Zapraszamy również do naszego sklepu stacjonarnego: ul. Kaliska 5, 63-400 Ostrów Wlkp. |
DLA ZAMÓWIEŃ OD 400PLN nettoOferta dotyczycałego asortymentu |
Dane techniczne:
Producent: Infineon (IRF)
Typ tranzystora: N-MOSFET
Polaryzacja: unipolarny
Napięcie dren-źródło: 100V
Prąd drenu: 97A
Moc: 230W
Obudowa: TO220AB
Napięcie bramka-źródło: ±20V
Rezystancja w stanie przewodzenia: 9mΩ
Montaż: THT
Ładunek bramki: 83nC
Technologia: HEXFET®
NIP: 622 010 59 74, REGON: 250432504 |
Informacja |
Wysyłka |
Bezpieczeństwo |