Katalog

Filtruj produkty

Nazwa

Symbol

Pokaż wszystkie

Typ układu scalonego

Typ tranzystora

Kierunek przewodnictwa

Rezystancja

Liczba kanałów

Napięcie zasilania

Rodzaj układu scalonego

Prąd wyjściowy

Pokaż wszystkie

Rodzaj wyjścia

Rezystancja w stanie przewodzenia

Pokaż wszystkie

Obudowa

Pokaż wszystkie

Montaż elektryczny

Montaż

Napięcie dren-źródło

Pokaż wszystkie

Czas gotowości

Prąd drenu

Pokaż wszystkie

Moc

Pokaż wszystkie

Napięcie wyjściowe

Właściwości półprzewodników

Pokaż wszystkie

Nazwa 2

Zastosowanie

Producent

Pokaż wszystkie

Certyfikaty

DARMOWA PRZESYŁKA

DLA ZAMÓWIEŃ OD 400PLN netto

Oferta dotyczy
całego asortymentu

Dołącz do nas

Tranzystor; STF9N60M2; N-MOSFET; 5,5A; 650V; 20W; Idm: 22A; 720mOhm; unipolarny; TO220FP; THT; STMicroelectronics; RoHS

STF9N60M2.jpeg
Kod: STF9N60M2
Nazwa: Tranzystor
Symbol: STF9N60M2
Kierunek przewodnictwa: N-MOSFET
Typ tranzystora: unipolarny
Prąd drenu: 5,5A
Moc: 20W
Napięcie dren-źródło: 650V
Rezystancja w stanie przewodzenia: 720mOhm
Obudowa: TO220FP
Montaż: THT przewlekany
Producent: STMicroelectronics
Certyfikaty: RoHS
Bądź pierwszy i napisz opinię.
W magazynie: 7 szt.
7,01 PLN Cena netto
Ilość:

STF9N60M2 – MOSFET N‑kanał 650 V 5,5 A TO‑220FP MDmesh II Plus™


STMicroelectronics STF9N60M2 – N‑kanałowy MOSFET 650 V, 5,5 A, 20 W, TO‑220FP (MDmesh II Plus™). Ten wysokiego napięcia MOSFET z serii MDmesh II Plus™ oferuje niski opór włączenia RDS(on) (~0,72 Ω przy VGS=10 V) oraz bardzo niską pojemność bramki (Qg=10 nC), co zapewnia szybkie przełączanie i wysoką sprawność przy pracy w przełącznikach, zasilaczach i przetwornicach.



  • VDSS: 600 V typowo, do 650 V

  • Id ciągły: 5,5 A (przy TC=25 °C; 3,6 A przy 100 °C),

  • ID pulsowany: maks. 22 A

  • RDS(on): typ. 0,72 Ω (max 0,78 Ω) przy 3 A/VGS=10 V

  • P(dissipation): 20 W (TC=25 °C)

  • Q: 10 nC @ VDS=480 V & ID=5,5 A

  • C: typ. 320 pF (VDS=100 V)

  • VGSmax: ±25 V

  • VGS(th): ok. 3 V @ 250 µA

  • Czas przełączania: td ~8,8 ns, tr ~7,5 ns, td(off) ~22 ns, tf ~13,5 ns

  • Temperatura pracy: od −55 °C do +150 °C (Tj), Rth(j‑case) 6,25 °C/W

  • Zabezpieczenia: pełny test awaryjny (100 % avalanche), ochrona Zener, izolacja VISO 2,5 kVAC

  • Obudowa: TO‑220FP – montaż przewlekany, bardzo efektywne odprowadzanie ciepła

  • Zgodność RoHS / Ecopack2 i typ jakości: industrial


Typowe zastosowania:
Przetwornice impulsowe, sterowniki silników, falowniki PV, zasilacze wysokiego napięcia, elektronika przemysłowa i automatyka.

Załączniki

Produkty skojarzone