Tranzystor
IPB50N10S3L16 to unipolarny N-MOSFET o prądzie drenu wynoszącym 50A,
mocy 100W i napięciu dren-źródło 100V. Posiada małą rezystancję w stanie
przewodzenia, wynoszącą 15,4mOhm, co pozwala na efektywne przewodzenie prądu.
Tranzystor ten jest dostępny w obudowie D2PAK (TO263) i przeznaczony do montażu
powierzchniowego (SMD). Producentem tego tranzystora jest renomowana firma
INFINEON, a posiada on certyfikaty zgodności z dyrektywą RoHS, co świadczy o
jego bezpieczeństwie dla użytkowników oraz o przyjaznym wpływie na środowisko.
Jest to idealny komponent do zastosowań w elektronice, gdzie wymagane są wysokie
parametry prądowe i napięciowe.
Kierunek przewodnictwa:
N-MOSFET
Typ tranzystora:
unipolarny
Napięcie dren-źródło:
100V
Rezystancja w stanie przewodzenia:
15,4mOhm
Montaż:
SMD powierzchniowy