.
Kod: AO3438
Nazwa: Tranzystor
Symbol: AO3438
Kierunek przewodnictwa: N-MOSFET
Typ tranzystora: unipolarny
Prąd drenu: 3A
Moc: 1,4W
Napięcie dren-źródło: 20V
Rezystancja w stanie przewodzenia: 62mOhm
Obudowa: SOT23
Montaż: SMD powierzchniowy
Certyfikaty: RoHS
W magazynie: 60.94 opak.
25,20 PLN / opak. Cena netto
Ilość:
Kod: WML10N80M3
Nazwa: Tranzystor
Symbol: WML10N80M3
Kierunek przewodnictwa: N-MOSFET
Typ tranzystora: unipolarny
Prąd drenu: 10A
Moc: 31W
Napięcie dren-źródło: 800V
Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,86Ohm
Obudowa: TO220FP
Montaż: THT przewlekany
Certyfikaty: RoHS
W magazynie: 16 szt.
4,25 PLN Cena netto
Ilość:
Kod: STP110N7F6
Nazwa: Tranzystor
Symbol: STP110N7F6
Kierunek przewodnictwa: N-MOSFET
Typ tranzystora: unipolarny
Prąd drenu: 110A
Moc: 176W
Napięcie dren-źródło: 68V
Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,0065Ohm
Obudowa: TO220
Montaż: THT przewlekany
Właściwości półprzewodników: STripFET F6
Producent: STMicroelectronics
Certyfikaty: RoHS
Niedostępny
5,89 PLN Cena netto
Kod: IRL1404ZSTRLPBF
Nazwa: Tranzystor
Symbol: IRL1404ZSTRLPBF
Kierunek przewodnictwa: N-MOSFET
Typ tranzystora: unipolarny
Prąd drenu: 120A
Moc: 230W
Napięcie dren-źródło: 40V
Rezystancja w stanie przewodzenia: 3,1mOhm
Obudowa: D2PAK (TO263)
Montaż: SMD powierzchniowy
Właściwości półprzewodników: logic level
Certyfikaty: RoHS
W magazynie: 25 szt.
7,98 PLN Cena netto
Ilość:
Kod: STP4NK80Z
Nazwa: Tranzystor
Symbol: STP4NK80Z
Kierunek przewodnictwa: N-MOSFET
Typ tranzystora: unipolarny
Prąd drenu: 3A
Moc: 80W
Napięcie dren-źródło: 800V
Obudowa: TO220
Montaż: THT przewlekany
Certyfikaty: RoHS
W magazynie: 31 szt.
3,42 PLN Cena netto
Ilość:
Kod: STP80NF12
Nazwa: Tranzystor
Symbol: STP80NF12
Kierunek przewodnictwa: N-MOSFET
Typ tranzystora: unipolarny
Prąd drenu: 60A
Moc: 300W
Napięcie dren-źródło: 120V
Rezystancja w stanie przewodzenia: 18mOhm
Obudowa: TO220
Montaż: THT przewlekany
Certyfikaty: RoHS
W magazynie: 88 szt.
9,92 PLN Cena netto
Ilość:
Kod: 2SK2835
Nazwa: Tranzystor
Symbol: 2SK2835
Kierunek przewodnictwa: N-MOSFET
Typ tranzystora: unipolarny
Prąd drenu: 5A
Moc: 1,3W
Napięcie dren-źródło: 200V
Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,8Ohm
Obudowa: 2-8M1B
Montaż: THT przewlekany
Niedostępny
0,81 PLN Cena netto
Kod: FQP9N30
Nazwa: Tranzystor
Symbol: FQP9N30
Kierunek przewodnictwa: N-MOSFET
Typ tranzystora: unipolarny
Prąd drenu: 9A
Moc: 98W
Napięcie dren-źródło: 300V
Rezystancja w stanie przewodzenia: 450mOhm
Obudowa: TO220
Montaż: THT przewlekany
Producent: ON SEMICONDUCTOR
Certyfikaty: RoHS
W magazynie: 10 szt.
6,93 PLN Cena netto
Ilość:
Kod: SIR164DP-GE3
Nazwa: Tranzystor
Symbol: SIR164DP-GE3
Kierunek przewodnictwa: N-MOSFET
Typ tranzystora: unipolarny
Prąd drenu: 50A
Moc: 69W
Napięcie dren-źródło: 30V
Rezystancja w stanie przewodzenia: 2,5mOhm
Obudowa: PowerPAK-SO-8
Montaż: SMD powierzchniowy
Producent: VISHAY
Certyfikaty: RoHS
Niedostępny
7,71 PLN Cena netto
Kod: IRL2910PBF
Nazwa: Tranzystor
Symbol: IRL2910PBF
Kierunek przewodnictwa: N-MOSFET
Typ tranzystora: unipolarny
Prąd drenu: 48A
Moc: 200W
Napięcie dren-źródło: 100V
Rezystancja w stanie przewodzenia: 26mOhm
Obudowa: TO220
Montaż: THT przewlekany
Certyfikaty: RoHS
W magazynie: 3 szt.
7,21 PLN Cena netto
Ilość:
Kod: IRFB7545PBF
Nazwa: Tranzystor
Symbol: IRFB7545PBF
Kierunek przewodnictwa: N-MOSFET
Typ tranzystora: unipolarny
Prąd drenu: 95A
Moc: 125W
Napięcie dren-źródło: 60V
Rezystancja w stanie przewodzenia: 5,9mOhm
Obudowa: TO220
Montaż: THT przewlekany
Właściwości półprzewodników: HEXFET
Producent: IRF
Certyfikaty: RoHS
W magazynie: 33 szt.
3,49 PLN Cena netto
Ilość:
Kod: STP16NF06L
Nazwa: Tranzystor
Symbol: STP16NF06L
Kierunek przewodnictwa: N-MOSFET
Typ tranzystora: unipolarny
Prąd drenu: 11A
Moc: 45W
Napięcie dren-źródło: 60V
Rezystancja w stanie przewodzenia: 90mOhm
Obudowa: TO220
Montaż: THT przewlekany
Właściwości półprzewodników: STripFET II
Producent: STMicroelectronics
Certyfikaty: RoHS
W magazynie: 15 szt.
2,53 PLN Cena netto
Ilość:
Kod: IPD034N06N3GATMA1
Nazwa: Tranzystor
Symbol: IPD034N06N3GATMA1
Kierunek przewodnictwa: N-MOSFET
Typ tranzystora: unipolarny
Prąd drenu: 100A
Moc: 167W
Napięcie dren-źródło: 60V
Rezystancja w stanie przewodzenia: 3,4mOhm
Obudowa: DPAK (TO252)
Montaż: SMD powierzchniowy
Właściwości półprzewodników: OptiMOS 2
Producent: INFINEON
Certyfikaty: RoHS
Niedostępny
5,43 PLN Cena netto
Kod: IRFR8314TRPBF
Nazwa: Tranzystor
Symbol: IRFR8314TRPBF
Kierunek przewodnictwa: N-MOSFET
Typ tranzystora: unipolarny
Prąd drenu: 127A
Moc: 125W
Napięcie dren-źródło: 30V
Rezystancja w stanie przewodzenia: 3,1mOhm
Obudowa: DPAK (TO252)
Montaż: SMD powierzchniowy
Właściwości półprzewodników: HEXFET
Producent: INFINEON
Certyfikaty: RoHS
W magazynie: 69 szt.
5,72 PLN Cena netto
Ilość:
Kod: VN0104N3-G
Nazwa: Tranzystor
Symbol: VN0104N3-G
Kierunek przewodnictwa: N-MOSFET
Typ tranzystora: unipolarny
Prąd drenu: 2A
Moc: 1W
Napięcie dren-źródło: 40V
Rezystancja w stanie przewodzenia: 3Ohm
Obudowa: TO92
Montaż: THT przewlekany
Producent: MICROCHIP
Certyfikaty: RoHS
Niedostępny
3,17 PLN Cena netto
Kod: IRFS4410
Nazwa: Tranzystor
Symbol: IRFS4410
Kierunek przewodnictwa: N-MOSFET
Typ tranzystora: unipolarny
Prąd drenu: 96A
Moc: 250W
Napięcie dren-źródło: 100V
Rezystancja w stanie przewodzenia: 8mOhm
Obudowa: D2PAK (TO263)
Montaż: SMD powierzchniowy
Certyfikaty: RoHS
W magazynie: 4 szt.
11,63 PLN Cena netto
Ilość:
Kod: AOTF25S65
Nazwa: Tranzystor
Symbol: AOTF25S65
Kierunek przewodnictwa: N-MOSFET
Typ tranzystora: unipolarny
Prąd drenu: 16A
Moc: 50W
Napięcie dren-źródło: 650V
Rezystancja w stanie przewodzenia: 190mOhm
Obudowa: TO220FP
Montaż: THT przewlekany
Certyfikaty: RoHS
W magazynie: 10 szt.
10,31 PLN Cena netto
Ilość:
Kod: STD30NF06L
Nazwa: Tranzystor
Symbol: STD30NF06L
Kierunek przewodnictwa: N-MOSFET
Typ tranzystora: unipolarny
Prąd drenu: 25A
Moc: 70W
Napięcie dren-źródło: 60V
Rezystancja w stanie przewodzenia: 28mOhm
Obudowa: DPAK (TO252)
Montaż: SMD powierzchniowy
Właściwości półprzewodników: ESD protected gate
Producent: STMicroelectronics
Certyfikaty: RoHS
W magazynie: 79 szt.
7,48 PLN Cena netto
Ilość:
Kod: IPB50N10S3L16
Nazwa: Tranzystor
Symbol: IPB50N10S3L16
Kierunek przewodnictwa: N-MOSFET
Typ tranzystora: unipolarny
Prąd drenu: 50A
Moc: 100W
Napięcie dren-źródło: 100V
Rezystancja w stanie przewodzenia: 15,4mOhm
Obudowa: D2PAK (TO263)
Montaż: SMD powierzchniowy
Producent: INFINEON
Certyfikaty: RoHS
W magazynie: 30 szt.
8,58 PLN Cena netto
Ilość:
Kod: HUF75344S3
Nazwa: Tranzystor
Symbol: HUF75344S3
Kierunek przewodnictwa: N-MOSFET
Typ tranzystora: unipolarny
Prąd drenu: 80A
Moc: 150W
Napięcie dren-źródło: 80V
Rezystancja w stanie przewodzenia: 3mOhm
Obudowa: D2PAK (TO263)
Montaż: THT przewlekany
Certyfikaty: RoHS
Niedostępny
5,78 PLN Cena netto
Kod: IRFI840GLC
Nazwa: Tranzystor
Symbol: IRFI840GLC
Kierunek przewodnictwa: N-MOSFET
Typ tranzystora: unipolarny
Prąd drenu: 2,9A
Moc: 40W
Napięcie dren-źródło: 500V
Rezystancja w stanie przewodzenia: 850mOhm
Obudowa: TO220FP
Montaż: THT przewlekany
Producent: VISHAY
Certyfikaty: RoHS
W magazynie: 10 szt.
4,20 PLN Cena netto
Ilość:
Pokaż na stronie